發(fā)布時間：2020-09-18 19:54

　　 目前阻變存儲器材料研究的成為人們研究的熱點領(lǐng)域,阻變存儲器有望成為下一代存儲器件的領(lǐng)導者,阻變存儲器憑借與CMOS工藝相互兼容優(yōu)點,很有希望取代其他類型的存儲器。本文基于泛函密度理論(DFT)的第一性原理的方法,通過圖形化的界面構(gòu)建Ag/ZnO/Pt器件的結(jié)構(gòu)模型,計算器件的IV特性曲線。本文采用國際最先進的材料模擬軟件ATK進行模擬仿真,理論的實驗基礎(chǔ)為清華大學潘峰課題組關(guān)于ZnO材料的阻變存儲器研究。本文從理論上采用第一性原理的方法進行模擬和計算。為了準確的計算半導體氧化鋅材料的能帶,分別設(shè)置交關(guān)聯(lián)函數(shù)為LDA、GGA、GGA+U、MGGA四種方案分別進行計算。采用MGGA的方法克服了用LDA、GGA的計算半導體材料的不準確性,計算的Zn0的禁帶寬度與實驗的結(jié)果比較接近。器件兩端加上不同電壓的時候,對Zn0材料的禁帶寬度有影響,當在器件的兩端加電場時,導致Zn0禁帶寬度的減小,隨著施加電壓的增大,計算的半導體材料ZnO的禁帶寬度減小�？紤]ZnO晶體結(jié)構(gòu)、無定形狀態(tài)以及工藝環(huán)境對材料的影響,主要研究ZnO晶體高溫退火后產(chǎn)生無定形態(tài)。通過比較晶體結(jié)構(gòu)與無定形結(jié)構(gòu)的徑向分布函數(shù)、配位數(shù)分布函數(shù)的變化,來確定高溫退后過程中ZnO晶體結(jié)構(gòu)的變化。通過計算晶體結(jié)構(gòu)與無定形結(jié)構(gòu)中氧空位的形成能,發(fā)現(xiàn)在無定形的晶體結(jié)構(gòu)中,氧空位的形成能較低,能夠獲得高的擦寫速度和低的工作電壓。晶體結(jié)構(gòu)中氧空位的形成能比較高,在無定形的結(jié)構(gòu)中氧空位的形成能為負值說明在無定形結(jié)構(gòu)中氧空位能自發(fā)的形成。計算不同電極材料金屬表面的功函數(shù),包括:Ag(100)、Ag(111)、Pt(100)、Pt(111)、Pt(001)、Cu(100)、Cu(111)。比較金屬表面功函數(shù)的大小,如果構(gòu)建的器件的模型結(jié)構(gòu)兩種金屬表面的功函數(shù)相近或者中間絕緣體表面的功函數(shù)與金屬表明的功函數(shù)相近,這樣構(gòu)建的界面的結(jié)構(gòu)容易形成歐姆接觸。如果界面的結(jié)構(gòu)為兩種界面的功函數(shù)差距較大,這樣構(gòu)建的器件的表面的模型,容易形成非歐姆接觸,在ⅣV特性上表現(xiàn)為非線性關(guān)系。本文研究Pt原子在Pt(100)表面的擴散的情況:一種方式是直接的跳躍的過程,Pt原子直接從原來的位置直接跳出Pt(100)表面:另一種情況是交換擴散的情況,就Pt原子與周圍的Pt原子交換之后,跳出Pt(100)表面。分別計算了這兩種情況下的遷移勢壘,以交換擴散為主。研究在ZnO器件中摻入雜質(zhì)元素,對于阻變器件的影響。計算結(jié)果表明摻入Ag元素,有利于金屬導電細絲的形成,從而顯著的改變了器件的阻變特性。計算了 ZnO晶體結(jié)構(gòu)和摻入雜質(zhì)之后的ⅣV特性曲線,從器件Ⅳ特性的角度分析,摻入金屬元素之后,引入了雜質(zhì)能級,使ZnO的能帶減小,計算的器件的Ⅳ特性曲線表現(xiàn)為非線性。構(gòu)建Ag/ZnO/Pt器件的結(jié)構(gòu),計算器件的Ⅳ特性曲線。具體研究不同的電極材料對體系的影響,為選擇合適的電極材料提供參考。在Ag/ZnO/Pt器件的結(jié)構(gòu)進行元素的摻雜,計算器件的Ⅳ特性曲線。從微觀機理的角度分析器件的結(jié)構(gòu)的模型,從考慮摻雜與沒有摻雜的情況,適當?shù)奶岣呓饘贀诫s的濃度,有利于阻變器件性能的改善,實驗中應該考慮摻雜的類型和摻雜的濃度來提高阻變器件的性能。
【學位單位】：安徽大學
【學位級別】：碩士
【學位年份】：2018
【中圖分類】：TP333

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本文編號：2822101