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低壓差分信號(hào)接口系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2020-11-04 03:27
   近年來(lái),為適應(yīng)信息技術(shù)的發(fā)展,高速處理器、多媒體、虛擬現(xiàn)實(shí)和網(wǎng)絡(luò)技術(shù)要求信號(hào)的帶寬越來(lái)越大,多信道應(yīng)用日益普及,所需傳送的數(shù)據(jù)量越來(lái)越大,速度越來(lái)越快;此外,隨著電子產(chǎn)品向便攜式發(fā)展,低功耗也成為一個(gè)突出的要求。目前存在的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)物理層接口如RS-422、RS-485、SCSI以及其它數(shù)據(jù)傳輸標(biāo)準(zhǔn)在速度、噪聲、EMI、功耗、成本等方面所固有的限制越來(lái)越難以勝任此任務(wù),采用新的技術(shù)解決I/O接口問(wèn)題成為必然趨勢(shì)。 低電壓差分信號(hào)(LVDS, Low Voltage Differential Signaling)傳輸技術(shù)的出現(xiàn)為解決數(shù)據(jù)傳輸瓶頸問(wèn)題提供了可能。LVDS信號(hào)擺幅低,故能提高傳輸速度、減小功耗;LVDS以差分形式傳輸信號(hào),故具有低噪聲和低電磁干擾等優(yōu)點(diǎn)。 本論文基于HJTC 0.35μm CMOS數(shù);旌瞎に,研究工作主要包括LVDS的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、LVDS基本模塊電路的實(shí)現(xiàn)和LVDS接口系統(tǒng)仿真。系統(tǒng)結(jié)構(gòu)部分主要講述LVDS標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)參數(shù)、基本工作原理、體系結(jié)構(gòu)及系統(tǒng)的設(shè)計(jì),論文根據(jù)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)將LVDS傳送電路分為五大模塊:帶隙基準(zhǔn)、鎖相環(huán)、8位串行化器、傳送器和接收器。 設(shè)計(jì)完上述的模塊后對(duì)LVDS接口系統(tǒng)和MOS管尺寸進(jìn)行優(yōu)化,并在輸入信號(hào)速率為1.0Gbps情況下應(yīng)用HJTC0.35um CMOS混合信號(hào)工藝在Cadence Spectre環(huán)境中對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行仿真,結(jié)果表明系統(tǒng)各項(xiàng)技術(shù)參數(shù)完全符合LVDS標(biāo)準(zhǔn)。
【學(xué)位單位】:武漢科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2007
【中圖分類】:TP334.7
【部分圖文】:

系統(tǒng)連接


需要傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量越來(lái)越大,速度越來(lái)越快。在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,由集的電子系統(tǒng)朝著大規(guī)模、小體積、低電壓、高速度的方向發(fā)展,電路的布大,由此導(dǎo)致的系統(tǒng)功耗、數(shù)據(jù)傳輸?shù)挠行、可靠性、信?hào)竄擾和噪聲顯現(xiàn)出來(lái)[1]。目前,采用降低電壓的方法不僅可以減少高密度集成電路的于提高集成度,而且可以提高信號(hào)傳輸速率、降低信號(hào)間的串?dāng)_,是集成方向;而采用差分信號(hào)傳輸則可以有效克服共模噪聲。因此,在集成電路領(lǐng)域,一種新的信號(hào)傳輸方式LVDS(低電壓差分信號(hào))出現(xiàn)了,LVDS以度、低功耗的優(yōu)點(diǎn)解決了高速數(shù)據(jù)傳輸這一瓶頸問(wèn)題[2]。 簡(jiǎn)介(Low Voltage Differential Signaling)是 20 世紀(jì) 90 年代才出現(xiàn)的一種數(shù)據(jù)。這種技術(shù)的核心是采用極低的電壓擺幅(350mV)高速差動(dòng)傳輸數(shù)據(jù),可一點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)的連接,具有低功耗、低誤碼率、低串?dāng)_和低輻射等特點(diǎn)。接口電路由驅(qū)動(dòng)器、互連單元和接收器組成,如圖1.1所示。傳送器(Transeceiver)主要完成TTL/CMOS信號(hào)和LVDS信號(hào)之間的轉(zhuǎn)換,互連單元包含導(dǎo)線對(duì)以及匹配電阻。

電路原理圖,帶隙基準(zhǔn),電路原理圖


LVDS系統(tǒng)設(shè)計(jì)的重要工作之一。3.2.1 帶隙基準(zhǔn)電路的原理如圖3.6所示,帶隙基準(zhǔn)(Bandgap Reference)電路的工作原理是根據(jù)硅材料的帶隙電壓和溫度無(wú)關(guān)的特性,利用雙極型晶體管BEV 的負(fù)溫度系數(shù)與BEΔV 的正溫度系數(shù)相互抵消,實(shí)現(xiàn)低溫漂、高精度的基準(zhǔn)電壓。雙極型晶體管提供負(fù)溫度系數(shù)的基極和發(fā)射極偏壓BEV ;由兩個(gè)晶體管之間的BEΔV 產(chǎn)生正溫度系數(shù)的TV ,通過(guò)電阻網(wǎng)絡(luò)將TV 放大α 倍;最后將兩個(gè)電壓相加,即REF BE TV = V +α V,調(diào)整電阻網(wǎng)絡(luò)以適當(dāng)選擇放大倍數(shù)α ,使兩個(gè)電壓的溫度漂移相互抵消

電路圖,帶隙基準(zhǔn),電路


R : R = 1:1。3.2.2 帶隙基準(zhǔn)電路的設(shè)計(jì)與仿真根據(jù)以上的原理和計(jì)算,設(shè)計(jì)出如圖3.7所示的帶隙基準(zhǔn)電路。圖3.7 帶隙基準(zhǔn)電路觀察圖3.7可知,帶隙基準(zhǔn)電路包括啟動(dòng)電路、核心電路和輸出電路三部分。啟動(dòng)電路的作用是當(dāng)電路上電時(shí)保證帶隙基準(zhǔn)電路能夠迅速達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)。具體的工作過(guò)程是:在上電的瞬間,outV 為低電平,由M2、M5和M3、M4構(gòu)成的兩級(jí)反相使得M1的柵極為低電平,則M1導(dǎo)通,outV 開(kāi)始上升。當(dāng)電路穩(wěn)定工作后M1的柵極電壓為高電平,則M1關(guān)斷。在本設(shè)計(jì)中帶隙基準(zhǔn)電壓outV 為1.224V,為了保證由M2、M5組成的反相器輸出為低電平
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本文編號(hào):2869543

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