【摘要】： 近場(chǎng)光存儲(chǔ)正迅速發(fā)展成為下一代光信息存儲(chǔ)器的主流技術(shù),而現(xiàn)在將表面等離子體激元在近場(chǎng)光學(xué)中的一些特性應(yīng)用于超高密度光信息儲(chǔ)存也是國(guó)際上的一個(gè)研究熱點(diǎn)。 本文以應(yīng)用于超高密度近場(chǎng)光存儲(chǔ)的表面等離子體增強(qiáng)型納孔光探針為研究重點(diǎn),對(duì)表面等離子體激元的物理機(jī)理進(jìn)行了分析,模擬設(shè)計(jì)了單個(gè)納米孔,納米孔陣列及納米孔外加光柵結(jié)構(gòu)的納米器件,在此基礎(chǔ)上對(duì)器件制備工藝進(jìn)行了深入的研究,通過(guò)對(duì)器件的測(cè)試與分析,發(fā)現(xiàn)表面等離子激元對(duì)納米孔的透過(guò)光波長(zhǎng)和透過(guò)光強(qiáng)度有一定的選擇和增強(qiáng)作用,為實(shí)現(xiàn)T密度光存儲(chǔ)奠定了基礎(chǔ)。
【學(xué)位授予單位】：長(zhǎng)春理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2009
【分類號(hào)】：TP333.4
【圖文】：

驅(qū)動(dòng)器的飛控系統(tǒng)與現(xiàn)有硬盤的飛控系統(tǒng)兼容性好等優(yōu)點(diǎn)，正迅速成為近場(chǎng)光存儲(chǔ)器研究的熱點(diǎn)，而且正快速的往產(chǎn)業(yè)化邁進(jìn)，其核心部分是采用微納加工技術(shù)制備的集成VCSEL陣列、微透鏡和納孔光探針陣列的近場(chǎng)光學(xué)讀寫頭，如圖1.1所示。孔徑探針存儲(chǔ)的原理與近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡類似，采用直徑為納米量級(jí)的孔徑探針尖端作為記錄頭，并控制探針尖端與記錄介質(zhì)的間距在近場(chǎng)范圍內(nèi)，入射光束通過(guò)探針后再近場(chǎng)區(qū)內(nèi)的光束直徑是由探針尖端的尺寸決定的，將樣品置于這一近場(chǎng)區(qū)域，可獲得直徑小于%的記錄點(diǎn)。圖1.1集成式近場(chǎng)光學(xué)光讀寫頭目前采用微納加工技術(shù)制備的納孔光探針的透光孔可以形成束徑為數(shù)十納米的讀寫光束，極大的提高了光盤的存儲(chǔ)能力。理論上5.25“標(biāo)準(zhǔn)光盤的單面存儲(chǔ)量達(dá)到103G(刀比特量級(jí)，若采用陣列形式，存儲(chǔ)速度也將提高數(shù)十倍。但是由于納孔光探針f

近場(chǎng)_卻1提浮尺度為小球的獷行千近場(chǎng)光學(xué)概念圖當(dāng)光和物體發(fā)生相互作用后，如圖1.2所示，除了反射光、散射光和透射光以外，在物體表面形成近場(chǎng)光，也稱隱失波、表面波、倏逝波 (evaneSCentwave)【‘’，它是攜帶物體信息的光場(chǎng)分布，可以使用該場(chǎng)砂面(即z二O平面上的場(chǎng))的復(fù)振幅E(x，y，0)的分布特性來(lái)表示樣品。E(x，y

1998年Ebbesen等人在實(shí)驗(yàn)中首次發(fā)現(xiàn)【5，，光垂直通過(guò)具有周期性小孔陣列的金屬薄膜時(shí)，在某些特定的波長(zhǎng)位置會(huì)出現(xiàn)透射率遠(yuǎn)大于經(jīng)典理論預(yù)測(cè)的異常光透射 EoT(extraodinaryopticaltransmission)現(xiàn)象，如圖1.4左所示，在Zoonm厚Ag薄膜上，周期a。一0.9群m，直徑為150nm的孔陣列的透射光譜，在幾=326nm處觀察到極窄的銀表面等離子體峰且隨著銀薄膜的變厚而消失，特別是在某些長(zhǎng)波長(zhǎng)處出現(xiàn)了明顯的透射增強(qiáng)峰，遠(yuǎn)大于經(jīng)典理論計(jì)算值。一尹

本文編號(hào)：2761454