為了適應現(xiàn)代社會越來越多的數(shù)據(jù)需求,一種靈活快速的非易失性存儲器必不可少。采用摻雜的氧化鉿作為鐵電介質(zhì)材料的新型鐵電存儲器就是在這樣的需求下被提出來的。新型鐵電存儲器的含義是采用新的鐵電介質(zhì)材料制造的鐵電存儲器,隨著集成電路行業(yè)進入深亞微米時代,鐵電存儲器的鐵電介質(zhì)材料也需要更新來適應新工藝的要求。本文的創(chuàng)新點在于選擇了摻雜的氧化鉿作為鐵電介質(zhì)材料完成了鐵電存儲器的設計工作。首先,查閱了近年來實驗室制備的摻雜氧化鉿的工藝和性能,并且在400℃和550℃退火條件下制備了兩組樣品。分別測試了兩組樣品的電滯回線,發(fā)現(xiàn)550℃退火條件下得到的樣品性能更好。為了研究兩組樣品的疲勞特性,分別對兩組樣品加上10 kHz的三角波信號,經(jīng)過確定的時間后重新測量兩組樣品的剩余極化強度,發(fā)現(xiàn)結果也是在550℃退火條件下得到的樣品性能更好。根據(jù)對鐵電電容的電滯回線測試數(shù)據(jù),擬合得到電滯回線的近似函數(shù)模型,并據(jù)此進一步建立了鐵電電容的HSIM仿真模型。對2T2C型鐵電存儲單元在連接不同的位線電容讀出時位線上的電壓差做了理論推導和定量計算,從計算結果來看,2T2C型鐵電存儲單元匹配的位線電容在2 pF左右存在一個... 

【文章來源】：電子科技大學四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：65 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

鐵電材料電疇示意圖

鐵電測試平臺radientLCII200V、探針臺和控制電腦

存儲單元寫入數(shù)據(jù)時序

【參考文獻】：
期刊論文
[1]鐵電存儲器的單粒子效應試驗研究[J]. 辜科,李平,李威.  微電子學與計算機. 2015(06)
[2]鐵電存儲單元單粒子效應的仿真與研究[J]. 萬義才,翟亞紅,李平,辜柯,何偉.  壓電與聲光. 2014(06)
[3]鐵電存儲器的專利技術現(xiàn)狀和趨勢分析[J]. 羅曉雅,田飛飛,陳曉紅.  中國科技信息. 2014(17)
[4]鐵電存儲器單元信號的測試與研究[J]. 翟亞紅,李威,李平,胡濱,李俊宏,辜科.  微電子學. 2013(06)
[5]抗輻射鐵電存儲器的研究進展[J]. 翟亞紅,李威,李平,胡濱,霍偉榮,李俊宏,辜科.  材料導報. 2012(23)
[6]基于HSIM的鐵電電容性能的研究[J]. 畢長紅,羅玉香,胡濱,翟亞紅,辜科.  壓電與聲光. 2012(04)
[7]應用于FRAM的集成鐵電電容的研究[J]. 蔡道林,李平,張樹人,翟亞紅,阮愛武,劉勁松,陳彥宇,歐陽帆.  壓電與聲光. 2008(01)
[8]鐵電電容工藝與標準CMOS工藝兼容性研究[J]. 翟亞紅,李平,張樹人,楊成韜,阮愛武,蔡道林,歐陽帆,陳彥宇.  壓電與聲光. 2007(05)
[9]鐵電存儲器的基本單元及其工作模式[J]. 李建軍,王耘波,王龍海,高俊雄,于軍.  計算機與數(shù)字工程. 2006(01)
[10]鐵電存儲技術[J]. 劉敬松,張樹人,李言榮.  物理與工程. 2002(02)

博士論文
[1]鐵電存儲器的輻射效應及其抗輻射加固技術研究[D]. 辜科.電子科技大學 2015
[2]基于PZT的高可靠鐵電存儲器關鍵技術研究[D]. 翟亞紅.電子科技大學 2013

碩士論文
[1]鐵電存儲器的設計及工藝研究[D]. 翟亞紅.電子科技大學 2005



本文編號：3262672