磁存儲(chǔ)技術(shù)由于其存儲(chǔ)容量大，不易丟失數(shù)據(jù)，并且也是最經(jīng)濟(jì)的存儲(chǔ)方法等原因得到廣泛應(yīng)用。硬盤(pán)是磁存儲(chǔ)技術(shù)最典型應(yīng)用，硬盤(pán)主要由磁頭和盤(pán)面兩部分組成，為了提高磁盤(pán)存儲(chǔ)容量，磁頭與盤(pán)面間飛行高度已降到10nm以內(nèi)。由于磁頭與磁盤(pán)間距過(guò)于微小，當(dāng)硬盤(pán)受到外力激勵(lì)產(chǎn)生振動(dòng)或者偶然的沖擊、顛簸時(shí)，磁頭與磁盤(pán)會(huì)發(fā)生瞬態(tài)接觸，可能會(huì)導(dǎo)致存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的丟失，也會(huì)大大降低硬盤(pán)使用壽命。在瞬態(tài)接觸過(guò)程中，磁頭與磁盤(pán)表面的DLC層直接接觸，發(fā)生接觸、壓入、摩擦、刻劃等一系列復(fù)雜力學(xué)作用過(guò)程。通常地，可以利用Hertz理論研究磁頭與盤(pán)面的彈性接觸過(guò)程。但傳統(tǒng)Hertz理論未考慮多層結(jié)構(gòu)、粘附力等因素影響。另外，目前國(guó)內(nèi)外對(duì)于磁頭與盤(pán)面的瞬態(tài)接觸仿真分析通常采用有限元分析的方法，但是對(duì)于只有幾層原子組成的DLC保護(hù)膜來(lái)說(shuō)，有限元分析方法無(wú)法從微觀的原子尺度上解釋DLC摩擦磨損機(jī)理。因此，本文采取了理論分析、有限元模擬及分子動(dòng)力學(xué)模擬相結(jié)合的方法，研究磁頭與盤(pán)面瞬態(tài)接觸過(guò)程以及DLC涂層對(duì)接觸過(guò)程的影響，具體的研究包括以下幾個(gè)方面：建立磁頭和盤(pán)面瞬態(tài)接觸的理論模型，考慮磁頭與盤(pán)面接觸過(guò)程中多層結(jié)構(gòu)和粘附力的影響，對(duì)傳統(tǒng)... 

【文章來(lái)源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：74 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

磁頭/盤(pán)面瞬態(tài)接觸原理圖

碳原子價(jià)電子雜化示意圖

平面三角形碳原子雜化相圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]多尺度方法在微/納接觸行為模擬中的應(yīng)用進(jìn)展[J]. 吳聰穎,段芳莉,郭其超.  材料導(dǎo)報(bào). 2011(15)
[2]磁頭DLC保護(hù)膜的研究現(xiàn)狀[J]. 劉宏華,尹云飛,王平.  材料導(dǎo)報(bào). 2008(11)
[3]超薄磁盤(pán)保護(hù)膜的制備技術(shù)[J]. 李艷琴,丁萬(wàn)昱,鄧新綠,董闖,徐軍,陳小猛.  真空. 2005(05)
[4]磁記錄技術(shù)的新發(fā)展[J]. 孫維平.  信息記錄材料. 2004(01)
[5]硬盤(pán)的結(jié)構(gòu)和原理[J]. 孫華瑩.  電腦界.應(yīng)用文萃. 2000(05)

博士論文
[1]硬盤(pán)懸架窩點(diǎn)與撓臂的接觸力學(xué)行為及微動(dòng)磨損機(jī)理研究[D]. 李隆球.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2010
[2]離子間相互作用勢(shì)的研究及其在固體電解質(zhì)GDC中的應(yīng)用[D]. 崔志偉.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2010

碩士論文
[1]基于分子動(dòng)力學(xué)的納米薄膜力學(xué)行為研究[D]. 賈丁.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2012
[2]硬盤(pán)磁頭/圖案化盤(pán)面瞬態(tài)接觸的熱力場(chǎng)耦合研究[D]. 張春暉.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2011
[3]金剛石薄膜和類金剛石薄膜摩擦學(xué)性能試驗(yàn)及其應(yīng)用研究[D]. 張東燦.上海交通大學(xué) 2010
[4]硬盤(pán)磁頭懸架窩點(diǎn)與舌尖的微動(dòng)接觸力學(xué)分析及仿真研究[D]. 王林.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2009



本文編號(hào)：3372020