隨著集成電路的快速發(fā)展,傳統(tǒng)的Flash存儲器面臨著物理極限,因此急需尋找下一代非易失性存儲器。其中阻變存儲器因其結(jié)構(gòu)簡單、讀取速度快、功耗低、與現(xiàn)有的CMOS工藝兼容等優(yōu)點,被認為是最具潛力的下一代非易失性存儲器之一。本文首先研究了CuO薄膜的制備條件,采用射頻磁控濺射的方法,通過利用不同反應條件（氧氣流量為1sccm,2sccm,3sccm,4sccm,5sccm,6sccm,7sccm,9sccm,12sccm,15sccm）濺射了Cu氧化物薄膜,發(fā)現(xiàn)在氧氣流量為2sccm,3sccm,4sccm,5sccm,6sccm,7sccm時,制備的薄膜為氧化銅薄膜,并通過X射線衍射儀、原子力顯微鏡等手段對所制備的薄膜進行了表征,發(fā)現(xiàn)在氧氣流量為5sccm時,薄膜的結(jié)晶質(zhì)量最好。同時研究了CuO薄膜的光學性能,發(fā)現(xiàn)在入射波波長為850nm時,薄膜的透過率達到最大。其次,我們研究了不同濺射壓強下薄膜的結(jié)晶質(zhì)量與透過率的關(guān)系,發(fā)現(xiàn)結(jié)晶度較好的薄膜其透過率較高,結(jié)晶度較差的薄膜其透過率較低。最后,我們研究了電極（Cu,W）和氧氣流量（2sccm,3sccm,4sccm,5sccm,6sccm,... 

【文章來源】：暨南大學廣東省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：64 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

（a）Flash存儲器的結(jié)構(gòu)單元示意圖（b）Flash存儲器的工作原理

暨南大學碩士學位論文（高電阻態(tài)）之間切換，從而實現(xiàn)“1”、“0”存儲的功能[17]。因為對它施加的，磁化方向就不會改變，所以磁存儲器也是一種非易失性存儲器。但是隨著尺寸的微縮和集成度的提升，在 COMS 兼容和工藝制備上面臨著新的挑戰(zhàn) 自身的制造成本高，從而限制了 MRAM 的發(fā)展[17]。

圖 1-3 PCRAM 器件的工作原理示意圖[20].3 鐵電存儲器（FeRAM）鐵電存儲器（Ferroelectric RAM，簡稱 FeRAM）是利用鐵電材料的極化特性來進行存儲的。其工作原理如圖 1-4 所示，在外電場的作用下，鐵電材料發(fā)生極化現(xiàn)象。當撤去以后，鐵電材料依舊存在著剩余極化電荷，且其方向與原極化方向一致，表現(xiàn)為滯回線特性。鐵電存儲器就是利用這一電滯回線特性來進行數(shù)據(jù)存儲的，并且具有非失性。但鐵電存儲器也面臨著尺寸縮小、集成度難以提高以及和傳統(tǒng) CMOS 工藝難容的問題[21]。

【參考文獻】：
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