相位存儲(chǔ)器(PCM)具有優(yōu)良的可擴(kuò)展性,非常有希望成為未來大規(guī)模主存的構(gòu)成材料。但是它的寫壽命比較有限。在應(yīng)對(duì)此問題方面國(guó)內(nèi)外展開了一些研究,包括將對(duì)PCM的寫均勻分配到所有單元的負(fù)載均衡方法和減少對(duì)PCM寫操作的寫減少方法。有研究提出了一種新的混合內(nèi)存結(jié)構(gòu),其中PCM作為主存,而DRAM作為PCM的緩存。這種方法能夠同時(shí)利用DRAM的訪問速度快的優(yōu)點(diǎn)和PCM的大容量?jī)?yōu)點(diǎn),是未來基于PCM的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的一個(gè)較好選擇。DRAM緩存的利用率和命中率高才能減少對(duì)PCM的寫操作,如果一個(gè)惡意的程序通過某種方法產(chǎn)生持續(xù)的、從DRAM到PCM的回寫,也會(huì)快速消耗PCM的壽命。文中展現(xiàn)了一種利用傳統(tǒng)組相聯(lián)緩存結(jié)構(gòu)刻意設(shè)計(jì)的PCM壽命攻擊程序。為了應(yīng)對(duì)此種攻擊,我們提出靜態(tài)隨機(jī)地址重映射(SRAR)方法,它在PCM物理地址和DRAM高速緩存之間又增加了一層中間地址。中間地址和DRAM緩存之間的關(guān)聯(lián)遵循組相聯(lián)關(guān)系,而物理地址到中間地址之間將執(zhí)行一個(gè)開機(jī)時(shí)隨機(jī)確定的重映射過程,從而將物理地址和DRAM之間的映射關(guān)系隱藏起來,以對(duì)抗基于組相聯(lián)關(guān)系的攻擊。采用SRAR方法,當(dāng)操作系統(tǒng)被劫持后,PCM和DRAM之... 

【文章來源】：上海交通大學(xué)上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：64 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

PCM設(shè)備[10]

PCM 混合內(nèi)存系統(tǒng)的上（但低于熔化溫度）能夠使它轉(zhuǎn)化為結(jié)晶狀態(tài)作由中等功率且持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)的電脈沖控制，它將狀態(tài)在邏輯上代表 1。對(duì)該材料加熱到融化然后，它使材料轉(zhuǎn)化為非晶狀態(tài)，該狀態(tài)在邏輯上代控制,它將該內(nèi)存單元置于高電阻狀態(tài)。外界可檢測(cè)設(shè)備阻抗的方式從 PCM 中讀取數(shù)據(jù)。PCM 使 PCM 能有此功能的關(guān)鍵特性之一是它的閾值晶狀態(tài)，需要非常高的電壓提供高功率。但是，時(shí)候，非晶狀態(tài)材料的電導(dǎo)率迅速增加從而產(chǎn)生果這個(gè)高電流脈沖關(guān)閉，則材料冷卻，回到高阻

混合Fig.2-1hybridm


本文編號(hào)：2912566