論文是研制通用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器SEU、SEL測(cè)試系統(tǒng),測(cè)試對(duì)象選擇我國(guó)航天科研單位較為常用的三種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器:SRAM、EEPROM、FLASH。系統(tǒng)采用虛擬技術(shù)和Lab VIEW圖形化編程語(yǔ)言來(lái)設(shè)計(jì);通過(guò)分析翻轉(zhuǎn)前后數(shù)據(jù)的內(nèi)在關(guān)系,提出了一種基于單向數(shù)據(jù)流的判定算法;根據(jù)NI PXI-6541、PXI-6602的通道可重定義功能,實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)器的地址通道、數(shù)據(jù)通道、控制通道可重定義和測(cè)試區(qū)域的任意指定,從而擴(kuò)展了系統(tǒng)的測(cè)試容量和測(cè)試類型。系統(tǒng)的功能是檢測(cè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元位狀態(tài)變化和存儲(chǔ)器工作電流的變化,在線記錄測(cè)試結(jié)果,自動(dòng)控制束流快門(mén)的開(kāi)關(guān),自動(dòng)切換芯片的電源,自動(dòng)選擇測(cè)試對(duì)象,對(duì)特殊芯片可自動(dòng)生成采樣波形和產(chǎn)生波形,特殊功能引腳可進(jìn)行重定義;提供兩種測(cè)試模式:改寫(xiě)模式和非改寫(xiě)模式;提供兩種閂鎖處理方式:延時(shí)方式和降壓方式。系統(tǒng)在北京HI-13串列加速器單離子效應(yīng)專用裝置上進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證,實(shí)驗(yàn)時(shí)采用35Cl10,14+粒子對(duì)TC58256FT/DC256M（32M×8bits）EEPROM和Atmel公司的AM29F010B-70PC1M（128kx8bits）FLASH進(jìn)行輻照,測(cè)得翻轉(zhuǎn)... 

【文章來(lái)源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：54 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其單粒子效應(yīng)
    1.2 通用存儲(chǔ)器SEU、SEL測(cè)試技術(shù)研究的必要性
    1.3 國(guó)內(nèi)外研究狀況
        1.3.1 國(guó)外研究狀況
        1.3.2 國(guó)內(nèi)研究狀況
    1.4 論文的主要工作
第二章 系統(tǒng)設(shè)計(jì)原理
    2.1 系統(tǒng)設(shè)計(jì)思想
    2.2 系統(tǒng)設(shè)計(jì)目標(biāo)
第三章 系統(tǒng)設(shè)計(jì)
    3.1 系統(tǒng)介紹
    3.2 系統(tǒng)硬件部分設(shè)計(jì)
        3.2.1 自動(dòng)電源設(shè)計(jì)
        3.2.2 測(cè)試版設(shè)計(jì)
        3.2.3 束流快門(mén)自動(dòng)控制部分
    3.3 系統(tǒng)軟件部分設(shè)計(jì)
        3.3.1 系統(tǒng)并行結(jié)構(gòu)
        3.3.2 系統(tǒng)流程
第四章 系統(tǒng)驗(yàn)證
    4.1 系統(tǒng)驗(yàn)證方法
    4.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備選擇
    4.3 實(shí)驗(yàn)布局
    4.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析
    4.5 結(jié)論
第五章 系統(tǒng)展望
致謝
參考文獻(xiàn)


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]重離子單粒子效應(yīng)實(shí)驗(yàn)研究[J]. 路秀琴,符長(zhǎng)波,張新,郭繼宇,趙葵,林云龍,蔡金榮,韓建偉,黃建國(guó).  核技術(shù). 2003(04)



本文編號(hào)：3038279