21世紀20年代,經歷了三次工業(yè)革命后的黃金歲月,科學技術飛速發(fā)展,智能產品層出不窮,一些譬如人工智能、虛擬與現(xiàn)實技術、物聯(lián)網、汽車電子等新科技興起。高速發(fā)展的信息技術,對人們對信息的處理的能力要求逐漸提升,呈現(xiàn)出了爆炸式增長的趨勢。另一方面,對信息的存儲能力也產生了很高的要求,傳統(tǒng)的存儲器已經逐漸不能滿足人們的需求。傳統(tǒng)的存儲器存在許多限制與缺陷,為了應對這些限制,需要繼續(xù)研發(fā)新的存儲器,如相變存儲器、磁阻存儲器、鐵電存儲器和阻變存儲器（RRAM）等。這些存儲器在固態(tài)磁盤、存儲技術和神經元、存算一體器件等方面受到廣泛應用。其中,基于氧化物半導體材料的阻變存儲器受到了人們關注。阻變存儲器具有結構非常簡單、存儲密度高、RW（讀寫）速度快、功耗低、易縮小集成、CMOS工藝可兼容以及易于實現(xiàn)三維集成等優(yōu)勢。從最初的阻變存儲器的研究到今天已超過50年,但是目前阻變存儲器的阻變機理至今還未明確,仍存在著許多缺點。當前,兩種主流的對導電細絲物理機制的解釋被大家所認可:一是基于金屬元素的擴散形成金屬導電細絲通道,一般在活性電極中;二是在惰性電極RRAM中,基于氧空位形成的導電細絲通道。本文將利用第一... 

【文章來源】：安徽大學安徽省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：79 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－?１存儲器的分類??Ｆｉｇ．?１－１?Ｍｅｍｏｒｙ?ｃｌａｓｓｉｆｉｃａｔｉｏｎｓ??

易失性?非易失性??圖１－?１存儲器的分類??Ｆｉｇ．?１－１?Ｍｅｍｏｒｙ?ｃｌａｓｓｉｆｉｃａｔｉｏｎｓ??１．２非易失性存儲器的發(fā)展歷程??非易失性存儲器的特點是它的數(shù)據(jù)掉電也可以保持。傳統(tǒng)非易失性存儲器有??以下幾種：只讀存儲器（ＲＯＭ，Ｒｅａｄ?Ｏｎｌｙ?Ｍｅｍｏｒｙ）、電編程擦除只讀存儲器??（，ＥＥＰＲＯＭ?，Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ?Ｅｒａｓａｂｌｅ?Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ?Ｒｅａｄ?Ｏｎｌｙ?Ｍｅｍｏｒｙ）、基于浮??柵結構的可編程擦除只讀存儲器（ＥＰＲＯＭ?，Ｅｒａｓａｂｌｅ?Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ?ＲＯＭ）、可??編程只讀存儲器（ＰＲＲＯＭ，Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ?Ｒｅａｄ?Ｏｎｌｙ?Ｍｅｍｏｒｙ）和閃存（ｆｌａｓｈ）。??下面對這幾種傳統(tǒng)非易失性存儲器的發(fā)展歷程進行簡單介紹。??只讀存儲器（ＲＯＭ?）的存儲單元是二極管、ＭＯＳ??（ｍｅｔａｌ－ｏｘｉｄｅ－ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型晶體管或雙極型晶體管等半導體器件。存儲信息??用戶無法進行修改，由掩模決定，一般在芯片制造過程就已經固定，用于存儲固??定程序。??可編程只讀存儲器（ＰＲＯＭ）在出廠時，在半導體器件中間加入一根熔??絲。用戶可以對ＰＲＯＭ進行一次編程，采用光照或者電的方式熔斷熔絲寫入數(shù)??據(jù)。熔絲的斷連對應數(shù)據(jù)的“１”和“０”狀態(tài)。由于熔絲熔斷不能重連

分立電荷存儲器分為兩種：納米晶浮柵存儲器和電荷俘獲存儲器。其中，??納米晶存儲器的工作原理是利用納米晶的特性來提升ｆｌａｓｈ的性能，器件的結構??如圖１－３所示。??＿?：?＿??秦：?控制柵???陪擋至化層??隧穿氧化層?；??源?襯底?Ｍ??????????．??圖１－?３納米晶存儲器的結構??Ｆｉｇ．?１－３?Ｔｈｅ?ｓｔｒｕｃｔ?ｏｆ?ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ?ｆｌｏａｔｉｎｇ?ｂｏｏｍ?ｍｅｍｏｒ??納米晶存儲器為隧穿氧化層、阻擋絕緣層、控制柵和納米晶構成。與傳統(tǒng)的??浮柵型存儲器的差別在于納米晶存儲器的電荷存儲在納米晶上，當出現(xiàn)隧穿，產??生了漏電通道時，絕大部分的電荷還是會保存在納米晶中。從而提高了數(shù)據(jù)的保??持特性。但是由于納米晶存儲器中的納米晶顆粒具有一定的尺寸，當器件尺寸小??到一定程度時將會受到限制。電荷俘獲存儲器的工作原理是以化合物材料的深能??級缺陷為電荷的存儲介質，結構如圖１－４所示。??４??

【參考文獻】：
博士論文
[1]基于二元金屬氧化物的阻變存儲器研究[D]. 王艷.蘭州大學 2012

碩士論文
[1]高密度非揮發(fā)存儲體系的建模與設計[D]. 丁益青.復旦大學 2008



本文編號：2897077