基于銀納米線的熔斷式印刷只讀存儲(chǔ)器及其系統(tǒng)應(yīng)用的研究
【圖文】:
此類存儲(chǔ)器適于寫入不需經(jīng)常變動(dòng)的重要數(shù)據(jù),例如商品的基本信息等,在智能包裝領(lǐng)域具有非常大的應(yīng)用潛力。阻過(guò)加電或者其他工藝處理使得器件呈現(xiàn)高低兩種阻態(tài),在電路中種不同的電平從而達(dá)到數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)功能。阻變存儲(chǔ)器具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)等優(yōu)點(diǎn),結(jié)合應(yīng)用特點(diǎn),本論文的工作主要從阻變式存儲(chǔ)器展開(kāi)變式只讀印刷存儲(chǔ)器根據(jù)數(shù)據(jù)寫入方法可以分為工藝寫入器件和種類型。工藝寫入器件通過(guò)工藝方法寫入數(shù)據(jù),例如通過(guò)采用不器件不同區(qū)域進(jìn)行表面處理等手段,使得器件具備不同的阻值。在出廠前已經(jīng)寫入特定的數(shù)據(jù),代表性的工作有導(dǎo)電聚合物電阻化學(xué)方法編程印刷存儲(chǔ)器[43]、打印編程印刷存儲(chǔ)器[33]等;電寫入給器件施加一定的電壓或者電流來(lái)改變器件的性能從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)這類器件通常在出廠時(shí)不寫入數(shù)據(jù),由用戶自己通過(guò)一定的設(shè)備想要的數(shù)據(jù)。這類器件的代表性工作有熔斷式存儲(chǔ)器和反熔斷式。相比于反熔斷式存儲(chǔ)器,熔斷式存儲(chǔ)器在工作電壓和穩(wěn)定性方勢(shì)。
圖 3-1 熔斷式印刷存儲(chǔ)器的器件設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)Fig. 3-1 The device structure of the fusing-type printable memory熔斷式印刷存儲(chǔ)器作為一個(gè)獨(dú)立完整的電子元器件,由具備不同功能的部,包含襯底、電極、熔斷功能區(qū)、圖形化絕緣隔離層、隔熱封裝層等。圖 3個(gè)器件同時(shí)制備在同一襯底上的示意圖。每個(gè)器件為兩端式結(jié)構(gòu),兩端為用于連接外部電路進(jìn)行電學(xué)性能測(cè)試或功能化改裝。在每個(gè)器件之間為圖緣隔離層,將并排的兩個(gè)器件絕緣隔離起來(lái),防止出現(xiàn)短路。在每?jī)蓚(gè)電形化絕緣隔離層中間的區(qū)域便是熔斷功能區(qū),用于實(shí)現(xiàn)熔斷功能的材料在分。最后,在熔斷功能區(qū)表面會(huì)覆蓋隔熱封裝層,用于減少該區(qū)域的熱量?jī)?yōu)化器件性能;同時(shí),該部分也可作為保護(hù)層,防止熔斷區(qū)域直接暴露在,在一定程度上減少水分、氧化等外界環(huán)境對(duì)器件性能的負(fù)面影響。 器件制備所需材料在上文的內(nèi)容中,,我們論述了通過(guò)減小熔斷式印刷存儲(chǔ)器的有效橫截面面
【學(xué)位授予單位】:上海交通大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:O614.122;TB383.1;TP333
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