近幾年FLASH存儲器的銷量不斷增長,NAND FLASH是現(xiàn)在市場上最主要的非易失閃存技術,但是NAND FLASH本身存在著讀寫控制時序復雜和位交換等問題。本課題分析其固有缺點,開發(fā)出NAND FLASH控制器,并且為其添加了OPB總線接口,使得控制器可以作為OPB總線的從設備被使用,便于控制器的SOC實現(xiàn)。（1）分析了FLASH Memory產(chǎn)品的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢,對NAND FLASH和NOR FLASH進行了比較,指出了各自的優(yōu)缺點,闡述了開發(fā)基于OPB總線的NAND FLASH控制器的意義。（2）通過分析NAND FLASH組織結(jié)構、指令操作和AC特性參數(shù),論述了控制器設計的技術基礎,并闡述了OPB總線技術和SOC技術的特點。（3）根據(jù)控制器功能和性能方面的基本設計要求,采用模塊化設計思想,完成了總線接口模塊和控制模塊的設計與實現(xiàn)。詳細論述了總線接口模塊的地址譯碼模塊、數(shù)據(jù)FIFO、地址FIFO、主控模塊的實現(xiàn)方法。具體論述了時鐘控制模塊的實現(xiàn)方法,給出了狀態(tài)控制模塊中頁讀取、頁編程、塊擦除、ID讀取、重置、狀態(tài)讀取、查錯等指令的狀態(tài)機設計實現(xiàn)過程。根據(jù)ECC算法實現(xiàn)原理,詳... 

【文章來源】：湖南大學湖南省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：92 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

命令字鎖存AC特性參數(shù)指示圖

數(shù)據(jù)鎖存AC特性參數(shù)指示圖

基于OPB總線的NAND FLASH控制器設計與驗證有不同的總線寬度及時序要求的外設和內(nèi)存，以使這些外設和內(nèi)存能夠盡量對PLB性能的影響。通常，一些低性能的設備都連接在OPB總線上。在PLBB之間有一個OPB橋，用來實現(xiàn)PLB主設備與OPB從設備之間的數(shù)據(jù)傳輸reConnect總線中的DCR總線主要用來配置PLB和OPB主/從設備中的狀態(tài)寄和控制寄存器，該總線可以使PLB從低性能狀態(tài)中減小負荷，更有效的控制傳輸。DCR總線取消了內(nèi)存地址映射配置寄存器，因此，可以減少讀取操作加處理器內(nèi)部總線的帶寬。CoreConnect總線是一種完整的、通用的解決方案被認為是一種很好的結(jié)構性總線，主要應用于高性能嵌入式系統(tǒng)的設計[14-17]

【參考文獻】：
期刊論文
[1]使用組合協(xié)議邏輯PCL驗證Amended Needham-Schroeder協(xié)議[J]. 劉鋒,李舟軍,周倜,李夢君.  計算機工程與科學. 2008(11)
[2]并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應用[J]. 趙飛,王炎,付瑜.  單片機與嵌入式系統(tǒng)應用. 2008(09)
[3]漢明碼糾錯檢錯能力分析與應用[J]. 辛英.  鹽城工學院學報(自然科學版). 2008(01)
[4]基于FPGA的K9F2G08U0M NandFLASH控制器設計[J]. 王崇劍,李玉山.  電子元器件應用. 2008(03)
[5]基于FPGA的K9F2G08U0M NandFLASH控制器設計[J]. 王崇劍,李玉山.  電子元器件應用. 2008 (03)
[6]基于Verilog HDL的有限狀態(tài)機設計與描述[J]. 劉小平,何云斌,董懷國.  計算機工程與設計. 2008(04)
[7]基于AMBA總線的NAND FLASH控制器軟硬件劃分設計[J]. 肖鵬,劉新寧,杜洪華.  現(xiàn)代電子技術. 2008(02)
[8]基于扇區(qū)映射的NOR flash磁盤模擬方法[J]. 朱海東,王新社.  計算機工程與設計. 2007(24)
[9]漢明碼編譯碼的FPGA設計與實現(xiàn)[J]. 盛孟剛.  山西電子技術. 2007(06)
[10]基于不同類型Flash-ROM的Bootloader設計[J]. 張起貴,裴科,張剛,趙哲峰.  計算機工程與應用. 2007(33)



本文編號：3607709