當(dāng)前,最廣泛使用的存儲(chǔ)器是Flash閃存,但是目前Flash閃存面臨著尺寸難以繼續(xù)縮小的發(fā)展瓶頸。另一方面,隨著網(wǎng)絡(luò)技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)以及各種大眾消費(fèi)類電子產(chǎn)品的發(fā)展,非易失存儲(chǔ)器的需求越來(lái)越大。傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器器件面臨著存儲(chǔ)密度低、加工成本高、器件制備工藝復(fù)雜等問(wèn)題已經(jīng)不能滿足未來(lái)的發(fā)展需要。為了解決這個(gè)難題,科學(xué)家們對(duì)下一代非易失存儲(chǔ)器進(jìn)行了大量探索研究,包括磁存儲(chǔ)器件、鐵電存儲(chǔ)器件、相變存儲(chǔ)器件和阻變存儲(chǔ)器件。而這其中,阻變存儲(chǔ)器（RRAM）由于只需要在兩端電極間施加一定的電壓就可以實(shí)現(xiàn)電阻在高低阻態(tài)之間的轉(zhuǎn)換,它與其他的非易失性存儲(chǔ)器相互比較起來(lái)的話,阻變存儲(chǔ)器具有非常大的優(yōu)點(diǎn),而且其尺寸有著繼續(xù)縮小的潛力,同時(shí)在保持特性以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)上都具有非常大的優(yōu)勢(shì)。并且與現(xiàn)有的CMOS工藝兼容性好,被普遍認(rèn)為是最有希望成為下一代高密度非易失性存儲(chǔ)器。RRAM器件的結(jié)構(gòu)是典型的電極/材料/電極的三層結(jié)構(gòu)。在金屬氧化物、金屬硫化物、有機(jī)物和鈣鈦礦氧化物等中均發(fā)現(xiàn)了電阻轉(zhuǎn)變效應(yīng)。按照阻變存儲(chǔ)材料的維度可以分為,一維材料,二維材料和三維材料。相比較于高維度材料有很多特點(diǎn)。本課題采用量子點(diǎn)材料作為阻變器... 

【文章來(lái)源】：重慶大學(xué)重慶市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

共焦激光掃描顯微鏡下的GQDs標(biāo)記的人類肺癌MCF-7細(xì)胞的圖像（a）熒光圖像（b）

重慶大學(xué)碩士學(xué)位論文 1 緒 論②石墨烯量子點(diǎn)的藥物傳送應(yīng)用GQDs 也可以用來(lái)作為輸送藥物的載體，其表現(xiàn)出來(lái)了非常好的輸送性能[92]。當(dāng) PH=7，負(fù)載抗癌藥阿霉素濃度為 2.5mg/ml。透明質(zhì)酸分子被瞄定到 GQDs 上，靶向運(yùn)輸?shù)侥[瘤細(xì)胞。③石墨烯量子點(diǎn)的傳感器應(yīng)用Wang 等人[93]報(bào)道了 GQDs 用于 Fe3+檢測(cè)。如圖 1.2，單純的 GQDs 的熒光和加入了 Fe3+的 GQDs 熒光。從圖中可以觀察出，加入后，GQDs 熒光幾乎完全猝滅。

重慶大學(xué)碩士學(xué)位論文 2 實(shí)驗(yàn)部分備用，并使樣品一直處于攪拌中。將 19.5 毫克的硫粉和 200 微升的油胺混合放在小口瓶中，放在加熱臺(tái)上加熱到 120 攝氏度；將 334.4 毫克的硬脂酸鋅、800 微升的十八烯和 200 微升的油胺混合在一起放在小口瓶中并在加熱臺(tái)上加熱到 120 攝氏度。先用注射器將 120 攝氏度的硫源注射到三頸瓶中，然后迅速將 120 攝氏度的鋅源注射到三頸瓶中，然后在氮?dú)猸h(huán)境中攪拌加熱 5 分鐘。5 分鐘之后，用甲苯和無(wú)水乙醇反復(fù)離心、洗滌并提純，最后得到純凈的 AgInZnS 量子點(diǎn)，制作流程如圖 2.1 所示。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Investigation of resistive switching behaviours in WO3-based RRAM devices[J]. 李穎弢,龍世兵,呂杭炳,劉琦,王琴,王艷,張森,連文泰,劉肅,劉明.  Chinese Physics B. 2011(01)

博士論文
[1]二元過(guò)渡金屬氧化物的阻變存儲(chǔ)器研究[D]. 謝宏偉.蘭州大學(xué) 2013
[2]基于二元金屬氧化物的阻變存儲(chǔ)器研究[D]. 王艷.蘭州大學(xué) 2012



本文編號(hào)：3529308