基于ARM和Nucleus Plus的打印機設計與實現
【學位授予單位】:上海交通大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2008
【分類號】:TP334.8
【圖文】:
符合 IEEE1149.1 的 JTAG 接口,更方便調試內核和 PLL 的操作電壓范圍 2.7-3.6V,2.7-5-40 - +85 C 的溫度范圍 存儲器接口在本系統(tǒng)中,外部數據總線采用 16bit 的線寬,要錯位,即 CPU 從 A1 開始與存儲器的 A0 相連,使1 EEPROM 電路設計象大多數嵌入式系統(tǒng)一樣,當系統(tǒng)需要一些默認一塊 I2C 總線或三線串行總線的 E2PROM 來存儲默數來初始化。本系統(tǒng)采用 ATMEL 公司的三線串行參數。
28圖 4-1 SRAM 電路Fig. 4-1 SRAM circuit4.2.3 FLASH 接口Flash 即常說的閃存,一般是用來存放系統(tǒng)固件的,相對于過去常用的 EP其具有在線編程能力,不需要專用的編程器,也不需要特殊的編程電壓,給用戶了很大的方便。而且集成度也較之有很大的提高。閃存的讀操作與 SARAM 是完全的,只是寫操作要復雜些,在對閃存寫入數據時,需要先寫入一串命令字序列;口設計的角度,FLASH 與異步 SRAM/ROM 在接口設計上基本一致。目前市場上的 FLASH 從結構上大體可以分為 AND、NAND、NOR 和 DiNOR 等幾其中 NOR 和 DiNOR 的特點為相對電壓低、隨機讀取快、功耗低、穩(wěn)定性高,而和 AND 的特點為容量大、回寫速度快、芯片面積小。現在,NOR 和 NAND FLASH 的最為廣泛。NOR 的特點是可在芯片內執(zhí)行(XIP,eXecute In Place),這樣應用程序可
【共引文獻】
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本文編號:2729281
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