近些年來,隨著家用電器、個人電腦、照相機以及智能掌上移動設備等產品的快速增長,IC產業(yè)幾乎融入了人們生活的方方面面。其中不揮發(fā)存儲器因為具有斷電下可靠的數據保持性能,得到了飛速的發(fā)展。進入21世紀以來,隨著制造工藝的不斷革新,不揮發(fā)存儲器的存儲容量已經突破了千兆大關,其市場占有率接近半導體產業(yè)的半邊天。作為不揮發(fā)存儲器家族中的佼佼者,閃存（Flash）存儲器可謂如日中天,從幾萬字節(jié)的NOR型flash到幾十千兆字節(jié)的NAND型flash,產品種類可謂琳瑯滿目,大有一統(tǒng)存儲器天下之勢。本人有幸參加了0.13微米NOR flash工藝庫開發(fā)的整個過程,結合工作實踐,對其工藝平臺的開發(fā)作了全方面且有針對性研究。首先,文章概述了不揮發(fā)存儲器的發(fā)展史以及種類,通過各種存儲器結構、特性的比較,明確0.13微米NOR flash的開發(fā)的方向。接著從器件結構入手,通過物理結構與等效電容模型來量化分析器件的特性；同時通過從原理上解析flash常用的兩種編程、擦除工作機制來討論0.13微米NOR flash器件的工作模式與性質,從而定義出工藝平臺開發(fā)的目標與驗證標準。工藝平臺的建立與優(yōu)化是文章的重點。在以... 

【文章來源】：復旦大學上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數】：56 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 引言
    1.1 不揮發(fā)存儲器的概述
        1.1.1 存儲器與不揮發(fā)存儲器
        1.1.2 存儲器的分類
        1.1.3 非揮發(fā)存儲器的特性
    1.2 閃存存儲器的種類
        1.2.1 NOR型閃存存儲器
        1.2.2 NAND型閃存存儲器
        1.2.3 NOR與NAND型存儲器的比較
        1.2.4 0.13微米NOR Flash的的構架
第二章 不揮發(fā)存儲器器件結構與原理
    2.1 不揮發(fā)存儲器的結構
        2.1.1 浮柵存儲器的結構
        2.1.2 電荷俘獲型存儲器的結構
    2.2 不揮發(fā)存儲器的工作方式
        2.2.1 不揮發(fā)存儲器工作原理
        2.2.2 不揮發(fā)存儲器工作的機制
    2.3 0.13微米NOR Flash器件的結構與特性
        2.3.1 0.13微米flash器件沿位線方向的結構
        2.3.2 沿溝道寬度方向的結構
        2.3.3 器件的主要特性
第三章 0.13微米Flash工藝平臺的開發(fā)
    3.1 設計規(guī)則的制定
        3.1.1 外圍電路的設計規(guī)則
        3.1.2 存儲單元的設計規(guī)則
        3.1.3 邊界的設計規(guī)則
    3.2 工藝流程的建立
        3.2.1 主工藝流程順序的設計
        3.2.2 各流程間的相互影響及改善
第四章 工藝平臺的優(yōu)化與可靠性
    4.1 0.13微米flash工藝的優(yōu)化
        4.1.1 隧道氧化層生長條件的優(yōu)化
        4.1.2 隧道氧化層形貌的優(yōu)化
        4.1.3 接觸孔與疊柵的交疊誤差優(yōu)化
    4.2 0.13微米flash工藝的可靠性
第五章 總結與展望
參考文獻
致謝



本文編號：3006569