為了適應(yīng)現(xiàn)代社會(huì)越來越多的數(shù)據(jù)需求,一種靈活快速的非易失性存儲器必不可少。采用摻雜的氧化鉿作為鐵電介質(zhì)材料的新型鐵電存儲器就是在這樣的需求下被提出來的。新型鐵電存儲器的含義是采用新的鐵電介質(zhì)材料制造的鐵電存儲器,隨著集成電路行業(yè)進(jìn)入深亞微米時(shí)代,鐵電存儲器的鐵電介質(zhì)材料也需要更新來適應(yīng)新工藝的要求。本文的創(chuàng)新點(diǎn)在于選擇了摻雜的氧化鉿作為鐵電介質(zhì)材料完成了鐵電存儲器的設(shè)計(jì)工作。首先,查閱了近年來實(shí)驗(yàn)室制備的摻雜氧化鉿的工藝和性能,并且在400℃和550℃退火條件下制備了兩組樣品。分別測試了兩組樣品的電滯回線,發(fā)現(xiàn)550℃退火條件下得到的樣品性能更好。為了研究兩組樣品的疲勞特性,分別對兩組樣品加上10 kHz的三角波信號,經(jīng)過確定的時(shí)間后重新測量兩組樣品的剩余極化強(qiáng)度,發(fā)現(xiàn)結(jié)果也是在550℃退火條件下得到的樣品性能更好。根據(jù)對鐵電電容的電滯回線測試數(shù)據(jù),擬合得到電滯回線的近似函數(shù)模型,并據(jù)此進(jìn)一步建立了鐵電電容的HSIM仿真模型。對2T2C型鐵電存儲單元在連接不同的位線電容讀出時(shí)位線上的電壓差做了理論推導(dǎo)和定量計(jì)算,從計(jì)算結(jié)果來看,2T2C型鐵電存儲單元匹配的位線電容在2 pF左右存在一個(gè)... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：65 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

鐵電材料電疇示意圖

鐵電測試平臺radientLCII200V、探針臺和控制電腦

存儲單元寫入數(shù)據(jù)時(shí)序

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]鐵電存儲器的單粒子效應(yīng)試驗(yàn)研究[J]. 辜科,李平,李威.  微電子學(xué)與計(jì)算機(jī). 2015(06)
[2]鐵電存儲單元單粒子效應(yīng)的仿真與研究[J]. 萬義才,翟亞紅,李平,辜柯,何偉.  壓電與聲光. 2014(06)
[3]鐵電存儲器的專利技術(shù)現(xiàn)狀和趨勢分析[J]. 羅曉雅,田飛飛,陳曉紅.  中國科技信息. 2014(17)
[4]鐵電存儲器單元信號的測試與研究[J]. 翟亞紅,李威,李平,胡濱,李俊宏,辜科.  微電子學(xué). 2013(06)
[5]抗輻射鐵電存儲器的研究進(jìn)展[J]. 翟亞紅,李威,李平,胡濱,霍偉榮,李俊宏,辜科.  材料導(dǎo)報(bào). 2012(23)
[6]基于HSIM的鐵電電容性能的研究[J]. 畢長紅,羅玉香,胡濱,翟亞紅,辜科.  壓電與聲光. 2012(04)
[7]應(yīng)用于FRAM的集成鐵電電容的研究[J]. 蔡道林,李平,張樹人,翟亞紅,阮愛武,劉勁松,陳彥宇,歐陽帆.  壓電與聲光. 2008(01)
[8]鐵電電容工藝與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容性研究[J]. 翟亞紅,李平,張樹人,楊成韜,阮愛武,蔡道林,歐陽帆,陳彥宇.  壓電與聲光. 2007(05)
[9]鐵電存儲器的基本單元及其工作模式[J]. 李建軍,王耘波,王龍海,高俊雄,于軍.  計(jì)算機(jī)與數(shù)字工程. 2006(01)
[10]鐵電存儲技術(shù)[J]. 劉敬松,張樹人,李言榮.  物理與工程. 2002(02)

博士論文
[1]鐵電存儲器的輻射效應(yīng)及其抗輻射加固技術(shù)研究[D]. 辜科.電子科技大學(xué) 2015
[2]基于PZT的高可靠鐵電存儲器關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 翟亞紅.電子科技大學(xué) 2013

碩士論文
[1]鐵電存儲器的設(shè)計(jì)及工藝研究[D]. 翟亞紅.電子科技大學(xué) 2005



本文編號：3262672