盤式體全息存儲關(guān)鍵技術(shù)研究
發(fā)布時(shí)間:2020-05-15 18:27
【摘要】:信息技術(shù)和計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展對信息存儲技術(shù)提出了更高的要求。體全息存儲技術(shù)以其存儲密度高、存儲容量大,數(shù)據(jù)傳輸速率高、數(shù)據(jù)搜索時(shí)間短等優(yōu)勢成為一種頗具潛力的海量信息存儲技術(shù)。近年來,體全息存儲領(lǐng)域的研究熱潮持續(xù)高漲。如何充分發(fā)揮體全息存儲的優(yōu)勢,實(shí)現(xiàn)高存儲密度、大存儲容量,高數(shù)據(jù)傳輸速率的全息信息存儲,并完善體存儲器的各項(xiàng)性能,推進(jìn)體全息存儲技術(shù)的實(shí)用化,是近年來體全息存儲領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。三維盤式全息存儲方案以其相對簡單的光路讀寫機(jī)構(gòu)以及與現(xiàn)有光盤系統(tǒng)的兼容性,更適合大容量數(shù)據(jù)存儲的應(yīng)用,因而也更具實(shí)用意義。 本論文立足于體全息存儲領(lǐng)域的研究前沿,在已有的理論及研究基礎(chǔ)上,著重于如何實(shí)現(xiàn)高密度、高保真度、非易失性的盤式體全息存儲的研究。并進(jìn)一步優(yōu)化盤式全息存儲的方案和系統(tǒng),以改善和提高盤式全息存儲系統(tǒng)的各項(xiàng)性能,推進(jìn)三維盤式全息存儲技術(shù)的實(shí)用化進(jìn)程。 本論文從研究光折變晶體的全息存儲性能入手,深入研究了多重全息存儲條件下晶體噪聲特性,采用信噪比損失系數(shù)(LSNR)重點(diǎn)考察了由于物光長時(shí)間照射晶體而引起的晶體內(nèi)散射噪聲的特性,即物光散射噪聲對全息存儲中輸入圖像像質(zhì)的影響。并對物光引起的散射噪聲特性和參考光引起的散射噪聲特性進(jìn)行了比較研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,參考光或物光長時(shí)間照明晶體均會在晶體內(nèi)建立起散射噪聲,且物光的散射噪聲影響遠(yuǎn)比參考光的散射噪聲影響顯著;氧化態(tài)晶體的散射噪聲的影響小于生長態(tài)和還原態(tài)晶體;反射光路較之透射光路和鄰面入射(90°)光路更不易受散射噪聲影響。為了盡可能的減小散射噪聲的影響,實(shí)際存儲系統(tǒng)中,應(yīng)當(dāng)選用物光散射噪聲小的取向,并選擇適當(dāng)?shù)挠涗浄绞?適當(dāng)摻雜和后處理的晶體來抑制散射噪聲對存儲圖像質(zhì)量的影響。 針對光折變晶體內(nèi)光伏噪聲的成因,本文提出了抑制光伏噪聲的有效方法即通過在晶體表面鍍透明導(dǎo)電膜(氧化銦錫:Indium Tin Oxide,簡稱ITO)來短路晶體。分別研究了晶體在開路模式和短路模式下的噪聲情況及主要的全息存儲性能參數(shù)變化。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,鍍ITO 膜使晶體工作于短路模式后,信噪比損失明顯降低,晶體中的光伏噪聲被有效抑制。并且短路后晶體的動態(tài)范圍(M~#)有
【圖文】:
描述了體積全息圖的選擇性和衍射效論描述了光折變材料中體全息存儲的機(jī)性及描述其特性的參數(shù),最后詳細(xì)描述本體全息存儲技術(shù)。下物光與參考光的干涉圖樣,其在記錄介如圖 2-1 所示。圖中 θr是參考光在介質(zhì)內(nèi)θ 是讀出光在記錄介質(zhì)內(nèi)與峰值條紋面之的總衍射波振幅達(dá)到最大值時(shí),三維光θ光柵矢量 Kx
第 2 章 盤式體全息存儲的基本理論和方法介質(zhì)的吸收及噪音因素的影響,使最小衍射效率都不可能為零。同時(shí)實(shí)有時(shí)會出現(xiàn)旁瓣(如圖 2-5(a)所示),有時(shí)沒有旁瓣(如圖 2-5(b)所示應(yīng)圖 2-5(a)的情形,可將曲線峰值兩側(cè)第一個(gè)衍射極小值之間的角度間擇角;對于圖 2-5(b)的情形,可以有不同的取法。例如:取最高衍射效率減本底噪聲)的 1/10 處的角寬度作為選擇角,,即 10dB 線所對應(yīng)的角度Θ10dB。從圖 2-5 中可以看出,實(shí)測曲線比理論曲線要寬,引起這種加寬一是 Kogelnik 的理論假設(shè)了無限大的平面波,然而實(shí)際光束直徑是有衍射理論,光束的有限大小必然引起一個(gè)角度展寬,從而使得實(shí)測曲線將 Θ理加上這個(gè)角度展寬,那么就與 Θ測基本符合了。
【學(xué)位授予單位】:北京工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2005
【分類號】:TP333
本文編號:2665458
【圖文】:
描述了體積全息圖的選擇性和衍射效論描述了光折變材料中體全息存儲的機(jī)性及描述其特性的參數(shù),最后詳細(xì)描述本體全息存儲技術(shù)。下物光與參考光的干涉圖樣,其在記錄介如圖 2-1 所示。圖中 θr是參考光在介質(zhì)內(nèi)θ 是讀出光在記錄介質(zhì)內(nèi)與峰值條紋面之的總衍射波振幅達(dá)到最大值時(shí),三維光θ光柵矢量 Kx
第 2 章 盤式體全息存儲的基本理論和方法介質(zhì)的吸收及噪音因素的影響,使最小衍射效率都不可能為零。同時(shí)實(shí)有時(shí)會出現(xiàn)旁瓣(如圖 2-5(a)所示),有時(shí)沒有旁瓣(如圖 2-5(b)所示應(yīng)圖 2-5(a)的情形,可將曲線峰值兩側(cè)第一個(gè)衍射極小值之間的角度間擇角;對于圖 2-5(b)的情形,可以有不同的取法。例如:取最高衍射效率減本底噪聲)的 1/10 處的角寬度作為選擇角,,即 10dB 線所對應(yīng)的角度Θ10dB。從圖 2-5 中可以看出,實(shí)測曲線比理論曲線要寬,引起這種加寬一是 Kogelnik 的理論假設(shè)了無限大的平面波,然而實(shí)際光束直徑是有衍射理論,光束的有限大小必然引起一個(gè)角度展寬,從而使得實(shí)測曲線將 Θ理加上這個(gè)角度展寬,那么就與 Θ測基本符合了。
【學(xué)位授予單位】:北京工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2005
【分類號】:TP333
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1 萬玉紅;盤式體全息存儲關(guān)鍵技術(shù)研究[D];北京工業(yè)大學(xué);2005年
2 王也;高密度體全息存儲器的光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)[D];北京工業(yè)大學(xué);2006年
本文編號:2665458
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