本文關(guān)鍵詞：嵌入式雙端口SRAM中讀寫干擾問題的研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：嵌入式靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)是現(xiàn)代SoC中的重要組成部分;伴隨著工藝前進(jìn)的腳步,對于SRAM的研究也從未終止過。其中雙端口SRAM可以為系統(tǒng)提供更高的通信效率和并行性,隨著系統(tǒng)吞吐率的提升,其應(yīng)用也越來越廣泛。針對雙端口SRAM中的讀寫干擾問題,本文對嵌入式SRAM的存儲單元和外圍電路做了全面的研究,清晰了SRAM讀寫操作的完整過程;從原理上對雙端口SRAM中存在的讀寫干擾問題進(jìn)行了分析,并針對臺積電28 nm工藝的雙端口SRAM系列(TSDN28HPM)中的一個實例進(jìn)行了仿真分析,發(fā)現(xiàn)其在工藝的6σ偏差處存在嚴(yán)重的寫干擾問題;對該寫干擾做了進(jìn)一步的詳細(xì)分析,根據(jù)其特點提出了一種字線脈沖控制方法,從而解決了該問題。本文主要成果如下:首先,給出了28 nm工藝下嵌入式SRAM中靈活的跟蹤電路和靈敏放大器的特性;其次,仿真得到了TSDN28HPM中由寫干擾造成的寫失敗,以及該寫干擾的時鐘偏移相關(guān)性;最后,根據(jù)該時鐘偏移相關(guān)性提出了一種字線脈沖控制策略,通過控制字線的起始有效時間和脈沖寬度解決了由寫干擾造成的寫入困難問題。采用臺積電28 nm HPM制程,對電路在多個設(shè)計角進(jìn)行了后端仿真驗證,表明該方法可行有效。
【關(guān)鍵詞】：SRAM 雙端口SRAM 讀寫干擾 工藝偏差 字線脈沖
【學(xué)位授予單位】：上海交通大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TP333
【目錄】：

• 摘要5-6
• ABSTRACT6-12
• 第一章 緒論12-16
• 1.1 研究背景及意義12-13
• 1.2 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀13-15
• 1.2.1 改進(jìn)外圍電路14
• 1.2.2 添加讀寫輔助電路14-15
• 1.3 本文的主要工作與章節(jié)安排15-16
• 第二章 SRAM基本電路結(jié)構(gòu)研究與分析16-44
• 2.1 整體結(jié)構(gòu)概覽16-18
• 2.2 存儲單元18-28
• 2.2.1 電路結(jié)構(gòu)18-21
• 2.2.2 基本操作及特性參數(shù)21-28
• 2.3 外圍電路28-38
• 2.3.1 行譯碼28-29
• 2.3.2 列電路29-35
• 2.3.3 跟蹤電路35-38
• 2.4 整體布局與時序38-43
• 2.4.1 整體布局38-40
• 2.4.2 整體時序40-43
• 2.5 本章小結(jié)43-44
• 第三章 雙端口 SRAM中讀寫干擾問題的研究44-59
• 3.1 讀寫干擾的原理分析44-49
• 3.1.1 讀干擾45-46
• 3.1.2 寫干擾46-47
• 3.1.3 讀寫干擾的時鐘偏移相關(guān)性47-49
• 3.2 讀寫干擾的仿真分析49-58
• 3.2.1 讀寫干擾的比較50-51
• 3.2.2 工藝波動下的存儲單元51-56
• 3.2.3 寫干擾造成的寫失敗56-57
• 3.2.4 寫干擾的時鐘偏移相關(guān)性仿真57-58
• 3.3 本章小結(jié)58-59
• 第四章 字線脈沖控制解決雙端口 SRAM中的寫干擾59-73
• 4.1 方法的提出59-63
• 4.1.1 讀操作引起的寫干擾59-60
• 4.1.2 寫操作引起的寫干擾60-61
• 4.1.3 電路實現(xiàn)61-63
• 4.2 方法的實現(xiàn)63-70
• 4.2.1 原理圖設(shè)計63-68
• 4.2.2 版圖設(shè)計68-70
• 4.3 方法的驗證70-72
• 4.4 本章小結(jié)72-73
• 第五章 總結(jié)與展望73-75
• 5.1 總結(jié)73-74
• 5.2 展望74-75
• 參考文獻(xiàn)75-79
• 附錄79-82
• 致謝82-83
• 攻讀碩士期間所發(fā)表論文83-85

