NAND閃存是一種非易失性的存儲介質,由于其讀取速度快、抗震性好、功耗小、噪聲低等優(yōu)良的特性,迅速代替?zhèn)鹘y(tǒng)的磁存儲介質,并廣泛應用于存儲解決方案中。隨著半導體工藝的水平的迅速提升,使NAND閃存的存儲密度迅速提升,雖然NAND閃存的性價比也因此大幅度提升,但是也導致NAND閃存的可靠性不可避免的降低,同時會帶來讀性能的下降。因此,研究并解決NAND閃存的可靠性問題,是十分有意義的。分析NAND閃存的組織結構、存儲原理和基本操作機制。在硬件測試板的基礎上,設計軟件邏輯,實現(xiàn)一個NAND閃存的測試平臺,并針對閃存的可靠性影響較大的保留錯誤進行測試,分析其導致閃存的閾值電壓分布、物理塊和物理頁的錯誤率以及讀延時的變化情況。設計并實現(xiàn)優(yōu)化讀參考電壓降低閃存錯誤率的方案。針對閾值電壓偏移導致閃存錯誤率上升的問題,使用最小二乘法將閾值電壓分布擬合為多項式的方法,優(yōu)化讀參考電壓。并通過實驗驗證,在不同的測試條件下,在物理塊中每個物理頁讀之前,施加其優(yōu)化的讀參考電壓,可以降低物理塊的錯誤率。設計并實現(xiàn)降低物理塊的讀延遲的方案。針對物理塊內物理頁錯誤率上升導致物理塊的讀延遲增加的問題,并根據物理塊內的物... 

【文章來源】：華中科技大學湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數】：61 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

DNAND物理塊結構以及其平面陣列圖

11圖 2-4 擦除操作示意圖作的基本單元是物理頁。在對物理頁的目標存儲單元進行編程（GND），將頂部的選擇晶體管施加電壓 Vcc使其打開，并將，并在其所在的字線施加較高的電壓 Vpgm,其它字線施加因為隧穿效應進入浮柵中。編程操作通常是通過 ISPP（Increming）的方法向浮柵內逐步的注入電子，通過檢測存儲單元的

12圖 2-5 編程操作示意圖作讀取目標物理頁時，需要在目標物理頁的字線的控制柵施加讀電需要施加導通電壓 VpassR,，使目標單元所在串的其它存儲單元作部和底部選擇晶體管，在所有的位線上施加一個較小的電壓，標物理頁中的存儲單元是否有電流傳導來判斷存儲單元中存儲

【參考文獻】：
博士論文
[1]基于錯誤特征的NAND Flash存儲策略研究[D]. 魏德寶.哈爾濱工業(yè)大學 2016



本文編號：3028952