64位高性能微處理器中存儲(chǔ)管理單元的研究與實(shí)現(xiàn)
【學(xué)位授予單位】:同濟(jì)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2007
【分類號(hào)】:TP332
【圖文】:
TLB與Caehel作示意圖
CMOS門鎖效應(yīng)的成因
下圖4.巧是仿真得到的波形圖。圖中顯示了兩個(gè)連續(xù)的時(shí)鐘周期的情況,輸入分別從高電平跳到低電平和從低電平跳到高電平。從波形圖上可以看出,輸出結(jié)果能夠在下個(gè)時(shí)鐘周期到達(dá)之前到達(dá)。仿真結(jié)果如表4.3所示,1皮秒二10一3納秒:
【相似文獻(xiàn)】
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本文編號(hào):2786572
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