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 張衛(wèi)杰,王遠(yuǎn),魏震生;雙端口RAM的并口設(shè)計應(yīng)用[J];國外電子元器件;2001年10期

2 徐勇,陸榮;雙端口存貯器的實現(xiàn)[J];軍事通信技術(shù);1995年04期

3 郭炳輝;雙端口RAM及其應(yīng)用[J];半導(dǎo)體技術(shù);1996年05期

4 趙建榮,李智勇,牛夏牧;雙端口RAM存取操作的處理方法[J];電子技術(shù)應(yīng)用;1996年06期

5 張延平;;雙端口RAM在多機(jī)通信系統(tǒng)中的應(yīng)用[J];集成電路應(yīng)用;1995年01期

6 張奇志;雙端口RAM在單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用[J];現(xiàn)代電子技術(shù);2000年07期

7 劉偉,周玉梅,葉青;單向雙端口SRAM的測試算法[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;2005年01期

8 羅杰;一種基于雙端口RAM的高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計[J];微電子學(xué)與計算機(jī);2001年06期

9 顏學(xué)龍;湯敏;;嵌入式雙端口SRAM可編程內(nèi)建自測試結(jié)構(gòu)的設(shè)計[J];計算機(jī)測量與控制;2006年07期

10 ;新產(chǎn)品介紹[J];中國電子商情;1996年04期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前6條

1 朱明;;一種利用雙端口RAM傳輸變?nèi)萘繄D像數(shù)據(jù)的方法[A];中國航空學(xué)會信號與信息處理專業(yè)全國第八屆學(xué)術(shù)會議論文集[C];2004年

2 方湘艷;韓威;;基于FPGA技術(shù)的異步雙端口RAM設(shè)計與實現(xiàn)[A];中國通信集成電路技術(shù)與應(yīng)用研討會論文集[C];2004年

3 鐘榮;孫玉東;王鎖泉;周慶云;朱忠;尹志勇;;管路聲源雙端口模型及源參數(shù)提取的測試分析方法[A];第十二屆船舶水下噪聲學(xué)術(shù)討論會論文集[C];2009年

4 張浩;馮濤;李曉東;劉克;;多負(fù)載法確定管道中雙端口聲源特性[A];中國聲學(xué)學(xué)會2009年青年學(xué)術(shù)會議[CYCA’09]論文集[C];2009年

5 張志軍;Faton Tefiku;馮正和;;小型化雙端口四頻帶天線[A];2007年全國微波毫米波會議論文集（上冊）[C];2007年

6 葉利劍;馮濤;劉克;;管道系統(tǒng)聲源雙端口模型測量方法理論[A];中國聲學(xué)學(xué)會2007年青年學(xué)術(shù)會議論文集（下）[C];2007年

中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 李;3Com雙端口網(wǎng)卡智能連接服務(wù)器[N];中國計算機(jī)報;2000年

2 ;三分鐘成為英特爾網(wǎng)卡專家[N];中國電腦教育報;2009年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前5條

1 楊瓊?cè)A;嵌入式雙端口SRAM中讀寫干擾問題的研究[D];上海交通大學(xué);2015年

2 宋亮;雙端口測試器關(guān)鍵技術(shù)研究及其在Linux環(huán)境中的實現(xiàn)[D];西南交通大學(xué);2007年

3 王振南;基于FPGA的TS over IP系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)[D];東華大學(xué);2015年

4 孟煥;55nm高速低功耗雙端口寄存器文件的研究[D];安徽大學(xué);2014年

5 曾飛;雙端口測試器的可執(zhí)行測試?yán)上到y(tǒng)研究與開發(fā)[D];西南交通大學(xué);2006年

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