采用熱注入法制備了粒徑為7.9 nm的Cu₁₂Sb₄S₁₃量子點(diǎn)（CAS QDs）,并利用旋涂法在室溫下制備了結(jié)構(gòu)為FTO/CAS QDs/Au（其中FTO為導(dǎo)電玻璃）的阻變存儲器（RRAM）.在光照條件下,該三明治結(jié)構(gòu)的RRAM呈現(xiàn)典型的雙極性阻變開關(guān)特征,具有-0.38 V/0.42 V的低工作電壓和10⁵的高阻變開關(guān)比,并表現(xiàn)出優(yōu)異的數(shù)據(jù)保持性和耐久性.在持續(xù)工作1.4×10⁶s和經(jīng)過10⁴次快速讀取后,器件阻變性能變化率小于0.1%.在光照和電場共同作用下,S^2-導(dǎo)電通道的形成與破壞和FTO/CAS QDs界面肖特基勢壘高度的調(diào)制是FTO/CAS QDs/Au在高阻態(tài)與低阻態(tài)之間轉(zhuǎn)變的原因. 

【文章來源】：高等學(xué)校化學(xué)學(xué)報. 2020,41(08)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：9 頁

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)部分
    1.1 試劑與儀器
    1.2 實(shí)驗(yàn)過程
2 結(jié)果與討論
    2.1 CAS QDs的表征
    2.2 CAS QDs的光照增強(qiáng)阻變性能
    2.3 0-D CAS QDs的阻變機(jī)理
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]溶液法制備圖案化量子點(diǎn)薄膜的研究進(jìn)展[J]. 張敏,劉歡.  高等學(xué)�；瘜W(xué)學(xué)報. 2020(03)
[2]液體石蠟體系中CdSeS三元量子點(diǎn)的制備及性能[J]. 張德龍,李萬萬,王解兵,孫康.  高等學(xué)�；瘜W(xué)學(xué)報. 2012(07)



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