P3HT/PMMA雙層聚合物電雙穩(wěn)器件的研究
發(fā)布時(shí)間:2021-07-22 14:43
通過逐層旋涂的方法,制備了P3HT(poly(3-hexylthiophene))與PMMA(poly(methylmethacrylate))雙層器件,并與二者的共混溶液制備的器件進(jìn)行了性能對(duì)比。利用掃描電鏡(SEM)表征了雙層器件的橫截面形貌;利用電流-電壓(I-V)以及電流-讀取次數(shù)(I-t)測試,測量了兩種器件的開關(guān)比以及持續(xù)時(shí)間特性。其中,雙層器件具有更好的開關(guān)比,可達(dá)1×103,同時(shí)反復(fù)讀寫測試表明器件性能非常穩(wěn)定。為了解釋電雙穩(wěn)現(xiàn)象產(chǎn)生的機(jī)理,對(duì)雙層結(jié)構(gòu)器件的電流-電壓曲線進(jìn)行了線性擬合,利用器件的能級(jí)圖進(jìn)行分析,得出了電荷在器件中的傳輸過程。研究結(jié)果表明,可以通過電荷俘獲釋放理論解釋P3HT/PMMA雙層器件電雙穩(wěn)特性產(chǎn)生的機(jī)理。
【文章來源】:發(fā)光學(xué)報(bào). 2016,37(09)北大核心EICSCD
【文章頁數(shù)】:7 頁
【部分圖文】:
P3HT與PMMA雙層器件結(jié)構(gòu)圖;(b)雙層器件橫截面的SEM圖
1092發(fā)光學(xué)報(bào)第37卷3結(jié)果與討論圖2為這4種結(jié)構(gòu)器件的I-V特性曲線。顯然,圖2(a)、(b)中純P3HT和純PMMA單層器件都沒有電雙穩(wěn)特征,而圖2(c)、(d)中的雙層器件及共混器件都展現(xiàn)出了明顯的電雙穩(wěn)特性,可見P3HT與PMMA的結(jié)合是產(chǎn)生電雙穩(wěn)特性的關(guān)鍵。在實(shí)驗(yàn)中,我們也對(duì)PMMA進(jìn)行了不同退火溫度的處理對(duì)比,不過對(duì)器件性能并沒有明顯影響。在雙層器件上施加-10~10V的掃描電壓,如圖2(c)所示,這一循環(huán)掃描使器件產(chǎn)生了典型的電雙穩(wěn)特性,即I-V曲線有高導(dǎo)電態(tài)和低導(dǎo)電態(tài)之分,且區(qū)別明顯,這是電雙穩(wěn)器件的一個(gè)重要特征[19],其中高導(dǎo)電態(tài)對(duì)應(yīng)器件的ON態(tài),而低導(dǎo)電態(tài)對(duì)應(yīng)著OFF態(tài)。如圖所示,當(dāng)在負(fù)電壓區(qū)施加掃描電壓時(shí),器件在-6V處產(chǎn)生突變,由OFF態(tài)變?yōu)镺N態(tài),我們將-6V定義為寫入電壓;同理,當(dāng)掃描電壓從-10V過渡到10V后,器件在正電壓區(qū)再次還原為OFF態(tài),10V被定義為擦除電壓。電雙穩(wěn)器件工作的過程,便是不斷寫入-讀取-擦除-讀取的過程,因此穩(wěn)定性是表征器件性能的一個(gè)重要參數(shù)。同時(shí),同一電壓下ON/OFF態(tài)的電流比,即開關(guān)比,也是描述器件性能的一個(gè)重要參數(shù)。在圖2(c)中,器件在3V處的開關(guān)比可達(dá)到1×103。10010-1-1515V/VI/A-10-5051010-210-310-410-510-610-7(a)10-4-1515V/VI/A-10-5051010-510-710-810-910-10(b)10-1110-610-310-210-210-310V/VI/A-8-402410-510-610-710-810-910-10(c)10-4-54V/VI/A-401310-510-710-810-9(d)10-610-4ONOFF-10-6-268-3-2-125ONOFF圖2不同結(jié)構(gòu)器件的I-V特
