隨著科技的發(fā)展和我國(guó)第三次消費(fèi)結(jié)構(gòu)升級(jí)轉(zhuǎn)型,高集成度的電子消費(fèi)產(chǎn)品越來(lái)越受到人們的青睞。其中,存儲(chǔ)器作為消費(fèi)電子不可或缺的組成部分,越發(fā)受到產(chǎn)業(yè)鏈所關(guān)注。Flash存儲(chǔ)器作為成熟的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器,由于其操作速度快、存儲(chǔ)密度大等特點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用。然而,隨著Flash器件單元尺寸的縮小,其發(fā)展程度也收到了很大的限制,所以新型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的研究迎來(lái)了一個(gè)新的高潮。其中,阻變存儲(chǔ)器（RRAM,Resistive Random Access Memory）集成度高,工藝簡(jiǎn)單,操作速度快,功耗相比其他新型存儲(chǔ)器較低等優(yōu)勢(shì),成為了新型存儲(chǔ)器的有力競(jìng)爭(zhēng)者之一。近十年來(lái),阻變存儲(chǔ)器得到了迅速發(fā)展,由于阻變層的選擇決定了阻變存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)能力,因此各種材料的阻變層相繼進(jìn)行了研究,其中氧化物作為一種易于制備,工藝簡(jiǎn)單的材料而被應(yīng)用。TaO_x材料由于其優(yōu)異的耐受性（endurance）和較快的擦寫(xiě)速度（<150ps）成為了氧化物基阻變存儲(chǔ)器研究熱點(diǎn)。本論文實(shí)驗(yàn)所制備的器件均采用射頻磁控濺射生長(zhǎng)完成,而插層則是采用離子束濺射精確控制厚度制備完成。一方面,利用AFM和XPS對(duì)薄膜的表面... 

【文章來(lái)源】：天津理工大學(xué)天津市

【文章頁(yè)數(shù)】：56 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

鐵電存儲(chǔ)器的原理示意圖

圖 1.2 鐵電存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)以及原理示意圖鐵電存儲(chǔ)器由于鐵磁體的磁性不會(huì)斷電消失，所以磁存儲(chǔ)器兼具非易失、高速度、高密度、低功耗等各種優(yōu)良特性，但是磁存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元之間存在干擾，尤其是在高密度下，相鄰單元間的磁場(chǎng)的交疊會(huì)愈加嚴(yán)重。1.2.3 相變存儲(chǔ)器(PRAM)世界上第一個(gè) 256 位半導(dǎo)體相變存儲(chǔ)器是在 1970 年 Dr. Stanford Ovshinsky在 Electronics 發(fā)布的一篇文章所描述的。相變存儲(chǔ)器是通過(guò)電流和磁場(chǎng)的開(kāi)關(guān)，使特殊材料在晶體和非晶體之間切換來(lái)實(shí)現(xiàn)“0”和“1”的存儲(chǔ)。當(dāng)材料處于非晶體時(shí)，升高溫度至結(jié)晶溫度以上并保持較長(zhǎng)時(shí)間材料會(huì)轉(zhuǎn)變?yōu)榫w，電阻率較低；當(dāng)材料處于晶體時(shí)，升高溫度至熔化，然后快速冷卻，材料就會(huì)轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷w，電阻率很高[10,11]。通過(guò)判斷晶體和非晶體下的電阻率實(shí)現(xiàn)信息的存儲(chǔ) 。圖 1.3 是相變存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖 1.2 鐵電存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)以及原理示意圖儲(chǔ)器由于鐵磁體的磁性不會(huì)斷電消失，所以磁存儲(chǔ)器兼密度、低功耗等各種優(yōu)良特性，但是磁存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單是在高密度下，相鄰單元間的磁場(chǎng)的交疊會(huì)愈加嚴(yán)重。存儲(chǔ)器(PRAM)第一個(gè) 256 位半導(dǎo)體相變存儲(chǔ)器是在 1970 年 Dr. Stanfonics 發(fā)布的一篇文章所描述的。相變存儲(chǔ)器是通過(guò)電流材料在晶體和非晶體之間切換來(lái)實(shí)現(xiàn)“0”和“1”的存時(shí)，升高溫度至結(jié)晶溫度以上并保持較長(zhǎng)時(shí)間材料會(huì)轉(zhuǎn)；當(dāng)材料處于晶體時(shí)，升高溫度至熔化，然后快速冷卻體，電阻率很高[10,11]。通過(guò)判斷晶體和非晶體下的電阻圖 1.3 是相變存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)示意圖。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Recent development of studies on the mechanism of resistive memories in several metal oxides[J]. TIAN XueZeng,WANG LiFen,LI XiaoMin,WEI JiaKe,YANG ShiZe,XU Zhi,WANG WenLong,BAI XueDong.  Science China（Physics,Mechanics & Astronomy）. 2013(12)
[2]磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）的原理與研究進(jìn)展[J]. 吳曉薇,郭子政.  信息記錄材料. 2009(02)

博士論文
[1]二元過(guò)渡金屬氧化物的阻變存儲(chǔ)器研究[D]. 謝宏偉.蘭州大學(xué) 2013
[2]基于二元金屬氧化物的阻變存儲(chǔ)器研究[D]. 王艷.蘭州大學(xué) 2012

碩士論文
[1]基于銅的二氧化鈦固態(tài)電解質(zhì)阻變特性與機(jī)理的研究[D]. 邵興隆.天津理工大學(xué) 2014



本文編號(hào)：3260363