隨著我國(guó)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,物聯(lián)網(wǎng)在加快經(jīng)濟(jì)發(fā)展、社會(huì)民生方面發(fā)揮著重要作用。基于無線射頻識(shí)別技術(shù)（RFID——Radio Frequency Identification）在物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)中的重要作用,RFID技術(shù)也在這一發(fā)展背景下得到了深入研究。RFID標(biāo)簽芯片中,EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）用于數(shù)據(jù)信息的存儲(chǔ)以及改寫,對(duì)RFID標(biāo)簽的操作即為對(duì)EEPROM存儲(chǔ)器的操作。因此RFID標(biāo)簽的性能與EEPROM存儲(chǔ)器的性能好壞密切相關(guān)。本文對(duì)EEPROM存儲(chǔ)器的關(guān)鍵電路進(jìn)行研究分析,通過對(duì)部分電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)來改善RFID標(biāo)簽的整體性能。首先,本文詳細(xì)闡述了EEPROM存儲(chǔ)單元的理論原理,并結(jié)合等效電容模型分析了三種操作模式下存儲(chǔ)單元的工作原理。對(duì)EEPROM存儲(chǔ)器的系統(tǒng)原理進(jìn)行分析說明,并從電路功能角度對(duì)EEPROM存儲(chǔ)器的整體結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析,以便于理解芯片的功能實(shí)現(xiàn)方式。其次,對(duì)高壓產(chǎn)生電路的電荷泵、時(shí)鐘產(chǎn)生電路以及穩(wěn)壓電路三個(gè)子模塊分別進(jìn)行研究分析。通過對(duì)全PMOS襯底浮空電荷泵的輸入級(jí)、輸出... 

【文章來源】：西南交通大學(xué)四川省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：67 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

電荷泵聯(lián)合時(shí)鐘電路仿真電路圖

減小了升壓峰值電流。3.3.3 電路仿真驗(yàn)證為了驗(yàn)證穩(wěn)壓電路的性能對(duì)穩(wěn)壓電路進(jìn)行仿真分析，圖 3-21 為穩(wěn)壓電路的實(shí)際仿真電路圖。圖 3-21 穩(wěn)壓電路電路仿真圖圖 3-22 為升壓過程中采樣電壓的變化曲線，采樣電壓與基準(zhǔn)電壓作為比較器的正負(fù)輸入決定比較器的輸出。

西南交通大學(xué)碩士學(xué)位論文 第 36 頁輸出電壓為 16.33 V，在 ff 工藝角下輸出電壓為 16.42 V，與芯片設(shè)計(jì)要求高壓值 15±0.5V 有最高 0.12 V 的偏差。其中，為了比較穩(wěn)壓電路對(duì)高壓產(chǎn)生電路的影響，將工藝角下的電路輸出電壓曲線與前文圖 3-17 中電荷泵聯(lián)合時(shí)鐘產(chǎn)生電路的仿真結(jié)果進(jìn)行比對(duì)得到圖 3-25 所示仿真圖。

【參考文獻(xiàn)】：
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