21世紀(jì)20年代,經(jīng)歷了三次工業(yè)革命后的黃金歲月,科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展,智能產(chǎn)品層出不窮,一些譬如人工智能、虛擬與現(xiàn)實(shí)技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等新科技興起。高速發(fā)展的信息技術(shù),對(duì)人們對(duì)信息的處理的能力要求逐漸提升,呈現(xiàn)出了爆炸式增長的趨勢(shì)。另一方面,對(duì)信息的存儲(chǔ)能力也產(chǎn)生了很高的要求,傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器已經(jīng)逐漸不能滿足人們的需求。傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器存在許多限制與缺陷,為了應(yīng)對(duì)這些限制,需要繼續(xù)研發(fā)新的存儲(chǔ)器,如相變存儲(chǔ)器、磁阻存儲(chǔ)器、鐵電存儲(chǔ)器和阻變存儲(chǔ)器（RRAM）等。這些存儲(chǔ)器在固態(tài)磁盤、存儲(chǔ)技術(shù)和神經(jīng)元、存算一體器件等方面受到廣泛應(yīng)用。其中,基于氧化物半導(dǎo)體材料的阻變存儲(chǔ)器受到了人們關(guān)注。阻變存儲(chǔ)器具有結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單、存儲(chǔ)密度高、RW（讀寫）速度快、功耗低、易縮小集成、CMOS工藝可兼容以及易于實(shí)現(xiàn)三維集成等優(yōu)勢(shì)。從最初的阻變存儲(chǔ)器的研究到今天已超過50年,但是目前阻變存儲(chǔ)器的阻變機(jī)理至今還未明確,仍存在著許多缺點(diǎn)。當(dāng)前,兩種主流的對(duì)導(dǎo)電細(xì)絲物理機(jī)制的解釋被大家所認(rèn)可:一是基于金屬元素的擴(kuò)散形成金屬導(dǎo)電細(xì)絲通道,一般在活性電極中;二是在惰性電極RRAM中,基于氧空位形成的導(dǎo)電細(xì)絲通道。本文將利用第一... 

【文章來源】：安徽大學(xué)安徽省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：79 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－?１存儲(chǔ)器的分類??Ｆｉｇ．?１－１?Ｍｅｍｏｒｙ?ｃｌａｓｓｉｆｉｃａｔｉｏｎｓ??

易失性?非易失性??圖１－?１存儲(chǔ)器的分類??Ｆｉｇ．?１－１?Ｍｅｍｏｒｙ?ｃｌａｓｓｉｆｉｃａｔｉｏｎｓ??１．２非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程??非易失性存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是它的數(shù)據(jù)掉電也可以保持。傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器有??以下幾種：只讀存儲(chǔ)器（ＲＯＭ，Ｒｅａｄ?Ｏｎｌｙ?Ｍｅｍｏｒｙ）、電編程擦除只讀存儲(chǔ)器??（，ＥＥＰＲＯＭ?，Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ?Ｅｒａｓａｂｌｅ?Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ?Ｒｅａｄ?Ｏｎｌｙ?Ｍｅｍｏｒｙ）、基于浮??柵結(jié)構(gòu)的可編程擦除只讀存儲(chǔ)器（ＥＰＲＯＭ?，Ｅｒａｓａｂｌｅ?Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ?ＲＯＭ）、可??編程只讀存儲(chǔ)器（ＰＲＲＯＭ，Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ?Ｒｅａｄ?Ｏｎｌｙ?Ｍｅｍｏｒｙ）和閃存（ｆｌａｓｈ）。??下面對(duì)這幾種傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。??只讀存儲(chǔ)器（ＲＯＭ?）的存儲(chǔ)單元是二極管、ＭＯＳ??（ｍｅｔａｌ－ｏｘｉｄｅ－ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型晶體管或雙極型晶體管等半導(dǎo)體器件。存儲(chǔ)信息??用戶無法進(jìn)行修改，由掩模決定，一般在芯片制造過程就已經(jīng)固定，用于存儲(chǔ)固??定程序。??可編程只讀存儲(chǔ)器（ＰＲＯＭ）在出廠時(shí)，在半導(dǎo)體器件中間加入一根熔??絲。用戶可以對(duì)ＰＲＯＭ進(jìn)行一次編程，采用光照或者電的方式熔斷熔絲寫入數(shù)??據(jù)。熔絲的斷連對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)的“１”和“０”狀態(tài)。由于熔絲熔斷不能重連

分立電荷存儲(chǔ)器分為兩種：納米晶浮柵存儲(chǔ)器和電荷俘獲存儲(chǔ)器。其中，??納米晶存儲(chǔ)器的工作原理是利用納米晶的特性來提升ｆｌａｓｈ的性能，器件的結(jié)構(gòu)??如圖１－３所示。??＿?：?＿??秦：?控制柵???陪擋至化層??隧穿氧化層?；??源?襯底?Ｍ??????????．??圖１－?３納米晶存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)??Ｆｉｇ．?１－３?Ｔｈｅ?ｓｔｒｕｃｔ?ｏｆ?ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ?ｆｌｏａｔｉｎｇ?ｂｏｏｍ?ｍｅｍｏｒ??納米晶存儲(chǔ)器為隧穿氧化層、阻擋絕緣層、控制柵和納米晶構(gòu)成。與傳統(tǒng)的??浮柵型存儲(chǔ)器的差別在于納米晶存儲(chǔ)器的電荷存儲(chǔ)在納米晶上，當(dāng)出現(xiàn)隧穿，產(chǎn)??生了漏電通道時(shí)，絕大部分的電荷還是會(huì)保存在納米晶中。從而提高了數(shù)據(jù)的保??持特性。但是由于納米晶存儲(chǔ)器中的納米晶顆粒具有一定的尺寸，當(dāng)器件尺寸小??到一定程度時(shí)將會(huì)受到限制。電荷俘獲存儲(chǔ)器的工作原理是以化合物材料的深能??級(jí)缺陷為電荷的存儲(chǔ)介質(zhì)，結(jié)構(gòu)如圖１－４所示。??４??

【參考文獻(xiàn)】：
博士論文
[1]基于二元金屬氧化物的阻變存儲(chǔ)器研究[D]. 王艷.蘭州大學(xué) 2012

碩士論文
[1]高密度非揮發(fā)存儲(chǔ)體系的建模與設(shè)計(jì)[D]. 丁益青.復(fù)旦大學(xué) 2008



本文編號(hào)：2897077