DDR2控制器IP的設(shè)計(jì)與FPGA實(shí)現(xiàn)
【學(xué)位授予單位】:合肥工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2009
【分類號(hào)】:TP333
【圖文】:
率 100/133/166/200MHz 200/2率 100/133/166/200MHz 100/1輸率 200/266/333/400MHz 400/5設(shè)計(jì) 2bit 度 2,4,8 量 最多 4 個(gè) 最遲 1.5,2,2.5 3脈沖 單數(shù)據(jù)選取脈沖 差分?jǐn)?shù)壓 2.5V TSOP 量 大 可以看出,在同一核心頻率(內(nèi)部存儲(chǔ)單元陣列率(總線頻率)是 DDR 的兩倍。這是因?yàn)?DDR2然 DDR2 和 DDR 一樣,都在時(shí)鐘的上升沿和下令預(yù)讀取能力是 DDR 的兩倍,因此,在相同的核心率是 DDR 的兩倍。舉例來說,當(dāng)核心頻率為 100M率為 100MHz,DDR 的數(shù)據(jù)傳輸速率為 200MHz,率為 400MHz,如圖 1-3 所示。
- 10 -圖 2-1 512MbDDR2 存儲(chǔ)芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu) SDRAM 的狀態(tài)機(jī) 可以實(shí)現(xiàn)多種操作,包括:初始化(Initialization)、空閑(MRS,Mode Register Set)、刷新(Refresh)、自刷新(Serecharge)、激活(Activate)、讀/寫操作(Read/Write)和9]。要使這些操作按照嚴(yán)格的時(shí)序要求,彼此之間進(jìn)行轉(zhuǎn)實(shí)現(xiàn)控制,DDR2 的狀態(tài)機(jī)見圖 2-2。
【引證文獻(xiàn)】
相關(guān)期刊論文 前3條
1 肖侃;;帶自測(cè)功能的DDR2控制器設(shè)計(jì)[J];電子設(shè)計(jì)工程;2013年18期
2 李天保;魏利輝;;高速采樣存儲(chǔ)中DDR2 SDRAM控制器的設(shè)計(jì)分析[J];計(jì)算機(jī)與網(wǎng)絡(luò);2010年11期
3 周曉波;李瑞菁;趙強(qiáng);;基于FPGA的高速存儲(chǔ)器接口應(yīng)用開發(fā)[J];鐵路計(jì)算機(jī)應(yīng)用;2013年05期
相關(guān)博士學(xué)位論文 前1條
1 趙志剛;大面積高分辨率數(shù)字X射線探測(cè)器關(guān)鍵技術(shù)的研究[D];華中科技大學(xué);2010年
相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條
1 沈海鋒;高分辨率平移掃描體積顯示系統(tǒng)的研究[D];浙江大學(xué);2011年
2 葛洪利;LPDDR2 SDRAM控制器的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證[D];安徽大學(xué);2011年
3 楊礬;基于FPGA的紅外成像系統(tǒng)設(shè)計(jì)[D];華中科技大學(xué);2011年
4 夏孫城;高成像質(zhì)量正則體積顯示系統(tǒng)的研究[D];浙江大學(xué);2012年
5 陳飛;基于FPGA的QDRⅡ和QDRⅡ+SRAM控制器設(shè)計(jì)[D];南京大學(xué);2012年
6 趙樂;基于FPGA的高速實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)[D];武漢理工大學(xué);2012年
7 王正宇;DDR3內(nèi)存控制器的IP核設(shè)計(jì)及FPGA驗(yàn)證[D];蘭州交通大學(xué);2012年
8 張明利;基于FPGA的高速數(shù)據(jù)采集與記錄系統(tǒng)的研究與實(shí)現(xiàn)[D];南京郵電大學(xué);2013年
9 劉立;基于MPSoC的DDR3存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)[D];南京大學(xué);2013年
10 黃俊;基于FPGA的多屏幕3D顯示技術(shù)實(shí)現(xiàn)[D];華東師范大學(xué);2013年
本文編號(hào):2735268
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/jisuanjikexuelunwen/2735268.html