第9期彭博,等:P3HT/PMMA雙層聚合物電雙穩(wěn)器件的研究1093單獨(dú)旋涂的PMMA層比相分離產(chǎn)生的PMMA層具有更好的介電效果,因此需要更高的電壓激勵(lì),電荷才會(huì)在器件中隧穿過PMMA,產(chǎn)生電雙穩(wěn)效應(yīng)。為了表征雙層器件的穩(wěn)定性,且與共混器件進(jìn)行對(duì)比,我們對(duì)二者都進(jìn)行了重復(fù)讀取測試,結(jié)果如圖3所示。在測試中,我們首先給器件施加一個(gè)寫入電壓,使器件變?yōu)镺N態(tài),之后不斷給器件施加讀取電壓,時(shí)間間隔為0.1s,并記錄下對(duì)應(yīng)的電流值,重復(fù)500次后停止。接下來,給器件施加一個(gè)擦除電壓,讓器件還原為OFF態(tài),同樣再給器件施加讀取電壓,記錄對(duì)應(yīng)的電流值,再重復(fù)500次,結(jié)束后將電流和重復(fù)讀取次數(shù)繪成I-t圖。從圖中可以看出,兩種結(jié)構(gòu)的器件都有著很好的穩(wěn)定性,且雙層器件的結(jié)果更優(yōu)秀。這兩種器件在測試中,不論是經(jīng)過寫入還是擦除之后的狀態(tài),都可以多次重復(fù)讀取,并維持住穩(wěn)定的電流值以及開關(guān)比。雙層器件在±10V下寫入和擦除,在3V下分別讀取,開關(guān)比保持在1×103;共混器件在±5V下寫入和擦除,在2V下分別讀取,開關(guān)比保持在10左右?梢,我們利用垂直溶劑法制備的雙層器件,性能并不輸于有著相分離效應(yīng)的共混器件。這兩種器件均可以進(jìn)行多次重復(fù)使用,且在撤銷電壓后,依舊保持住ON態(tài)或者OFF態(tài),這對(duì)于電雙穩(wěn)器件的實(shí)際應(yīng)用有著很重要的意義。500I/A10020030040010-410-510-610-7(a)ONOFF0t500I/A10020030040010-510-6(b)ONOFF0t圖3雙層器件(a)和共混器件(b)的重復(fù)讀取測試圖Fig.3I-tmeasurementofbilayerdevice(a)andhybridblenddevice(b),respectively.為了進(jìn)一步分析雙層器件的工作過程,我們對(duì)器件的I-V曲線在不同電壓范圍下進(jìn)行了線性擬合。?
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]膽甾液晶應(yīng)用于P3HT∶PCBM聚合物光伏器件研究[J]. 姜璐璐,劉海瑞,李夢菲,李萌,蔣玉榮,馬恒. 液晶與顯示. 2015(04)
[2]RR-P3HT和PCBM混合薄膜中的長壽命光激發(fā)態(tài)研究[J]. 沙春芳. 光子學(xué)報(bào). 2014(05)
本文編號(hào):3297346
【文章來源】:發(fā)光學(xué)報(bào). 2016,37(09)北大核心EICSCD
【文章頁數(shù)】:7 頁
【部分圖文】:
P3HT與PMMA雙層器件結(jié)構(gòu)圖;(b)雙層器件橫截面的SEM圖
1092發(fā)光學(xué)報(bào)第37卷3結(jié)果與討論圖2為這4種結(jié)構(gòu)器件的I-V特性曲線。顯然,圖2(a)、(b)中純P3HT和純PMMA單層器件都沒有電雙穩(wěn)特征,而圖2(c)、(d)中的雙層器件及共混器件都展現(xiàn)出了明顯的電雙穩(wěn)特性,可見P3HT與PMMA的結(jié)合是產(chǎn)生電雙穩(wěn)特性的關(guān)鍵。在實(shí)驗(yàn)中,我們也對(duì)PMMA進(jìn)行了不同退火溫度的處理對(duì)比,不過對(duì)器件性能并沒有明顯影響。在雙層器件上施加-10~10V的掃描電壓,如圖2(c)所示,這一循環(huán)掃描使器件產(chǎn)生了典型的電雙穩(wěn)特性,即I-V曲線有高導(dǎo)電態(tài)和低導(dǎo)電態(tài)之分,且區(qū)別明顯,這是電雙穩(wěn)器件的一個(gè)重要特征[19],其中高導(dǎo)電態(tài)對(duì)應(yīng)器件的ON態(tài),而低導(dǎo)電態(tài)對(duì)應(yīng)著OFF態(tài)。如圖所示,當(dāng)在負(fù)電壓區(qū)施加掃描電壓時(shí),器件在-6V處產(chǎn)生突變,由OFF態(tài)變?yōu)镺N態(tài),我們將-6V定義為寫入電壓;同理,當(dāng)掃描電壓從-10V過渡到10V后,器件在正電壓區(qū)再次還原為OFF態(tài),10V被定義為擦除電壓。