NAND閃存是一種非易失性的存儲(chǔ)介質(zhì),由于其讀取速度快、抗震性好、功耗小、噪聲低等優(yōu)良的特性,迅速代替?zhèn)鹘y(tǒng)的磁存儲(chǔ)介質(zhì),并廣泛應(yīng)用于存儲(chǔ)解決方案中。隨著半導(dǎo)體工藝的水平的迅速提升,使NAND閃存的存儲(chǔ)密度迅速提升,雖然NAND閃存的性價(jià)比也因此大幅度提升,但是也導(dǎo)致NAND閃存的可靠性不可避免的降低,同時(shí)會(huì)帶來讀性能的下降。因此,研究并解決NAND閃存的可靠性問題,是十分有意義的。分析NAND閃存的組織結(jié)構(gòu)、存儲(chǔ)原理和基本操作機(jī)制。在硬件測試板的基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)軟件邏輯,實(shí)現(xiàn)一個(gè)NAND閃存的測試平臺(tái),并針對閃存的可靠性影響較大的保留錯(cuò)誤進(jìn)行測試,分析其導(dǎo)致閃存的閾值電壓分布、物理塊和物理頁的錯(cuò)誤率以及讀延時(shí)的變化情況。設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)優(yōu)化讀參考電壓降低閃存錯(cuò)誤率的方案。針對閾值電壓偏移導(dǎo)致閃存錯(cuò)誤率上升的問題,使用最小二乘法將閾值電壓分布擬合為多項(xiàng)式的方法,優(yōu)化讀參考電壓。并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,在不同的測試條件下,在物理塊中每個(gè)物理頁讀之前,施加其優(yōu)化的讀參考電壓,可以降低物理塊的錯(cuò)誤率。設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)降低物理塊的讀延遲的方案。針對物理塊內(nèi)物理頁錯(cuò)誤率上升導(dǎo)致物理塊的讀延遲增加的問題,并根據(jù)物理塊內(nèi)的物... 

【文章來源】：華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：61 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

DNAND物理塊結(jié)構(gòu)以及其平面陣列圖

11圖 2-4 擦除操作示意圖作的基本單元是物理頁。在對物理頁的目標(biāo)存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程（GND），將頂部的選擇晶體管施加電壓 Vcc使其打開，并將，并在其所在的字線施加較高的電壓 Vpgm,其它字線施加因?yàn)樗泶┬?yīng)進(jìn)入浮柵中。編程操作通常是通過 ISPP（Increming）的方法向浮柵內(nèi)逐步的注入電子，通過檢測存儲(chǔ)單元的

12圖 2-5 編程操作示意圖作讀取目標(biāo)物理頁時(shí)，需要在目標(biāo)物理頁的字線的控制柵施加讀電需要施加導(dǎo)通電壓 VpassR,，使目標(biāo)單元所在串的其它存儲(chǔ)單元作部和底部選擇晶體管，在所有的位線上施加一個(gè)較小的電壓，標(biāo)物理頁中的存儲(chǔ)單元是否有電流傳導(dǎo)來判斷存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)

【參考文獻(xiàn)】：
博士論文
[1]基于錯(cuò)誤特征的NAND Flash存儲(chǔ)策略研究[D]. 魏德寶.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2016



本文編號：3028952