基于磁隧道結(jié)的磁隨機(jī)存儲(chǔ)器的巨大市場潛力有望取代傳統(tǒng)的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,成為新一代通用存儲(chǔ)器。非晶重稀土-過渡合金薄膜具有良好的垂直磁各向異性和穩(wěn)定性,可應(yīng)用于磁隨機(jī)存儲(chǔ)器領(lǐng)域。其中GdFeCo、TbFeCo等傳統(tǒng)磁光存儲(chǔ)介質(zhì)薄膜目前也廣泛應(yīng)用于熱點(diǎn)超快磁記錄和磁電器件上,研究其制備方法和垂直磁特性具有非常重要的意義。基于以上現(xiàn)狀,本論文成功制備了稀土-過渡金屬（Gd,Tb）-FeCo薄膜以及軟/硬磁多層膜結(jié)構(gòu),系統(tǒng)的研究了薄膜和多層膜的磁電特性。主要研究內(nèi)容和結(jié)論如下:首先,復(fù)合靶采取FeCo合金靶和稀土Gd貼片的組合方式,通過射頻磁控濺射制備了一系列非晶GdFeCo薄膜。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,濺射功率能夠有效調(diào)節(jié)薄膜磁特性,隨著濺射功率的增加,薄膜磁特性由富過渡（TM-rich）向富稀土（RE-rich）轉(zhuǎn)變。這歸因于濺射功率對(duì)非晶GdFeCo薄膜成分的微調(diào),并通過熱磁曲線的測量得到驗(yàn)證。其次,制備了結(jié)構(gòu)為Si/Ta/MgO/GdFeCo/MgO多層膜樣品。MgO作為電介質(zhì)層,使得多層膜結(jié)構(gòu)可施加適當(dāng)外加電場。利用極向磁光克爾效應(yīng)表征方法,研究了電場對(duì)薄膜磁電特性的影響。結(jié)果表明,負(fù)偏... 

【文章來源】：華僑大學(xué)福建省

【文章頁數(shù)】：59 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

(a)平面結(jié)構(gòu)磁隧道結(jié)示意圖；(b)垂直結(jié)構(gòu)磁隧道結(jié)示意圖

基于自旋轉(zhuǎn)移矩的磁隨機(jī)存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)示意圖

自旋轉(zhuǎn)移矩原理示意圖

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號(hào)：3343131