采用熱注入法制備了粒徑為7.9 nm的Cu₁₂Sb₄S₁₃量子點（CAS QDs）,并利用旋涂法在室溫下制備了結構為FTO/CAS QDs/Au（其中FTO為導電玻璃）的阻變存儲器（RRAM）.在光照條件下,該三明治結構的RRAM呈現(xiàn)典型的雙極性阻變開關特征,具有-0.38 V/0.42 V的低工作電壓和10⁵的高阻變開關比,并表現(xiàn)出優(yōu)異的數(shù)據(jù)保持性和耐久性.在持續(xù)工作1.4×10⁶s和經(jīng)過10⁴次快速讀取后,器件阻變性能變化率小于0.1%.在光照和電場共同作用下,S^2-導電通道的形成與破壞和FTO/CAS QDs界面肖特基勢壘高度的調制是FTO/CAS QDs/Au在高阻態(tài)與低阻態(tài)之間轉變的原因. 

【文章來源】：高等學�；瘜W學報. 2020,41(08)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：9 頁

【文章目錄】：
1 實驗部分
    1.1 試劑與儀器
    1.2 實驗過程
2 結果與討論
    2.1 CAS QDs的表征
    2.2 CAS QDs的光照增強阻變性能
    2.3 0-D CAS QDs的阻變機理
3 結論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]溶液法制備圖案化量子點薄膜的研究進展[J]. 張敏,劉歡.  高等學�；瘜W學報. 2020(03)
[2]液體石蠟體系中CdSeS三元量子點的制備及性能[J]. 張德龍,李萬萬,王解兵,孫康.  高等學校化學學報. 2012(07)



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