電雙穩(wěn)器件工作的過程,便是不斷寫入-讀取-擦除-讀取的過程,因此穩(wěn)定性是表征器件性能的一個(gè)重要參數(shù)。同時(shí),同一電壓下ON/OFF態(tài)的電流比,即開關(guān)比,也是描述器件性能的一個(gè)重要參數(shù)。在圖2(c)中,器件在3V處的開關(guān)比可達(dá)到1×103。10010-1-1515V/VI/A-10-5051010-210-310-410-510-610-7(a)10-4-1515V/VI/A-10-5051010-510-710-810-910-10(b)10-1110-610-310-210-210-310V/VI/A-8-402410-510-610-710-810-910-10(c)10-4-54V/VI/A-401310-510-710-810-9(d)10-610-4ONOFF-10-6-268-3-2-125ONOFF圖2不同結(jié)構(gòu)器件的I-V特
第9期彭博,等:P3HT/PMMA雙層聚合物電雙穩(wěn)器件的研究1093單獨(dú)旋涂的PMMA層比相分離產(chǎn)生的PMMA層具有更好的介電效果,因此需要更高的電壓激勵(lì),電荷才會(huì)在器件中隧穿過PMMA,產(chǎn)生電雙穩(wěn)效應(yīng)。為了表征雙層器件的穩(wěn)定性,且與共混器件進(jìn)行對(duì)比,我們對(duì)二者都進(jìn)行了重復(fù)讀取測試,結(jié)果如圖3所示。在測試中,我們首先給器件施加一個(gè)寫入電壓,使器件變?yōu)镺N態(tài),之后不斷給器件施加讀取電壓,時(shí)間間隔為0.1s,并記錄下對(duì)應(yīng)的電流值,重復(fù)500次后停止。接下來,給器件施加一個(gè)擦除電壓,讓器件還原為OFF態(tài),同樣再給器件施加讀取電壓,記錄對(duì)應(yīng)的電流值,再重復(fù)500次,結(jié)束后將電流和重復(fù)讀取次數(shù)繪成I-t圖。從圖中可以看出,兩種結(jié)構(gòu)的器件都有著很好的穩(wěn)定性,且雙層器件的結(jié)果更優(yōu)秀。這兩種器件在測試中,不論是經(jīng)過寫入還是擦除之后的狀態(tài),都可以多次重復(fù)讀取,并維持住穩(wěn)定的電流值以及開關(guān)比。雙層器件在±10V下寫入和擦除,在3V下分別讀取,開關(guān)比保持在1×103;共混器件在±5V下寫入和擦除,在2V下分別讀取,開關(guān)比保持在10左右?梢,我們利用垂直溶劑法制備的雙層器件,性能并不輸于有著相分離效應(yīng)的共混器件。這兩種器件均可以進(jìn)行多次重復(fù)使用,且在撤銷電壓后,依舊保持住ON態(tài)或者OFF態(tài),這對(duì)于電雙穩(wěn)器件的實(shí)際應(yīng)用有著很重要的意義。500I/A10020030040010-410-510-610-7(a)ONOFF0t500I/A10020030040010-510-6(b)ONOFF0t圖3雙層器件(a)和共混器件(b)的重復(fù)讀取測試圖Fig.3I-tmeasurementofbilayerdevice(a)andhybridblenddevice(b),respectively.為了進(jìn)一步分析雙層器件的工作過程,我們對(duì)器件的I-V曲線在不同電壓范圍下進(jìn)行了線性擬合。?
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]膽甾液晶應(yīng)用于P3HT∶PCBM聚合物光伏器件研究[J]. 姜璐璐,劉海瑞,李夢菲,李萌,蔣玉榮,馬恒. 液晶與顯示. 2015(04)
[2]RR-P3HT和PCBM混合薄膜中的長壽命光激發(fā)態(tài)研究[J]. 沙春芳. 光子學(xué)報(bào). 2014(05)
本文編號(hào):3297346
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