受半導體工藝尺寸微縮限制,傳統(tǒng)浮柵存儲器的發(fā)展不斷面臨著挑戰(zhàn),新型存儲器逐漸成為人們研究的重點。其中,阻變存儲器具有編程電壓低,讀寫速度快,與標準CMOS工藝良好兼容等優(yōu)勢,被認為是最有前景的非揮發(fā)存儲器之一。但是,阻變存儲器件的阻變機理不夠清晰、存儲單元的讀寫操作不太穩(wěn)定、阻變性能亟待優(yōu)化等都影響著阻變存儲器的實際工程應用。對于阻變存儲器而言,除了器件結構、工藝條件、電路設計以外,改變器件編程方式是提高阻變性能穩(wěn)定性和可靠性的重要手段。研究阻變存儲器的可靠性,需要對單管器件或者集成陣列中的存儲單元進行大量的讀寫操作測試,基于測試結果進行編程算法優(yōu)化來提高器件性能,所以阻變存儲單元的測試技術在存儲器應用研究中尤為重要。本文的研究主要集中在對阻變存儲器的測試技術上,一方面探索不同讀寫操作方案對阻變存儲器性能的影響;另一方面,針對新型阻變存儲器芯片存在的功能故障,設計內(nèi)建自測試電路。具體內(nèi)容如下:1:基于C/C++語言,實現(xiàn)了針對阻變存儲器陣列測試的程序,包括漏電測試、靜態(tài)電流測試、器件耐受性（Endurance）測試、均一性測試、器件保持特性（Data Retention）測試等的編程開... 

【文章來源】：蘭州大學甘肅省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

半導體存儲器的分類[1]

士研究生學位論文 阻變存儲器測揮發(fā)性存儲器在失去供電后，數(shù)據(jù)仍然可以較為長期的保存，在移動設備，計算機等各個領域廣泛被應用，主要包括 PROM、[2,3]。其中，F(xiàn)lash 存儲器同時具有 ROM 和 RAM 的特點，掉電保存不會丟失，電子可擦除、可編程，功耗小，成本低廉，可用代碼等[4]。由于 Flash 的絕對優(yōu)勢，以 Flash 為代表的存儲器，逐的主力軍。圖 1.2 所示是全球閃存儲存器的收入分布情況，自 2sh 存儲器的全球收入正逐年遞增。

圖 1.2 全球閃存存儲器的收入分布情況[5]同陣列結構形式，F(xiàn)lash 存儲器可以分為 NOR 型和 NAND 型，儲器可直接選擇位進行操作，讀速度快，存儲單元占用面積大。N儲器有較高的單元集成密度，適合大容量存儲，且在寫速度方面 Flash 存儲器。圖 1.3 總結了 NOR 型和 NAND 型存儲器的主要應


本文編號：3124376