在目前國內(nèi)0.18um RFID產(chǎn)品的EEPROM工藝還不是很成熟的情況下,本文通過分析解決一種RFID EEPROM讀出檢查失效的具體問題,目的是優(yōu)化當前0.18um EEPROM RFID產(chǎn)品的設計和相關(guān)加工工藝,推動國內(nèi)0.18um工藝的RFID EEPROM新品盡快能高良率地投入量產(chǎn),參與國際競爭。本文通過采用數(shù)據(jù)分析、失效定位、實施改進、效果驗證的方法,進行了大量失效分析、實驗與驗證,充分地分析了新產(chǎn)品EEPROM良率低、棋盤格讀出檢查失效所發(fā)生的根本原因。最終確定了圓片加工過程中,由于POLY1干法刻蝕過量導致柵氧化層不同程度的受損、漏電,漏電導致EEPROM選通管常失去選通作用;失去了選通作用的Cell單元,當其BIT邏輯為“1”,此BIT所在的整條位線的漏電會很大,使得整條位線上的其它BIT在讀出檢查時全被判讀為“1”,表現(xiàn)出EEPROM棋盤格讀出檢查失效的現(xiàn)象。在本問題的分析與解決過程中,我通過優(yōu)化芯片設計:適當增大EEPROM讀出比較參考電流;通過調(diào)整圓片加工工藝:優(yōu)化POLY1的蝕刻工藝、增大選通管的選擇柵Poly1的條寬,增加多晶刻蝕后對柵氧化層的快速熱處理等措... 

【文章來源】：復旦大學上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：46 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
引言
第一章 問題的提出
    第一節(jié) RFID產(chǎn)品簡介
    第二節(jié) EEPROM簡介
    第三節(jié) 問題的提出
第二章 問題的描述與初步定位
    第一節(jié) 工程樣片的測試檢查
    第二節(jié) 主要失效
    第三節(jié) 主要失效項分析
第三章 問題的分析與定位
    第一節(jié) 棋盤格的寫入
    第二節(jié) 棋盤格的寫后讀出檢查
    第三節(jié) 邏輯"0"變"1"問題的分析與定位
    第四節(jié) 異常存儲單元的失效分析
    第五節(jié) 異常BIT的電特性檢查
    第六節(jié) 異常BIT的物理結(jié)構(gòu)檢查
    第七節(jié) 異常原因的定位
第四章 改進措施及效果確認
    第一節(jié) 設計改進與工藝調(diào)整
    第二節(jié) 改進效果確認
    第三節(jié) 改進效果綜述
第五章 總結(jié)與結(jié)論
致謝
參考文獻



本文編號：3232419