基于PowerPC片上高速緩存的設(shè)計
發(fā)布時間:2020-07-14 22:19
【摘要】:本文重點研究了Power PC體系下片上高速緩存的設(shè)計方法,本文首先介紹了本款Cache模塊的設(shè)計思路,在滿足CPU速度要求的基礎(chǔ)上,提出了該款Cache的設(shè)計方案,該款Cache選擇組相聯(lián)的映射方式,使用物理尋址,采用偽LRU的替換方法來提高命中率。其次,為了減少CPU的等待時間,本文提出了硬件預(yù)取技術(shù)、關(guān)鍵雙字技術(shù)以及非阻塞技術(shù)這3種方法。在此基礎(chǔ)上,在設(shè)計Cache的關(guān)鍵電路時,本文采用一些新技術(shù)來提高電路的性能。如本文提出一種自定時電路來控制字線的關(guān)斷,與過去通過反相器鏈的方法相比,該技術(shù)可以自動跟蹤位線延遲來對字線進行控制,因此可以消除連線延時、工藝以及環(huán)境條件的變化,大大節(jié)省了復(fù)雜度,并且速度也相對較快,整個字線關(guān)斷過程只用了0.26ns。為了減少門輸入的串聯(lián)電阻和延遲以及復(fù)雜度,本文采用分級的方法來設(shè)計譯碼電路。并利用差分鎖存型結(jié)構(gòu)提高了靈敏放大器的讀出速度,使整個放大的過程提高到0.23ns。最后運用NC-Verilog對整個Cache做了功能仿真工作,仿真結(jié)果表明本款Cache完全符合項目規(guī)劃的要求。
【學(xué)位授予單位】:西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2011
【分類號】:TP333
【圖文】:
圖 2.4 全相聯(lián)大的增加了靈活性,但是需要復(fù)雜的電路來并行檢查一種既體現(xiàn)直接映射法和全相聯(lián)映射法的優(yōu)點而又避許主存中的每一塊可以被放置到 Cache 中唯一的一個he 被等分為如干組,每組由若干個塊構(gòu)成)[4]如圖 2.5
圖 2.5 組相聯(lián)越高,Cache 空間的利用率就越高,塊沖突概率就越低,低。查得有關(guān)資料[4]得出在 32kb 的情況下 8 路組相聯(lián)的總了同一容量 Cache 大小下不同關(guān)聯(lián)度下的失效率的比較相聯(lián)。另外,由于總的虛擬空間為 4GB,而且在考慮塊的大小也是會影響 Cache 的命中率的,從而間接的影響以了解到對于給定的 Cache 容量,當(dāng)塊大小增加時,失反而上升了。因此基于以上的原因,本文采用的一個塊的。這樣 Cache 就被劃分成了 128 組(組數(shù)=Cache 的容量e)*相聯(lián)度(8))。由此可以看出此 Cache 的結(jié)構(gòu)為 128 組某一路的容量為 32 字節(jié)。表 2-1 32KB 下相聯(lián)度不同的失效率數(shù)據(jù)e 容量 相聯(lián)度 總是2KB 1 路 02KB 2 路 0
圖 3.6 Tag 比較功能仿真圖3.4 自定時電路的設(shè)計對于 SRAM 單元,無論是讀操作還是寫操作,都會在字線和位線上損失能量,而且當(dāng) SRAM 面積很大時,這部分損失的能量就不可忽視。因此很多學(xué)者提出了降低字線和位線上能量的方法,其中包括有字線分割技術(shù)[21]與位線分割技術(shù)[25],兩個都是通過分割字線或位線的方法,來使與它們相連得單元數(shù)成倍得減少,從而達到降低字線或位線上能量的目的。這里還要提到一種降低位線的技術(shù),稱為字線脈沖技術(shù)[26]。該技術(shù)的原理是位線的讀能量消耗與位線電壓擺幅有關(guān),而后者又與位線放電時間的長短有關(guān),放電時間越短,位線電壓擺幅越小,從而讀能量的消耗也就越小,因此字線脈沖技術(shù)為了能縮短位線的放電時間,在字線開啟的時間能夠有效保障靈敏放大所需的差分條件的前提下,盡可能的使字線可以回到低電平,關(guān)閉存儲單元,從而減少能量的消耗。而該技術(shù)的關(guān)鍵就是如何確定其脈沖寬度,在保證讀操作正確的前提下,盡量使脈沖寬度減小,有人提出過用
本文編號:2755565
【學(xué)位授予單位】:西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2011
【分類號】:TP333
【圖文】:
圖 2.4 全相聯(lián)大的增加了靈活性,但是需要復(fù)雜的電路來并行檢查一種既體現(xiàn)直接映射法和全相聯(lián)映射法的優(yōu)點而又避許主存中的每一塊可以被放置到 Cache 中唯一的一個he 被等分為如干組,每組由若干個塊構(gòu)成)[4]如圖 2.5
圖 2.5 組相聯(lián)越高,Cache 空間的利用率就越高,塊沖突概率就越低,低。查得有關(guān)資料[4]得出在 32kb 的情況下 8 路組相聯(lián)的總了同一容量 Cache 大小下不同關(guān)聯(lián)度下的失效率的比較相聯(lián)。另外,由于總的虛擬空間為 4GB,而且在考慮塊的大小也是會影響 Cache 的命中率的,從而間接的影響以了解到對于給定的 Cache 容量,當(dāng)塊大小增加時,失反而上升了。因此基于以上的原因,本文采用的一個塊的。這樣 Cache 就被劃分成了 128 組(組數(shù)=Cache 的容量e)*相聯(lián)度(8))。由此可以看出此 Cache 的結(jié)構(gòu)為 128 組某一路的容量為 32 字節(jié)。表 2-1 32KB 下相聯(lián)度不同的失效率數(shù)據(jù)e 容量 相聯(lián)度 總是2KB 1 路 02KB 2 路 0
圖 3.6 Tag 比較功能仿真圖3.4 自定時電路的設(shè)計對于 SRAM 單元,無論是讀操作還是寫操作,都會在字線和位線上損失能量,而且當(dāng) SRAM 面積很大時,這部分損失的能量就不可忽視。因此很多學(xué)者提出了降低字線和位線上能量的方法,其中包括有字線分割技術(shù)[21]與位線分割技術(shù)[25],兩個都是通過分割字線或位線的方法,來使與它們相連得單元數(shù)成倍得減少,從而達到降低字線或位線上能量的目的。這里還要提到一種降低位線的技術(shù),稱為字線脈沖技術(shù)[26]。該技術(shù)的原理是位線的讀能量消耗與位線電壓擺幅有關(guān),而后者又與位線放電時間的長短有關(guān),放電時間越短,位線電壓擺幅越小,從而讀能量的消耗也就越小,因此字線脈沖技術(shù)為了能縮短位線的放電時間,在字線開啟的時間能夠有效保障靈敏放大所需的差分條件的前提下,盡可能的使字線可以回到低電平,關(guān)閉存儲單元,從而減少能量的消耗。而該技術(shù)的關(guān)鍵就是如何確定其脈沖寬度,在保證讀操作正確的前提下,盡量使脈沖寬度減小,有人提出過用
【引證文獻】
相關(guān)碩士學(xué)位論文 前1條
1 張巍;基于ARM9的高速緩存和內(nèi)存管理單元的電路設(shè)計與實現(xiàn)[D];電子科技大學(xué);2013年
本文編號:2755565
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