處理器芯片廣泛用于各類(lèi)便攜式儀器儀表和消費(fèi)電子設(shè)備中,其耗電性能的好壞直接影響整機(jī)的可靠性和壽命。對(duì)于總體系統(tǒng)設(shè)計(jì)而言,電流測(cè)試在設(shè)計(jì)中的地位已變得越來(lái)越重要。本文針對(duì)高性能處理器芯片的電流測(cè)試技術(shù)和電流標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)定條件開(kāi)展了深入研究。論文全面闡述了處理器芯片電流測(cè)試的基本原理和各種電流(開(kāi)路、短路、靜態(tài)、動(dòng)態(tài))測(cè)試的測(cè)試方法;深入介紹了自動(dòng)測(cè)試儀器(Pin Scale93K)的硬件環(huán)境、軟件環(huán)境、系統(tǒng)文件以及測(cè)試體系。在此基礎(chǔ)上,重點(diǎn)研究了芯片在各種不同的工作模式下的電流測(cè)試。開(kāi)發(fā)了芯片電流測(cè)試程序。設(shè)計(jì)了在不同條件下的芯片測(cè)試實(shí)驗(yàn),通過(guò)收集數(shù)據(jù)并進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,比較不同的測(cè)試邊界對(duì)產(chǎn)品良品率的影響,最終修改了原有的電流測(cè)試邊界,重新設(shè)定了更加嚴(yán)格的電流測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。使得公司產(chǎn)品i.MX35處理器在保證客戶正常使用的前提下,也最大限度地減小了產(chǎn)品良品率的損失。同時(shí),也為今后芯片電流測(cè)試邊界設(shè)定的優(yōu)化研究打下了基礎(chǔ)。 

【文章來(lái)源】：天津大學(xué)天津市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：62 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

i.MX35圖像處理功能對(duì)音頻系統(tǒng)的全面支持是i.MX35的又一特色：不僅可以通過(guò)MediaLB外接

鉗制設(shè)置

對(duì)Source是高阻的狀態(tài)，如圖2-2，在D-S沒(méi)有正向偏置，G-S反向偏置，導(dǎo)電溝道打開(kāi)后，D到S才會(huì)有電流的流過(guò)，但實(shí)際上由于自由電子的存在，自由電子的附著在SiO2和N+，導(dǎo)致D-S有漏電流，此漏電流就是IDD。在COMS電路中稱(chēng)為IDD


本文編號(hào)：2921518