隨著人類邁入網(wǎng)絡(luò)化和數(shù)字化時(shí)代，信息技術(shù)已成為促進(jìn)科技進(jìn)步和社會(huì)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)。在此情況下，光存儲(chǔ)技術(shù)在信息社會(huì)中發(fā)揮著越來越重要的作用。本文對光存儲(chǔ)領(lǐng)域的現(xiàn)狀及其進(jìn)展進(jìn)行了比較詳盡的介紹，并展望了超高密度光存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展趨勢。信息技術(shù)的發(fā)展急需開發(fā)更高存儲(chǔ)密度的光存儲(chǔ)系統(tǒng)，由于近場光學(xué)存儲(chǔ)在超高密度信息存儲(chǔ)方面有著很大的發(fā)展?jié)摿皯?yīng)用前景，使其近年來得到了廣泛的關(guān)注。 本文重點(diǎn)闡述了近場光學(xué)存儲(chǔ)的原理，總結(jié)了幾種近場光學(xué)存儲(chǔ)系統(tǒng)的研究進(jìn)展，分析了各種方法的優(yōu)勢以及存在的問題。在此基礎(chǔ)上，根據(jù)超高密度近場光存儲(chǔ)前期專項(xiàng)的研究內(nèi)容，設(shè)計(jì)了一種實(shí)現(xiàn)超高密度近場光學(xué)存儲(chǔ)的探針型方法——將集成的PD-VCSEL-Tip微型SNOM讀寫尖安裝在原子力顯微鏡的微型彈力臂上，組成信息讀寫的系統(tǒng)，最終可以達(dá)到通過使用VCSEL陣列作為光源的集成讀寫尖，實(shí)現(xiàn)信息的高密度與高速度的讀寫。 本文在現(xiàn)有的實(shí)驗(yàn)條件下，初步完成了近場光學(xué)存儲(chǔ)的基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)研究。研究內(nèi)容包括：進(jìn)行了VCSEL激光器的各項(xiàng)基本測試，分析了Ge-Sb-Te膜與GaAs微探針尖的特性，并且對VCSEL出射光通過各種方式照射到Ge-Sb-Te膜上使其表面發(fā)生的熱效應(yīng)進(jìn)行了理論計(jì)算與模擬。本文設(shè)計(jì)了此種高密度探針型近場光學(xué)存儲(chǔ)系統(tǒng)的分步實(shí)現(xiàn)方案，并初步實(shí)現(xiàn)了VCSEL的出射光通過聚焦對Ge-Sb-Te膜的讀寫。論文的最后指出了實(shí)現(xiàn)這種探針型近場光學(xué)存儲(chǔ)的難點(diǎn)，并對以后的工作進(jìn)行了展望。
【學(xué)位單位】：大連理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位年份】：2007
【中圖分類】：TP333.4
【部分圖文】：

實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)。超高密度存儲(chǔ)方法相比，近場光學(xué)存儲(chǔ)主要有以下優(yōu)點(diǎn):密度、大容量:讀寫光斑小，大大提高了存儲(chǔ)的密度，使得存儲(chǔ)容量著近場光存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)一步完善，還可以獲得比較高的數(shù)據(jù)傳輸速率充分利用已有存儲(chǔ)技術(shù):如硬盤驅(qū)動(dòng)器中的空氣懸浮磁頭技術(shù)和光盤技術(shù)，而不必另外再去進(jìn)行新的系統(tǒng)設(shè)計(jì)與開發(fā)，因而有助于減低產(chǎn)爭優(yōu)勢。立的己能夠進(jìn)行存取數(shù)據(jù)操作的實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)可分為3種:(l)固體浸沒透(2)超分辨率近場結(jié)構(gòu)(SuPer--RENS)存儲(chǔ);(3)探針掃描顯微術(shù)(PSM方法都是通過不同方法縮小記錄光斑來提高存儲(chǔ)密度。體浸沒透鏡近場存儲(chǔ)儲(chǔ)方案是通過使用高數(shù)值孔徑的固體浸沒透鏡(SIL)來減小讀寫光斑結(jié)構(gòu)如圖1.2所示。

三是SIL的光學(xué)鏡頭與記錄盤片之間的間距要始終保持在近場范圍內(nèi)，利用近場藕合來對盤片進(jìn)行讀寫。對此不少人提出了改進(jìn)的方法，Hirota等人提出了利用尖銳的圓錐尖形狀來保持固體浸沒透鏡底部與記錄介質(zhì)的間距【‘61，如圖1.4的設(shè)計(jì)對于保持半球物鏡與記錄介質(zhì)的近場距離很有幫助。另外，微弱的近場光信號(hào)的探測需要很高靈敏度的探測器，同時(shí)要去除背景噪聲的影響。b侖Om已郎l寧愉ro比勇均e朽，e陌舫 /////...尸喂 喂 ttt/////l111{{{乙 乙萬 {{{l///[[[}}}l」 」 22222廠 ---r-...({{{ }}}}}{{{‘‘’’功日日 圖 1.4改進(jìn)的利用固浸物鏡實(shí)現(xiàn)近場光存儲(chǔ)的原理圖 Fig.1.4SILandProbecombinationinsertedbetweenafoeusingobjectiveandtherecording一layer 1.3.2超分辨率近場結(jié)構(gòu) (SuPeoRENS)存儲(chǔ)Supe二RENS具有多層膜系，它是利用孔徑層介質(zhì)在強(qiáng)光作用下的非線性效應(yīng)和表面等離子激元場增強(qiáng)效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)亞波長尺寸光學(xué)存儲(chǔ)的，原理如圖1.5所示。它在盤片中距記錄層加Iun處加掩膜層，其中核心的sb或Agox稱為孔徑開關(guān)層，作用與納米孔徑相同。當(dāng)一定功率的激光束作用到孔徑開關(guān)層上時(shí)，在孔徑開關(guān)層與保護(hù)層之間形成表面等離子體

超高密度近場光存儲(chǔ)中對膜寫入的分析與實(shí)驗(yàn)內(nèi)所產(chǎn)生的光斑直徑要小于衍射極限分辨尺寸，r一RENs技術(shù)最早由日本JunjiTominaga博士等ox作為掩膜層材料，并以此將SuPer一RENS分為

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本文編號(hào)：2808851