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基于雜化駐極體的高性能有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器的研究

發(fā)布時(shí)間:2021-12-22 08:26
  物聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)時(shí)代的來臨對(duì)存儲(chǔ)器提出了更高的功能性和集成度要求,有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器因具有成本低、非破壞性讀取、易于與電子電路集成以及可大面積柔性制備等優(yōu)點(diǎn)而備受青睞。近年來,為了制備出大容量、高穩(wěn)定性的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器,研究者們致力于開發(fā)新型電荷存儲(chǔ)材料、優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)、調(diào)控界面形貌等工作,但器件的存儲(chǔ)容量、可靠性以及耐受性等方面仍然有待提高。本論文選取新型的雜化駐極體材料作為研究對(duì)象,并從薄膜形貌、器件結(jié)構(gòu)等方面探究其對(duì)器件性能的影響。主要研究?jī)?nèi)容和成果如下:本論文首先研究了兩種側(cè)鏈PS長(zhǎng)度的有機(jī)無機(jī)雜化多酸簇材料CSPS-1和CSPS-2對(duì)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器存儲(chǔ)性能的影響。研究發(fā)現(xiàn)隨著側(cè)鏈PS的增加,器件具有更高的的載流子遷移率,更大的存儲(chǔ)窗口,更穩(wěn)定的維持時(shí)間特性以及更可靠的耐受性,因此篩選出存儲(chǔ)性能更為優(yōu)異的CSPS-2作為下一步界面形貌和器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化的研究對(duì)象。此外,通過與單純PS薄膜器件的對(duì)比實(shí)驗(yàn),進(jìn)一步證明多酸簇材料中的核Co W具有較強(qiáng)的俘獲空穴的能力,而側(cè)鏈PS具有較強(qiáng)的俘獲電子的能力,使得由此制備的器件具有雙極性存儲(chǔ)性能,并能有效的阻止電荷逃逸。其次,通... 

【文章來源】:南京郵電大學(xué)江蘇省

【文章頁數(shù)】:78 頁

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

基于雜化駐極體的高性能有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器的研究


有機(jī)電子學(xué)的廣泛應(yīng)用

輸出特性曲線,有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,轉(zhuǎn)移特性曲線,輸出特性曲線


存儲(chǔ)器的主要性能參數(shù)包括場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性參數(shù)和存儲(chǔ)特性參數(shù)。其中,場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性參數(shù)主要包括載流子遷移率(μ)、閾值電壓(VTH)、電流開關(guān)比(ION/IOFF)。存儲(chǔ)特性參數(shù)主要包括存儲(chǔ)窗口、維持時(shí)間和讀寫擦循環(huán)。(1)場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性參數(shù)可以從器件的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線中獲得,如圖 1.2 所示,通過計(jì)算可以得到器件的載流子遷移率、閾值電壓和電流開關(guān)比。載流子遷移率是評(píng)價(jià)載流子在電場(chǎng)作用下移動(dòng)傳輸難易程度的重要參數(shù),載流子遷移率越高,器件開關(guān)速度越快。閾值電壓是指使器件導(dǎo)電溝道剛剛連接可以產(chǎn)生移動(dòng)電荷,使得器件導(dǎo)通的最小柵壓,器件的閾值電壓越小,驅(qū)動(dòng)電壓就越小,能耗就越低[30]。電流開關(guān)比是指器件分別在開狀態(tài)和關(guān)狀態(tài)下對(duì)應(yīng)的源漏電壓下的電流比值,電流開關(guān)比越高,器件的開關(guān)能力就越強(qiáng),表明器件的穩(wěn)定性越好。對(duì)于有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器,電流開關(guān)比越大,器件的穩(wěn)定性和可靠性越高,抗干擾能力越強(qiáng),并且可以在不增加器件單元的基礎(chǔ)上提高電荷存儲(chǔ)密度,實(shí)現(xiàn)多階存儲(chǔ)。

有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,轉(zhuǎn)移特性曲線,存儲(chǔ)器


圖 1.4 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)轉(zhuǎn)移特性曲線。間是通過固定有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器的讀取電壓,分別觀察器件在源漏電流隨時(shí)間的變化情況,如圖 1.5 所示,是衡量器件在寫入狀的電荷的保持能力,反映器件存儲(chǔ)穩(wěn)定性的重要參數(shù)。在實(shí)驗(yàn)測(cè)試過 104s,源漏電流衰減率越小,表明存儲(chǔ)功能層越能阻礙電荷的逃逸。

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]柔性有機(jī)非易失性場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器的研究進(jìn)展[J]. 柴玉華,郭玉秀,卞偉,李雯,楊濤,儀明東,范曲立,解令海,黃維.  物理學(xué)報(bào). 2014(02)
[2]有機(jī)/聚合物電存儲(chǔ)器及其作用機(jī)制[J]. 劉舉慶,陳淑芬,陳琳,解令海,錢妍,凌啟淡,黃維.  科學(xué)通報(bào). 2009(22)



本文編號(hào):3546083

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