【摘要】： 隨著計算機技術(shù)和應(yīng)用需求的推動，嵌入式實時系統(tǒng)的設(shè)計方法有了很大改變，早期的嵌入式實時系統(tǒng)的開發(fā)主要著眼于提高基于CPU速度的執(zhí)行效率問題，開發(fā)方式靠基于處理器直接編寫軟件，沒有采用實時操作系統(tǒng)，，不能將系統(tǒng)軟件和應(yīng)用軟件分開處理。如今嵌入式實時系統(tǒng)的開發(fā)則更看重產(chǎn)品的界面、對網(wǎng)絡(luò)協(xié)議的支持等因素；本文構(gòu)建的硬件平臺選擇了嵌入式ARM9處理器作為核心CPU，由于Linux開放源代碼、免費、對網(wǎng)絡(luò)支持好等優(yōu)點，選擇以嵌入式Linux作為操作系統(tǒng)以方便應(yīng)用程序的開發(fā)，使得系統(tǒng)具有體積小、可靠性高、專用性強、性價比理想等優(yōu)點。 基于ARM技術(shù)和Linux操作系統(tǒng)的勵磁調(diào)節(jié)裝置，是新興的ARM技術(shù)、嵌入式操作系統(tǒng)與勵磁控制的高度綜合，是嵌入式技術(shù)在其中的新探索。隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)和計算機技術(shù)的發(fā)展，以微處理器為主要特征的數(shù)字電子技術(shù)不斷應(yīng)用到現(xiàn)代勵磁調(diào)節(jié)器的控制系統(tǒng)當(dāng)中，取代晶體管或集成電路構(gòu)成的傳統(tǒng)模擬式勵磁調(diào)節(jié)器，采用微處理器作為硬件控制核心的微機勵磁裝置將成為今后自動勵磁裝置的發(fā)展方向。基于ARM和Linux的嵌入系統(tǒng)人機界面軟件是系統(tǒng)的重要組成部分，也是本文研究的主要內(nèi)容。本論文的研究重點在于研究和開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的嵌入式勵磁裝置人機界面軟件。主要包括的內(nèi)容有：1．嵌入式系統(tǒng)軟硬件組成結(jié)構(gòu)與實現(xiàn)方案；2．嵌入式勵磁系統(tǒng)人機界面軟件的設(shè)計與開發(fā)；3．嵌入式開發(fā)板的相關(guān)驅(qū)動。
【圖文】：

圖2.1EP93一5開發(fā)板實物FigZ.lEP9315develoPmentboard高速EIDE接口，可以直接掛載硬盤;板上留有IDE硬盤的電使用該接口給IDE硬盤供電;

鄭州大學(xué)工學(xué)碩_卜論文數(shù)據(jù)寬度，編程電壓為3.3v。主要的生產(chǎn)廠商為ATMEL、HYuNDAI、AMD等，他們生產(chǎn)的同型器件一般具有相同的電氣特性和封裝形式可通用。內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所E28F128J3A150的單片存儲容量為16M位，工作電壓為2.7V一3.6v，采用48腳TsoP封裝或48腳FBGA封裝，D。一D巧16位數(shù)據(jù)寬度，可以以8位(字節(jié)模式)或16位(字模式)數(shù)據(jù)寬度的方式工作。需單3v電壓即可完成在系統(tǒng)的編程與擦除操作，通過對其內(nèi)部的命令寄存器寫入標(biāo)準(zhǔn)的命令序列，可對Flash進行編程(燒寫)、整片擦除、按扇區(qū)擦除以及其他操作。訪問速度為150ns，頁面讀取速度為25ns。作為一款32位的微處理器，為充分發(fā)揮性能優(yōu)勢，有的系統(tǒng)也采用兩片16位數(shù)據(jù)寬度的Flash存儲器芯片并聯(lián)(或一片32位數(shù)據(jù)寬度的Flash存儲器芯片)構(gòu)建32位的Flash存儲系統(tǒng)。其構(gòu)建方式與16位的Flash存儲器系統(tǒng)相似。采用兩片E28F128J3A巧0并聯(lián)的方式構(gòu)建32位的Flash存儲器系統(tǒng)，其中一片為高16位另一片為低16位，將兩片作為一個整體配置到ROM/SRAM/FLASHBankO。二氣一吧聲幽以
【學(xué)位授予單位】：鄭州大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2007
【分類號】：TP368.12

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本文編號：2711235