發(fā)布時間：2020-08-21 10:50

【摘要】：嵌入式SRAM是片上系統(tǒng)(SoC)中集成度最高的元器件,且SoC的支配主體也從邏輯部件轉(zhuǎn)變?yōu)榇鎯ζ?多端口SRAM能通過不同的端口對存儲單元進(jìn)行同時存取,被大量應(yīng)用在各種SoC中。因此研究嵌入式多端口SRAM的內(nèi)建自測試、自診斷具有重要的意義,它是實現(xiàn)故障修復(fù),提高SoC成品率的關(guān)鍵技術(shù)。 本文以嵌入式多端口SRAM的內(nèi)建自測試與內(nèi)建自診斷技術(shù)為研究內(nèi)容。首先,介紹了嵌入式存儲器內(nèi)建自測試、自診斷技術(shù)的研究背景、意義,總結(jié)了國內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展前景等。其次,為快速測試嵌入式多端口SRAM端口間的故障,提出一種基于結(jié)構(gòu)故障模型的故障測試算法:w-r算法和w-w算法。w-r算法由March C-算法擴(kuò)展得到,即讓一個端口執(zhí)行March C-算法的同時另一個端口于偏移量為±2的地址并行執(zhí)行偽讀操作,能有效測試兩個讀端口及一個讀端口與一個寫端口之間的故障,并考慮存儲器的規(guī)則結(jié)構(gòu)給出了其簡化算法;w-w算法可有效激發(fā)兩個寫端口之間的各種故障,并使之適用于不同物理布局的存儲器,在保證時間復(fù)雜度合理的前提下提高了端口間的故障覆蓋率。然后,為詳細(xì)診斷嵌入式多端口SRAM的端口間故障,又提出一個高效的多端口SRAM故障診斷算法DDA,此算法由WDDA和BDDA兩部分組成,能分別詳細(xì)地診斷字線間和位線間的故障類型及位置,為故障修復(fù)以及存儲器的生產(chǎn)制造提出恰當(dāng)建議。最后,通過將故障注入到32×8位的雙口SRAM中,運用構(gòu)建的內(nèi)建自測試(BIST)系統(tǒng)執(zhí)行算法,仿真實驗表明:一旦故障被測試算法檢測出來,DDA算法能詳細(xì)定位故障類型和位置,驗證了其時間復(fù)雜度低,具有100%的端口間故障覆蓋率及詳細(xì)的故障類型診斷,實現(xiàn)了對嵌入式多端口SRAM快速測試、詳細(xì)診斷的功能。 整個系統(tǒng)運用VHDL編碼實現(xiàn),利用Xilinx ISE集成的XST工具綜合,調(diào)用ModelSim SE軟件進(jìn)行時序仿真,驗證方案的可行性。
【學(xué)位授予單位】：南京航空航天大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2011
【分類號】：TP333
【圖文】：

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端口 SRAM 的故障測試展開研究，所以先介紹雙端口 SRAM統(tǒng)的認(rèn)識。雙端口 SRAM 包括與時鐘異步的類型和與時鐘同M 在從左右兩個端口向同一地址訪問發(fā)生沖突時，利用 BUSY型雙端口 SRAM 的各引腳信號都是利用時鐘進(jìn)行采樣操作，不。本文介紹異步類型雙端口 SRAM 的工作原理，如圖 1.2 所

有的器件將賦予 LEFT 端口訪問的權(quán)限，而向有的器件會賦予 RIGHT 端口訪問的權(quán)限，而向 LEFT 端（M/S）信號功能，以從屬器件追隨主器件的仲裁功能的RAM 允許通過兩個端口同時對存儲單元進(jìn)行存取，它的存倍。目前，這種存儲器已被廣泛的應(yīng)用在多處理器系統(tǒng)、當(dāng)中，另外在不同時鐘域下的數(shù)據(jù)通信等場合也得到了廣介紹電路存儲數(shù)據(jù)，通過在字線和位線上施加電壓和電流可以不同，SRAM 主要有 3 種形式的存儲單元[5]：采用 PMO利用大電阻 HRL（high resitive load）作負(fù)載的存儲單元ransistor）作負(fù)載的存儲單元。用電阻作負(fù)載的存儲單元靜的場合。用薄膜晶體管作負(fù)載可減小單元面積，但電流驅(qū)壓上應(yīng)用較為廣泛。本文簡單介紹標(biāo)準(zhǔn) 8 管 CMOS 型存

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本文編號：2799285