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基于14nm工藝信號處理CPU模塊的后端設(shè)計與功耗優(yōu)化

發(fā)布時間:2020-09-14 11:47
   近年來,集成電路工藝節(jié)點向14 nm和7 nm不斷推進,芯片設(shè)計的復(fù)雜度增加引起整體功耗和單位面積功耗密度急劇上升,導(dǎo)致芯片的可靠性和穩(wěn)定性降低。如何在新工藝和新技術(shù)背景下實現(xiàn)低功耗的設(shè)計目標,成為芯片設(shè)計密切關(guān)注的問題。本文的研究對象是某基帶芯片中的信號處理CPU模塊,該模塊規(guī)模約為111萬門,最高頻率為850 MHz;谟⑻貭14 nm工藝,使用Design Compiler完成了基于UPF的低功耗邏輯綜合,使用IC Compiler II完成了模塊基于UPF的物理設(shè)計,使用Cadence Conformal完成了邏輯等價性檢查,使用Power Compiler和PrimeTime PX進行功耗分析并在綜合階段和物理設(shè)計階段進一步優(yōu)化模塊的功耗。本文取得的主要研究成果如下:(1)通過UPF描述信號處理CPU模塊的供電需求和低功耗設(shè)計需求,首先完成了基于UPF的低功耗邏輯綜合,綜合完成后對設(shè)計的時序,功耗和面積進行評估。然后在低功耗綜合結(jié)果的基礎(chǔ)上權(quán)衡時序的要求,進一步優(yōu)化功耗:通過調(diào)整ICG的fanout使功耗優(yōu)化1%;通過合理設(shè)置建立時間過約束使功耗優(yōu)化0.8%。功耗優(yōu)化結(jié)果表明,Ma Corner下模塊的綜合功耗由原來的34.1905 mW進一步降低到33.6575mW,優(yōu)化了1.6%,效果較為顯著;建立時間違例為-64.9 ps,在可接受范圍內(nèi);模塊面積較優(yōu)化之前減少了0.7%。最后對RTL和綜合網(wǎng)表進行邏輯等價性檢查。(2)基于功耗優(yōu)化后的綜合結(jié)果,完成了模塊基于UPF的低功耗物理設(shè)計。在floorplan階段:定義模塊的面積和形狀,進行IO規(guī)劃,劃分物理電壓域,擺放hard macro,插入物理單元,構(gòu)建供電網(wǎng)絡(luò);然后進行標準單元布局,時鐘樹綜合及優(yōu)化,布線及優(yōu)化,最后對綜合和物理設(shè)計網(wǎng)表進行邏輯等價性檢查。(3)在基于UPF的低功耗物理設(shè)計過程中,使用了四種方法進一步優(yōu)化功耗:第一,通過優(yōu)化floorplan使功耗降低7%;第二,通過優(yōu)化標準單元布局使功耗降低5%;第三,使用SAIF輔助功耗優(yōu)化使功耗降低4%;第四,在物理設(shè)計中使用Synopsys公司的AWP模型使功耗降低0.7%。功耗優(yōu)化后,模塊的建立時間違例為-79.537 ps,保持時間違例為-207.944 ps,均可通過后續(xù)時序迭代達到收斂;模塊的面積由頂層分配,在物理設(shè)計和功耗優(yōu)化階段未改變;功耗優(yōu)化結(jié)果表明,在物理設(shè)計階段同時采用以上方法,Mrv corner下功耗由原來的71.5 mW進一步降低到61.6 mW,優(yōu)化了14%,效果顯著。該模塊所屬的基帶芯片已經(jīng)于2018年9月順利流片,目前處于測試階段,文中運用的綜合與物理設(shè)計方法對先進工藝高性能芯片的后端設(shè)計具有一定的參考價值,在綜合和物理設(shè)計過程中使用的功耗優(yōu)化方法也具有一定范圍的適用性。
【學(xué)位單位】:西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:TP332;TN402
【部分圖文】:

物理設(shè)計,電源開關(guān),單元,門控


map_power_switch PS_BLOCK_DIG_dc1 -domain PD_BLOCK_SW_DIG xxxxxxx-lib_cells " libcell1 libcell2"圖3.3 物理設(shè)計中的電源開關(guān)單元截圖3.2.4 定義隔離單元實現(xiàn)電源門控需要在可關(guān)斷 power domain 和常開 power domain 之間插入隔離單

物理設(shè)計


物理設(shè)計中的隔離單元截圖

物理設(shè)計,單元,供電電壓,低功耗設(shè)計


map_retention_cell RET_PD_BLOCK_SW_DIG -domainPD_BLOCK_SW_DIG xxx-lib_cells "libcell1…"圖3.5 物理設(shè)計中的保持單元截圖3.2.6 定義電源狀態(tài)信息根據(jù)設(shè)計的需求,不同的工作狀態(tài)對應(yīng)不同的電壓。功耗與電壓的平方成正比,因此降低供電電壓是低功耗設(shè)計的基本方法,例如本模塊中內(nèi)核的供電電壓為 0.77V,相比于上一代產(chǎn)品其相應(yīng)的供電電壓降低了 0.1V。通過 add_power_state 為之前定義

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本文編號:2818136

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