隨著CMOS技術(shù)接近其物理極限,出現(xiàn)了很多新的解決方案。納電子學(xué)能夠克服現(xiàn)有的半導(dǎo)體工業(yè)所固有的限制,逐漸成為最有前景的技術(shù)之一,最近已經(jīng)取得了不少突破。在本文中,首先我們描述了幾種納米器件的原理,介紹了一個(gè)用于納電子器件模擬的UDM模型(Universal Device Model)。納米器件所帶來的好處與缺點(diǎn)也進(jìn)行了概述。 本文通過對(duì)UDM模型原理的分析,提出了適合納米交叉器件的擬合精度高、擬合公式相對(duì)比較簡(jiǎn)單的方法,并討論了各種因素對(duì)擬合結(jié)果產(chǎn)生的影響。該方法能夠有效地模擬納米交叉結(jié)構(gòu)的雙穩(wěn)態(tài)磁滯型伏安特性曲線。 基于納米交叉桿的存儲(chǔ)器一般由外圍的微-納結(jié)構(gòu)多路選擇器和內(nèi)部的存儲(chǔ)陣列組成,一般的訪問方法會(huì)出現(xiàn)“誤讀”現(xiàn)象,要通過接地等措施予以消除。要想在高密度存儲(chǔ)的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)快速讀寫必須研究并行讀寫方法。并行讀寫的基礎(chǔ)是并行尋址,一種可選的并行尋址方式是地址加掩碼的模式,這種模式后再加一個(gè)篩選向量即可大大增加并行尋址的靈活度。納米交叉桿存儲(chǔ)器的并行寫可分為寫1和寫0兩個(gè)子過程,安排最佳的并行訪問方式是二維平面上的背包問題。并行讀過程可以一次將一行或一列的內(nèi)容讀取出來。
【學(xué)位單位】：國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位年份】：2008
【中圖分類】：TN401;TP333

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