面向3D堆疊的非易失性內(nèi)存壓縮和磨損均衡技術(shù)
【學位授予單位】:華中科技大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2019
【分類號】:TP333
【圖文】:
4. 本次NVM寫操作流程結(jié)束。圖2.2 面向3D堆疊的NVM內(nèi)存壓縮系統(tǒng)的NVM寫操作流程圖2.3是面向3D堆疊的NVM內(nèi)存壓縮系統(tǒng)的NVM讀操作流程,其具體步驟如下:1. 在最后一級高速緩存發(fā)生數(shù)據(jù)缺失,從而觸發(fā)NVM的讀操作;圖2.3 面向3D堆疊的NVM內(nèi)存壓縮系統(tǒng)的NVM讀操作流程
科 技 大 學 碩 士 學 位 論_tag值,根據(jù)comp_tag值判斷數(shù)據(jù)是否已經(jīng)被壓5;tag,根據(jù)addr_tag的值從NVM內(nèi)存中相應(yīng)位置縮后的數(shù)據(jù)讀到ZD-FVC解壓縮模塊;壓縮模塊根據(jù)comp_tag的值對數(shù)據(jù)進行解壓縮,數(shù)據(jù)讀入到讀緩沖區(qū);M內(nèi)存中相應(yīng)位置處讀取數(shù)據(jù),并將該數(shù)據(jù)讀入速緩存從讀緩沖區(qū)讀取數(shù)據(jù),本次NVM讀操作
華 中 科 技 大 學 碩 士 學 位 論 文3. 此時只需將ZD壓縮標識位comp_tag置‘0’,同時將64B數(shù)據(jù)的原始數(shù)據(jù)寫入相應(yīng)的NVM內(nèi)存中即可,轉(zhuǎn)步驟5;4. 將4B的Bit Map寄存器R中值寫入零塊標識位zero_prefix中,即寫入該NVM內(nèi)存的前4B中,然后將Bit Map寄存器R中值為1的對應(yīng)的(32-N)個2B數(shù)據(jù)塊依次寫入第5B起的連續(xù)內(nèi)存中;轉(zhuǎn)步驟5;5. ZD數(shù)據(jù)壓縮操作結(jié)束。
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