【摘要】： 隨著國有銀行向商業(yè)銀行的轉(zhuǎn)變,銀行的設(shè)備采購標(biāo)準(zhǔn)會越來越高,與此同時(shí),銀行柜臺業(yè)務(wù)量的增加,使得老一代的銀行專用打印機(jī)無論在速度上還是在使用的方便性上都顯得力不從心,為了占領(lǐng)市場,公司有必要開發(fā)新型的、使用更加方便的打印機(jī)。 老一代打印機(jī)在打印存折時(shí),柜臺工作人員要把存折放準(zhǔn)位置,要不然打印會偏離預(yù)定位置,在打印信函時(shí),有的冷僻字無法打印出來,軟件無法下載升級。為了加快柜臺處理速度,減小柜臺工作人員的工作量,需要開發(fā)能自動(dòng)糾偏定位,字符完善的打印機(jī)。 本文在分析需求的基礎(chǔ)上,比較當(dāng)前流行的處理器,選用Atmel公司的ARM芯片AT91M42800A作為處理核心,使用Xilin公司的20萬門的FPGA XC2S200做硬件邏輯控制,通過光電傳感器和相關(guān)的控制電路來實(shí)現(xiàn)自動(dòng)糾偏定位。在嵌入式操作系統(tǒng)上選用Nucleus Plus,約95%的Nucleus Plus代碼用C語言編寫,因此它能很方便移植,同時(shí)它還提供全部源代碼,這樣便于開發(fā)。另外,它還只要一次性付費(fèi),這使得它有很好的成本優(yōu)勢。 文中詳細(xì)說明了本系統(tǒng)的硬件、固件的實(shí)現(xiàn)。在硬件上闡述了一些單元電路,包括存儲器電路,接口電路,傳感器電路等的設(shè)計(jì)思路和實(shí)現(xiàn)方法。通過光電傳感電路,步進(jìn)電機(jī)控制和軟件結(jié)合,形成閉環(huán)控制,從而實(shí)現(xiàn)了快速自動(dòng)糾偏定位;通過大屏幕的LCD顯示實(shí)現(xiàn)了操作界面的簡單化;采用大容量的存儲器以及大字庫解決了冷僻字無法打印的問題;固件部分詳細(xì)闡述了系統(tǒng)上電啟動(dòng)過程,包括Bootstrap模塊和loader模塊,Bootstrap模塊主要功能是重定位存儲器,初始化基本硬件以及Loader模塊的自動(dòng)在線下載升級。Loader模塊的主要功能是下載FPGA的配置代碼,初始化鍵盤和顯示器,然后調(diào)用Nucleus Plus初始化代碼,從而建立和調(diào)用任務(wù)。 本文通過總結(jié)測試結(jié)果,與老一代打印機(jī)相比,新打印機(jī)在智能化上實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)糾偏定位,使得打印機(jī)操作人員不需要準(zhǔn)確放置存折,就能正確打印,提高了工作效率;在打印速度上比原系統(tǒng)提高30%,還可方便地實(shí)現(xiàn)軟件升級。 當(dāng)然,新的打印機(jī)在存折偏移很大時(shí),要耗費(fèi)長時(shí)間才能把存折推到正確位置。這要在糾偏算法上做進(jìn)一步的改進(jìn)。
【學(xué)位授予單位】：上海交通大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2008
【分類號】：TP334.8
【圖文】：

符合 IEEE1149.1 的 JTAG 接口，更方便調(diào)試內(nèi)核和 PLL 的操作電壓范圍 2.7-3.6V，2.7-5-40 － +85　C 的溫度范圍 存儲器接口在本系統(tǒng)中，外部數(shù)據(jù)總線采用 16bit 的線寬，要錯(cuò)位，即 CPU 從 A1 開始與存儲器的 A0 相連，使1 EEPROM 電路設(shè)計(jì)象大多數(shù)嵌入式系統(tǒng)一樣，當(dāng)系統(tǒng)需要一些默認(rèn)一塊 I2C 總線或三線串行總線的 E2PROM 來存儲默數(shù)來初始化。本系統(tǒng)采用 ATMEL 公司的三線串行參數(shù)。

28圖 4－1 SRAM 電路Fig. 4-1 SRAM circuit4.2.3 FLASH 接口Flash 即常說的閃存，一般是用來存放系統(tǒng)固件的，相對于過去常用的 EP其具有在線編程能力，不需要專用的編程器，也不需要特殊的編程電壓，給用戶了很大的方便。而且集成度也較之有很大的提高。閃存的讀操作與 SARAM 是完全的，只是寫操作要復(fù)雜些，在對閃存寫入數(shù)據(jù)時(shí)，需要先寫入一串命令字序列；口設(shè)計(jì)的角度，F(xiàn)LASH 與異步 SRAM/ROM 在接口設(shè)計(jì)上基本一致。目前市場上的 FLASH 從結(jié)構(gòu)上大體可以分為 AND、NAND、NOR 和 DiNOR 等幾其中 NOR 和 DiNOR 的特點(diǎn)為相對電壓低、隨機(jī)讀取快、功耗低、穩(wěn)定性高，而和 AND 的特點(diǎn)為容量大、回寫速度快、芯片面積小�，F(xiàn)在，NOR 和 NAND FLASH 的最為廣泛。NOR 的特點(diǎn)是可在芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP，eXecute In Place），這樣應(yīng)用程序可

【共引文獻(xiàn)】

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本文編號：2729281