【摘要】： 在消費類電子領(lǐng)域,經(jīng)常要用到NAND Flash存儲器,特別是ARM嵌入式系統(tǒng)更是不可少,Flash通常分為NOR FlaLsh和NAND Flash,出于成本考慮,現(xiàn)在的ARM都支持NAND Flash啟動;目前在PMP類和GPS類終端設(shè)備中特別是ARM開發(fā)板中,所采用的Flash大多都是64MB,受MP3、播放器影響,大頁(2k/page)Flash出貨量大,同容量價格反比小頁NAND低;OEM工廠和外貿(mào)公司對BOM成本很敏感,Cost Down時緊緊訂住NAND Flash,由于最初方案都是64MB,在GPS行業(yè)至今尚沒大頁NAND Flash的整體解決方案公布,于是成就了本文。 大頁NAND Flash的的優(yōu)點是讀取速度明顯比小頁的要快,快2倍左右,這樣贏得了寶貴的啟動時間,以住需要20s左右,現(xiàn)在＜10s,給最終用戶帶來的快速體驗感覺。多余的NAND Flash做成FAT優(yōu)盤后可以存放大尺寸文件,如幫助手冊、操作手冊、使用說明等,在GPS中還可以裝載地圖省卻SD卡、SD卡座以節(jié)省成本,并提高集成度、可靠性。 針對NAND Flash的存儲結(jié)構(gòu)和物理特性,先后用兩種方法嘗試擴展NANDFlash的容量,起初是完全按大頁的存儲結(jié)構(gòu)2k/page進(jìn)行操作,后來是保持接口函數(shù)不變的前提下把大頁當(dāng)成多個小頁來操作,結(jié)果發(fā)現(xiàn)后者更易實現(xiàn),穩(wěn)定性更好。本文先從Jtag燒寫著手,逐漸實現(xiàn)bootloader的啟動、FMD驅(qū)動,經(jīng)歷前后兩年時間的穩(wěn)定性測試驗證才得以最終走向行業(yè)應(yīng)用,明顯提高產(chǎn)品性價比。開發(fā)環(huán)境:S3C2440A+WINCE5.0+Evc4.0+VC6.0+ADS1.2。
【學(xué)位授予單位】：吉林大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2008
【分類號】：TP333-2
【圖文】：

l、頁存儲結(jié)構(gòu)(以KgFI208為例)IDeviee=4O96Bloek*32Page*512Bytes表3.1小頁地址定義AAAddressssDefinitionnnAAAO一A777ColumnAddressssAAAg一A2666PageAddressssAAAg一A1333AddressinBloekkkAAA14一A2666BloekAddressssAAA888AS高或低由OOhorOlh指針命決定，在x16模式式中中中無效

CCCommandddBusWriteOperations(’)))Commanddd······················aeeePtedduringgg111115，CYCLEEE1”dCYCLEEElr‘，CYCLEEEbusyyyRRReadAAA00hhhhhhhhhRRReadBBBOlh(2)))))))))RRReadCCCSOhhhhhhhhhRRReadEleetronieSignatureeegohhhhhhhhhRRReadStatusRegisterrr70hhhhhhhYesssPPPageProgrammmSOhhhIOhhhhhhhCCCoPyBaekProgrammm00hhhSAhhh10hhhhhBBBloekEraseee60hhhDohhhhhhhRRResetttFFhhhhhhhYeSSS3.2大頁存儲結(jié)構(gòu)和地址周期(以K9FIG08為例)

第3章大小頁NAND的物理結(jié)構(gòu)在實際應(yīng)用的電路中，給出以下推薦原理圖，只要簡單的焊接上下拉電阻就可以方便的切換出大小頁狀態(tài)，以適應(yīng)各種不同的NANDFlash。

【引證文獻(xiàn)】

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前3條

1 聶玉慶;基于AVR和ARM的公共建筑用電能耗數(shù)據(jù)采集器的研究[D];山東建筑大學(xué);2011年

2 韓曉霞;基于Flash的網(wǎng)絡(luò)電子地圖開發(fā)研究[D];蘭州交通大學(xué);2011年

3 王健;基于WinCE的超聲波泄漏檢測系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)[D];武漢理工大學(xué);2013年

本文編號：2758407