發(fā)布時間：2021-02-11 13:04

　　隨著半導體技術(shù)和工藝的發(fā)展越來越成熟,現(xiàn)代信息的高速發(fā)展對數(shù)據(jù)的存儲提出了進一步的要求,在集成電路的發(fā)展過程中,存儲技術(shù)始終扮演著對集成電路發(fā)展非常重要的角色,而半導體存儲器是電子設(shè)備最基本的元件之一。當前常見的半導體存儲器按其存儲特性可以分為易失性和非易失性存儲器兩個大類,其中易失性存儲器主要有靜態(tài)/動態(tài)隨機存儲器,非易失性存儲器主要有鐵電存儲器、相變存儲器、磁性存儲器、阻變存儲器、閃存等存儲器。當今社會對存儲器的要求不僅是更大的產(chǎn)量,還要求更高的數(shù)據(jù)存儲密度、更快的讀寫速度。而在傳統(tǒng)閃存器件達到目前物理工藝極限后,尋找新一代滿足前述需求的半導體存儲器是目前存儲領(lǐng)域的熱點問題。在眾多的存儲器候選者當中,阻變存儲器擁有獨特的優(yōu)勢而受到了眾多的關(guān)注和研究,其獨特的三層式結(jié)構(gòu)使得阻變存儲器能夠采用更加簡單的工藝得到更大的集成密度,這是其可能突破傳統(tǒng)閃存的集成瓶頸的重要原因,阻變存儲器還有眾多優(yōu)勢,例如更快的讀寫速度、更高的數(shù)據(jù)保持性、更穩(wěn)定的數(shù)據(jù)循環(huán)性、更低的能耗、與傳統(tǒng)工藝的兼容性、與柔性襯底的結(jié)合等。因此阻變存儲器已經(jīng)成了存儲器界的優(yōu)秀候選者和研究熱點,其中研究方向主要集中于阻變機制、... 

【文章來源】：湘潭大學湖南省

【文章頁數(shù)】：51 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第1章 緒論
    1.1 引言
    1.2 阻變存儲器簡介
        1.2.1 常見阻變材料
    1.3 阻變存儲器制備工藝
    1.4 阻變存儲器常見阻變機制
        1.4.1 導電細絲模型
        1.4.2 空間電荷限制電流模型（SCLC）
        1.4.3 肖特基發(fā)射機制
        1.4.4 電子自旋模型
    1.5 選題意義和研究內(nèi)容
第2章 碲化鉍納米片的制備與表征
    2.1 引言
    2.2 制備方法
    2.3 碲化鉍納米片表征與分析
        2.3.1 碲化鉍納米片掃描電鏡（SEM）測試
        2.3.2 碲化鉍納米片XRD與拉曼測試
        2.3.3 原子力顯微鏡（AFM）測試
    2.4 小結(jié)
第3章 基于抽濾轉(zhuǎn)移方法的碲化鉍阻變存儲器
    3.1 引言
    3.2 器件的制作
    3.3 阻變性能測試與分析
    3.4 小結(jié)
第4章 碲化鉍/海藻酸鈉阻變存儲器
    4.1 引言
    4.2 實驗部分
    4.3 結(jié)果與分析
        4.3.1 海藻酸鈉阻變存儲器
        4.3.2 海藻酸鈉/碲化鉍阻變存儲器
    4.4 小結(jié)
第5章 碲化鉍/PVP阻變存儲器
    5.1 引言
    5.2 器件的制作
    5.3 阻變性能測試與分析
    5.4 小結(jié)
第6章 總結(jié)與展望
    6.1 總結(jié)
    6.2 展望
參考文獻
致謝
攻讀碩士學位期間發(fā)表的論文



本文編號：3029155