當(dāng)前硅基浮柵存儲(chǔ)器已經(jīng)無法滿足超高密度存儲(chǔ)的性能要求,器件結(jié)構(gòu)尺寸難以進(jìn)一步縮小,同時(shí)現(xiàn)代信息技術(shù)的發(fā)展對器件的速度、功耗、可靠性提出更高的要求。在此背景下,研究人員對于新型非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)的研發(fā)成為熱點(diǎn)。文章介紹了納米晶存儲(chǔ)器的改進(jìn)方案,探討了提升存儲(chǔ)器件性能的方法。 

【文章來源】：科技視界. 2019,(14)

【文章頁數(shù)】：2 頁

【文章目錄】：
1 納米晶存儲(chǔ)器的改進(jìn)
    1.1 金屬納米晶
    1.2 納米晶材料與存儲(chǔ)器件性能之間的關(guān)系
2 金屬納米晶的制備與測試
    2.1 金屬納米晶的制備
        2.1.1 快速熱處理法
        2.1.2 淀積自組裝法
        2.1.3 混合淀積法
        2.1.4 離子注入法
    2.2 金屬納米晶的測試
        2.2.1 C-V測試法
        2.2.2 C-t測試法
        2.2.3 G-V測試法
        2.2.4 I-V測試法
3 結(jié)束語


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]非易失性納米晶存儲(chǔ)器的研究[J]. 竇紅真.  現(xiàn)代工業(yè)經(jīng)濟(jì)和信息化. 2016(12)

博士論文
[1]金屬納米晶電荷俘獲型存儲(chǔ)單元的制備及其存儲(chǔ)效應(yīng)的研究[D]. 劉曉杰.南京大學(xué) 2014

碩士論文
[1]基于金屬納米粒子浮柵的非易失性有機(jī)薄膜晶體管存儲(chǔ)器的研制[D]. 韓金花.吉林大學(xué) 2016
[2]新型非易失性存儲(chǔ)器的原子層沉積技術(shù)制備及其存儲(chǔ)性能的研究[D]. 曹正義.南京大學(xué) 2015
[3]基于自組裝金屬納米晶MOS電容存儲(chǔ)效應(yīng)及其機(jī)理的研究[D]. 程佩紅.浙江師范大學(xué) 2012



本文編號：3265162