隨著半導體集成電路制造業(yè)在中國的迅猛發(fā)展,為了降低研發(fā)成本和提高集成電路的成品率,各大公司越來越需要有專業(yè)的模擬工具對半導體器件結構和陣列進行準確的性能評估,并在性能評估的基礎上再對器件結構進行相關的參數優(yōu)化和整體折中,目前半導體工藝與器件模擬即TCAD工具已經在半導體電路制造業(yè)中發(fā)揮著越來越重要的作用。本文專注于半導體器件中的存儲器件,而目前流行的存儲器件都是在金屬-氧化層-半導體-場效晶體管（MOSFET）的基礎上改造而成的。閃存（Flash Memory）是非揮發(fā)性存儲器（Non-Volatile Memory）的典型代表,本文將以閃存為基礎來介紹非揮發(fā)性存儲器的概念、應用和實現非揮發(fā)行的物理機制,討論存儲器中各種重要的微觀物理現象和導致存儲性能退化的可能因素。本文解釋了三種非揮發(fā)功能的實現方式：浮柵存儲器（Floating Gate）,硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅（SONOS）存儲器和納米晶存儲器（Nano-Crystal Memory）,并比較了三種結構的優(yōu)點和缺點。最后本文比較詳細的介紹了Sentaurus模擬工具中常用的重要物理模型和基本的使用方法,展示了如何使用TCA... 

【文章來源】：安徽大學安徽省 211工程院校

【文章頁數】：108 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

理想MOSFET，介質層中不存在任何電荷，如同沒有存儲電荷的浮柵晶體管，這種浮柵晶體管的lteJ值電壓味就是MOSFET的閡值電壓氣

第一章非揮發(fā)性存儲器緒論平行的，距離溝道為d。浮柵中的電荷會影響源端到漏端的電流，圖2(c)展示了晶體管由于浮柵上存儲電荷的變動導致了閩值電壓的漂移。馨馨翼翼馨馨馨馨 iiinSU!a}}}torZZZ馨馨薰薰薰翼薰翼翼纂薰鬢鬢鬢 iiinSUI日勿 rlll圖1浮柵晶體管，每個晶體管存儲lbit，晶體管整列組成浮柵存儲器gateSOUFCed泊ininSU】atorpsi!ico介圖2(a)理想MOSFET，介質層中不存在任何電荷，如同沒有存儲電荷的浮柵晶體管，這種浮柵晶體管的lteJ值電壓味就是MOSFET的閡值電壓氣。，即喻=珠。QSOUrCed「 ain P51!icon圖2(b)存儲了電荷的浮柵品體管，如果存儲的是負電荷的話，那么晶體管的閩值電壓會上升，反之闌值電壓下降，即味=珠。一Q(d/:)

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本文編號：3121641