NorFlash在嵌入式系統(tǒng)中的仿真與應(yīng)用
【學(xué)位授予單位】:電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2011
【分類號(hào)】:TP368.1
【圖文】:
儲(chǔ)技術(shù)和 EEPROM 技術(shù)十分相似,它們的主要差能擦除一個(gè)扇區(qū)(典型的扇區(qū)大小是 128B~16K一個(gè)字節(jié)一個(gè)字節(jié)地擦除,盡管如此,由于 Fl它還是比 EEPROM 更為流行,并迅速取代了很大、存儲(chǔ)密度高、可靠性好等優(yōu)先,決定了 Fl儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)。這里一般針對(duì) NandFlash(Flash 會(huì)詳細(xì)介紹到它,圖 2.2 是 Flash 特點(diǎn)功能圖。
07.3 SST39VF040 芯片結(jié)構(gòu)框架SST39VF040 芯片 32 腳 TSOP 管腳配置入,決定了芯片的大。籇0~D7 是數(shù)芯片使能,用來(lái)控制整個(gè)芯片的片選態(tài)。OE#是輸出使能,WE#為寫使能。 WE#是用來(lái)控制地址和數(shù)據(jù)的鎖存,源線,SST39VF040NorFlash 存儲(chǔ)器
八,口1
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