傳統(tǒng)存儲器在發(fā)展上遇到經(jīng)濟與技術方面的瓶頸,3D-Xpoint相變存儲器作為新型存儲器之一,極有可能成為下一個存儲器發(fā)展熱點。與傳統(tǒng)相變存儲器相比,3D-Xpoint相變存儲器在陣列結(jié)構和操作方式上都有了很大不同:傳統(tǒng)相變存儲器中存儲單元通常為1T1R結(jié)構,是三端器件,選通激勵與編程激勵可同時施加在存儲單元的不同端口;3D-Xpoint相變存儲器存儲單元為1S1R結(jié)構,是兩端器件,所需選通激勵與編程激勵類型不同,在進行操作時僅能從存儲單元兩端輸入激勵。同時由于3D-Xpoint相變存儲陣列密度增大,陣列的寄生電容較傳統(tǒng)相變存儲器更大,應用傳統(tǒng)相變存儲器讀寫方案及其外圍電路進行讀、寫操作的延時較大。因此需提出一種適用于1S1R相變存儲單元的讀寫控制方案,并基于該讀寫控制方案設計外圍電路實現(xiàn)3D-Xpoint相變存儲器的快速讀、寫、擦功能。本文首先根據(jù)3D-Xpoint相變存儲陣列特性及架構特點,建立了3D-Xpoint相變存儲陣列的Verilog-A行為級模型。然后根據(jù)3D-Xpoint相變存儲器中存儲單元的操作方式及結(jié)構特點提出了1S1R相變存儲單元讀寫控制方案。該讀寫控制方案提出了通... 

【文章來源】：華中科技大學湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：71 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

1S1R存儲單元物理

相變存儲器件模型伏安特性曲線圖

x2x2bit3D-Xpoint存儲器模型圖


本文編號：3083271