論文是研制通用半導體存儲器SEU、SEL測試系統(tǒng),測試對象選擇我國航天科研單位較為常用的三種半導體存儲器:SRAM、EEPROM、FLASH。系統(tǒng)采用虛擬技術和Lab VIEW圖形化編程語言來設計;通過分析翻轉前后數(shù)據的內在關系,提出了一種基于單向數(shù)據流的判定算法;根據NI PXI-6541、PXI-6602的通道可重定義功能,實現(xiàn)了存儲器的地址通道、數(shù)據通道、控制通道可重定義和測試區(qū)域的任意指定,從而擴展了系統(tǒng)的測試容量和測試類型。系統(tǒng)的功能是檢測存儲器存儲單元位狀態(tài)變化和存儲器工作電流的變化,在線記錄測試結果,自動控制束流快門的開關,自動切換芯片的電源,自動選擇測試對象,對特殊芯片可自動生成采樣波形和產生波形,特殊功能引腳可進行重定義;提供兩種測試模式:改寫模式和非改寫模式;提供兩種閂鎖處理方式:延時方式和降壓方式。系統(tǒng)在北京HI-13串列加速器單離子效應專用裝置上進行了現(xiàn)場驗證,實驗時采用35Cl10,14+粒子對TC58256FT/DC256M（32M×8bits）EEPROM和Atmel公司的AM29F010B-70PC1M（128kx8bits）FLASH進行輻照,測得翻轉... 

【文章來源】：西安電子科技大學陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：54 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 半導體存儲器及其單粒子效應
    1.2 通用存儲器SEU、SEL測試技術研究的必要性
    1.3 國內外研究狀況
        1.3.1 國外研究狀況
        1.3.2 國內研究狀況
    1.4 論文的主要工作
第二章 系統(tǒng)設計原理
    2.1 系統(tǒng)設計思想
    2.2 系統(tǒng)設計目標
第三章 系統(tǒng)設計
    3.1 系統(tǒng)介紹
    3.2 系統(tǒng)硬件部分設計
        3.2.1 自動電源設計
        3.2.2 測試版設計
        3.2.3 束流快門自動控制部分
    3.3 系統(tǒng)軟件部分設計
        3.3.1 系統(tǒng)并行結構
        3.3.2 系統(tǒng)流程
第四章 系統(tǒng)驗證
    4.1 系統(tǒng)驗證方法
    4.2 實驗設備選擇
    4.3 實驗布局
    4.4 實驗結果及分析
    4.5 結論
第五章 系統(tǒng)展望
致謝
參考文獻


【參考文獻】：
期刊論文
[1]重離子單粒子效應實驗研究[J]. 路秀琴,符長波,張新,郭繼宇,趙葵,林云龍,蔡金榮,韓建偉,黃建國.  核技術. 2003(04)



本文編號：3038279