【摘要】：在基于EEPROM智能卡SOC平臺中,EEPROM往往與其他存儲器組合使用,較常見的是EEPROM組合Mask ROM方案。隨著智能卡的發(fā)展,嵌入式Mask ROM由于與生俱來的不足已經(jīng)逐漸無法滿足日益增長的應(yīng)用需求。而嵌入式OTP便于進行設(shè)計更改和庫存控制,因此EEPROM組合OTP成為其取代方案。 為了達到嵌入基于EEPROM智能卡SOC平臺的目的,一種新型OTP單元被提了出來。這種新型OTP單元在傳統(tǒng)ETOX結(jié)構(gòu)OTP單元基礎(chǔ)上優(yōu)化了結(jié)構(gòu),使控制柵完全覆蓋浮柵,從而在工藝上實現(xiàn)理想的嵌入,同時這樣的結(jié)構(gòu)優(yōu)化還提高柵耦合率到77%,該提取過程使用本文提出的柵耦合率新修正法,結(jié)果與設(shè)計預(yù)算值75.5%非常接近,誤差在2%以內(nèi)。 工藝上,如何使新型OTP工藝嵌入0.18um基于EEPROM智能卡工藝是一個關(guān)鍵。本文解決了其隧穿氧化層與EEPROM不同的問題,并基于EEPROM工藝的特殊性進行了新型OTP浮柵的光學(xué)近似修正,同時對源漏定義等其他工藝做了必要調(diào)整,最終新型OTP及SOC平臺上其它器件均順利流片完成。 新型OTP單元電學(xué)特性測試時,本文根據(jù)其器件本身的性能制定出操作條件及規(guī)范,并符合業(yè)界標準;特別針對編程干擾和UV擦除能力的器件性能不足做出工藝和版圖方面的優(yōu)化,使新型OTP性能卓越,同時SOC平臺上其它器件的性能未受影響。
【學(xué)位授予單位】：上海交通大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2007
【分類號】：TP368.12;TN409

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