【摘要】：本篇論文介紹了二端電阻態(tài)有機(jī)存儲器的分類和研究進(jìn)展,以及幾種典型的器件結(jié)構(gòu)、制備方法及其開關(guān)機(jī)制。二十一世紀(jì)將是信息技術(shù)和物聯(lián)網(wǎng)迅猛發(fā)展的時代,作為物聯(lián)網(wǎng)的核心電子元件之一的存儲器將發(fā)揮著舉足輕重的作用。與傳統(tǒng)無機(jī)存貯器相比,有機(jī)電阻態(tài)存儲器既具備高的存儲密度,快的存取速度、工藝兼容性好等優(yōu)點又能制備在輕、薄、柔性和大面積低成本襯底上,在日新月異的信息技術(shù)和物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展中具有巨大的應(yīng)用潛力。著重論述了基于八羥基喹啉鎘[bis(8-hydroxyquinoline) cadmium]-(Cdq2)薄膜二端有機(jī)電阻態(tài)存貯器件的制備、開關(guān)機(jī)制和工作特性。我們首次發(fā)現(xiàn)結(jié)構(gòu)為“銦錫氧化物(indium tin oxide)-(ITO)/Cdq2/Al"的有機(jī)二端器件具有較穩(wěn)定的電阻態(tài)開關(guān)特性及以負(fù)微分電阻,并提出薄膜中聚晶的形成以及電場驅(qū)動下的聚晶陷阱能態(tài)的填充與清空是引起器件電阻態(tài)開關(guān)特性的原因。薄膜的原子力顯微圖表明大量由于分子積聚形成的顆粒均勻分散在非晶態(tài)薄膜中,有力支持了這一理論。進(jìn)一步的研究表明,結(jié)構(gòu)為"ITO/Cdq2/Al納米顆粒/Al”以及‘'ITO/Cdq2/Cdq2與PTCDA的混和薄膜/Al”的器件具有更好的穩(wěn)定性。PTCDA代表花四甲酸二酐(3,4,9,10-perylenete-acarboxylic dianhydride)。
【學(xué)位授予單位】：蘭州大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2011
【分類號】：TP333

【參考文獻(xiàn)】

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1 時軍朋,溫振超,宋長安,陳殷,彭應(yīng)全;八羥基喹啉鋅非晶薄膜器件的制備和開關(guān)特性[J];半導(dǎo)體學(xué)報;2005年10期

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3 李訓(xùn)栓;彭應(yīng)全;宋長安;楊青森;趙明;袁建挺;王宏;;酞菁銅(CuPc)薄膜器件的制備及其電雙穩(wěn)特性[J];真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報;2008年05期

本文編號：2740352