【摘要】：本文以阻變存儲器的高密度解決方案為中心,針對阻變存儲器易于與邏輯工藝兼容的特點對高密度阻變存儲器陣列結(jié)構(gòu)進行了探索性的研究。本文首先對阻變存儲器關(guān)鍵外圍電路模塊進行了設(shè)計,包括用于讀取存儲電阻狀態(tài)的靈敏放大器以及改寫存儲電阻狀態(tài)的寫驅(qū)動電路。緊接著本文提出兩種高密度三維多層堆疊的阻變存儲器陣列結(jié)構(gòu)：NOR型共享選通管阻變存儲器陣列結(jié)構(gòu)以及NAND型共享選通管阻變存儲器陣列結(jié)構(gòu),并且針對這兩種結(jié)構(gòu)的特點分別提出對這兩種結(jié)構(gòu)的讀寫操作方法,使其能夠可靠地工作。采用本文提出的這兩種高密度阻變存儲器陣列結(jié)構(gòu)之后,相較與傳統(tǒng)的1T1R陣列結(jié)構(gòu),存儲密度能夠提高280%和500%。
【圖文】：

對于信息化的發(fā)展起到了至關(guān)重要的作用，并且在可以預(yù)見的未來，這種對存儲的需求還將進一步的不斷增加。所以，存儲器在整個存儲器產(chǎn)業(yè)當(dāng)中起到了至關(guān)重要的作用，可以說是信息產(chǎn)業(yè)的糧食。圖1.1表明存儲器己經(jīng)遍及整個電子產(chǎn)品市場〔’〕。徹d沁Ca心(After們翻)心花州島Ca代壇(從erm袱)A目一拍心 nefFa戈C《pie「即d兩如定“)戶r烈峨圖1.1存儲器應(yīng)用市場份額存儲器所占據(jù)的芯片面積已經(jīng)從1999年的20%增至2007年的近80%;國際上IC制造，也有47%的產(chǎn)能是用于存儲器。在半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，存儲器市場可以說是一個競爭非常充分的市場，發(fā)展也是相當(dāng)迅猛。10年以前，即1999年256MB的DRAM還是高端產(chǎn)品，25Onm邏輯工藝如果算不上非常尖端的技術(shù)也是前沿工藝技術(shù)。在消費產(chǎn)品中，蘋果剛在iMaC系列電腦中刪除 1.44MB的軟驅(qū)，

圖1.4NOR型Flash和NAND型Flash的結(jié)構(gòu)對比為了進一步提高存儲密度，F(xiàn)lash存儲器可以做成MLC，即一個存儲單元存儲兩位數(shù)據(jù)，如圖1.5，SLCFlash存儲器每一個存儲單元可以存1位數(shù)據(jù)，分成兩個狀態(tài)，而MLCFlash存儲器每一個存儲單元可以存2位數(shù)據(jù)，，根據(jù)閩值電壓的不同分成了4中狀態(tài)。一般MLCFlash存儲器的芯片面積會比SLCFlash存儲器的芯片面積小30%~40%。MLCvsSLCNANDThefOUrVthleVe!5OfMLCNANDCe!1CanStoreZBitjCel!.1bitlCell(5ingleLevelCell)2bitleel百(MultlLevelCe月I)Vth史些?!.io·匕_.洲m軍。ttS
【學(xué)位授予單位】：復(fù)旦大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2010
【分類號】：TP333

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