當前硅基浮柵存儲器已經無法滿足超高密度存儲的性能要求,器件結構尺寸難以進一步縮小,同時現代信息技術的發(fā)展對器件的速度、功耗、可靠性提出更高的要求。在此背景下,研究人員對于新型非易失性半導體存儲器技術的研發(fā)成為熱點。文章介紹了納米晶存儲器的改進方案,探討了提升存儲器件性能的方法。 

【文章來源】：科技視界. 2019,(14)

【文章頁數】：2 頁

【文章目錄】：
1 納米晶存儲器的改進
    1.1 金屬納米晶
    1.2 納米晶材料與存儲器件性能之間的關系
2 金屬納米晶的制備與測試
    2.1 金屬納米晶的制備
        2.1.1 快速熱處理法
        2.1.2 淀積自組裝法
        2.1.3 混合淀積法
        2.1.4 離子注入法
    2.2 金屬納米晶的測試
        2.2.1 C-V測試法
        2.2.2 C-t測試法
        2.2.3 G-V測試法
        2.2.4 I-V測試法
3 結束語


【參考文獻】：
期刊論文
[1]非易失性納米晶存儲器的研究[J]. 竇紅真.  現代工業(yè)經濟和信息化. 2016(12)

博士論文
[1]金屬納米晶電荷俘獲型存儲單元的制備及其存儲效應的研究[D]. 劉曉杰.南京大學 2014

碩士論文
[1]基于金屬納米粒子浮柵的非易失性有機薄膜晶體管存儲器的研制[D]. 韓金花.吉林大學 2016
[2]新型非易失性存儲器的原子層沉積技術制備及其存儲性能的研究[D]. 曹正義.南京大學 2015
[3]基于自組裝金屬納米晶MOS電容存儲效應及其機理的研究[D]. 程佩紅.浙江師范大學 2012



本文編號：3265162