基于14nm工藝信號處理CPU模塊的后端設(shè)計與功耗優(yōu)化
【學(xué)位單位】:西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:TP332;TN402
【部分圖文】:
map_power_switch PS_BLOCK_DIG_dc1 -domain PD_BLOCK_SW_DIG xxxxxxx-lib_cells " libcell1 libcell2"圖3.3 物理設(shè)計中的電源開關(guān)單元截圖3.2.4 定義隔離單元實現(xiàn)電源門控需要在可關(guān)斷 power domain 和常開 power domain 之間插入隔離單
物理設(shè)計中的隔離單元截圖
map_retention_cell RET_PD_BLOCK_SW_DIG -domainPD_BLOCK_SW_DIG xxx-lib_cells "libcell1…"圖3.5 物理設(shè)計中的保持單元截圖3.2.6 定義電源狀態(tài)信息根據(jù)設(shè)計的需求,不同的工作狀態(tài)對應(yīng)不同的電壓。功耗與電壓的平方成正比,因此降低供電電壓是低功耗設(shè)計的基本方法,例如本模塊中內(nèi)核的供電電壓為 0.77V,相比于上一代產(chǎn)品其相應(yīng)的供電電壓降低了 0.1V。通過 add_power_state 為之前定義
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本文編號:2818136
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