發(fā)布時(shí)間：2021-08-21 16:28

　　采用磁控濺射法制備了Zr含量占比為0.134和0.156的TiN/Hf_xZr_1-xO₂/TiN結(jié)構(gòu)的薄膜器件。對(duì)該器件進(jìn)行了不同條件下的退火實(shí)驗(yàn)。研究了Hf_xZr_1-xO₂器件的電流、極化和循環(huán)特性,以及特性隨退火溫度和退火時(shí)間改變的變化規(guī)律,并結(jié)合微觀結(jié)構(gòu)表征手段,對(duì)器件特性隨退火條件變化的規(guī)律做出了解釋。在此基礎(chǔ)上,總結(jié)出濺射法制備氧化鉿鋯薄膜的適用退火條件。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,當(dāng)退火溫度低于氧化鉿的居里溫度時(shí),退火后的器件仍表現(xiàn)出順電性而不具有鐵電性。Zr含量為0.156的Hf_xZr_1-xO₂器件在氧氣中快速退火的最佳退火條件為:溫度600℃、退火時(shí)間50 s。適當(dāng)延長(zhǎng)退火時(shí)間可以提高器件性能。 

【文章來源】：微電子學(xué). 2020,50(02)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
0 引 言
1 實(shí)驗(yàn)過程
2 實(shí)驗(yàn)過程和結(jié)果
    2.1 退火溫度對(duì)TiN/HfxZr1-xO2/TiN器件電性能的影響
    2.2 退火時(shí)長(zhǎng)對(duì)TiN/HfxZr1-xO2/TiN器件電極化性能的影響
    2.3 TiN/HfxZr1-xO2/TiN器件的循環(huán)性能
3 結(jié) 論



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