發(fā)布時(shí)間：2021-03-15 00:56

　　傳統(tǒng)存儲(chǔ)器在發(fā)展上遇到經(jīng)濟(jì)與技術(shù)方面的瓶頸,3D-Xpoint相變存儲(chǔ)器作為新型存儲(chǔ)器之一,極有可能成為下一個(gè)存儲(chǔ)器發(fā)展熱點(diǎn)。與傳統(tǒng)相變存儲(chǔ)器相比,3D-Xpoint相變存儲(chǔ)器在陣列結(jié)構(gòu)和操作方式上都有了很大不同:傳統(tǒng)相變存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)單元通常為1T1R結(jié)構(gòu),是三端器件,選通激勵(lì)與編程激勵(lì)可同時(shí)施加在存儲(chǔ)單元的不同端口;3D-Xpoint相變存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元為1S1R結(jié)構(gòu),是兩端器件,所需選通激勵(lì)與編程激勵(lì)類型不同,在進(jìn)行操作時(shí)僅能從存儲(chǔ)單元兩端輸入激勵(lì)。同時(shí)由于3D-Xpoint相變存儲(chǔ)陣列密度增大,陣列的寄生電容較傳統(tǒng)相變存儲(chǔ)器更大,應(yīng)用傳統(tǒng)相變存儲(chǔ)器讀寫方案及其外圍電路進(jìn)行讀、寫操作的延時(shí)較大。因此需提出一種適用于1S1R相變存儲(chǔ)單元的讀寫控制方案,并基于該讀寫控制方案設(shè)計(jì)外圍電路實(shí)現(xiàn)3D-Xpoint相變存儲(chǔ)器的快速讀、寫、擦功能。本文首先根據(jù)3D-Xpoint相變存儲(chǔ)陣列特性及架構(gòu)特點(diǎn),建立了3D-Xpoint相變存儲(chǔ)陣列的Verilog-A行為級(jí)模型。然后根據(jù)3D-Xpoint相變存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)單元的操作方式及結(jié)構(gòu)特點(diǎn)提出了1S1R相變存儲(chǔ)單元讀寫控制方案。該讀寫控制方案提出了通... 

【文章來源】：華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：71 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

1S1R存儲(chǔ)單元物理

相變存儲(chǔ)器件模型伏安特性曲線圖

x2x2bit3D-Xpoint存儲(chǔ)器模型圖


本文編號(hào)：3083271