【摘要】：信息技術和計算機技術的高速發(fā)展對信息存儲技術提出了更高的要求。體全息存儲技術以其存儲密度高、存儲容量大,數(shù)據(jù)傳輸速率高、數(shù)據(jù)搜索時間短等優(yōu)勢成為一種頗具潛力的海量信息存儲技術。近年來,體全息存儲領域的研究熱潮持續(xù)高漲。如何充分發(fā)揮體全息存儲的優(yōu)勢,實現(xiàn)高存儲密度、大存儲容量,高數(shù)據(jù)傳輸速率的全息信息存儲,并完善體存儲器的各項性能,推進體全息存儲技術的實用化,是近年來體全息存儲領域的研究熱點。三維盤式全息存儲方案以其相對簡單的光路讀寫機構以及與現(xiàn)有光盤系統(tǒng)的兼容性,更適合大容量數(shù)據(jù)存儲的應用,因而也更具實用意義。 本論文立足于體全息存儲領域的研究前沿,在已有的理論及研究基礎上,著重于如何實現(xiàn)高密度、高保真度、非易失性的盤式體全息存儲的研究。并進一步優(yōu)化盤式全息存儲的方案和系統(tǒng),以改善和提高盤式全息存儲系統(tǒng)的各項性能,推進三維盤式全息存儲技術的實用化進程。 本論文從研究光折變晶體的全息存儲性能入手,深入研究了多重全息存儲條件下晶體噪聲特性,采用信噪比損失系數(shù)(LSNR)重點考察了由于物光長時間照射晶體而引起的晶體內散射噪聲的特性,即物光散射噪聲對全息存儲中輸入圖像像質的影響。并對物光引起的散射噪聲特性和參考光引起的散射噪聲特性進行了比較研究。實驗結果表明,參考光或物光長時間照明晶體均會在晶體內建立起散射噪聲,且物光的散射噪聲影響遠比參考光的散射噪聲影響顯著;氧化態(tài)晶體的散射噪聲的影響小于生長態(tài)和還原態(tài)晶體;反射光路較之透射光路和鄰面入射(90°)光路更不易受散射噪聲影響。為了盡可能的減小散射噪聲的影響,實際存儲系統(tǒng)中,應當選用物光散射噪聲小的取向,并選擇適當?shù)挠涗浄绞?適當摻雜和后處理的晶體來抑制散射噪聲對存儲圖像質量的影響。 針對光折變晶體內光伏噪聲的成因,本文提出了抑制光伏噪聲的有效方法即通過在晶體表面鍍透明導電膜(氧化銦錫:Indium Tin Oxide,簡稱ITO)來短路晶體。分別研究了晶體在開路模式和短路模式下的噪聲情況及主要的全息存儲性能參數(shù)變化。實驗結果表明,鍍ITO 膜使晶體工作于短路模式后,信噪比損失明顯降低,晶體中的光伏噪聲被有效抑制。并且短路后晶體的動態(tài)范圍(M~#)有
【圖文】：

描述了體積全息圖的選擇性和衍射效論描述了光折變材料中體全息存儲的機性及描述其特性的參數(shù)，最后詳細描述本體全息存儲技術。下物光與參考光的干涉圖樣，其在記錄介如圖 2-1 所示。圖中 θr是參考光在介質內θ 是讀出光在記錄介質內與峰值條紋面之的總衍射波振幅達到最大值時，三維光θ光柵矢量 Kx

第 2 章 盤式體全息存儲的基本理論和方法介質的吸收及噪音因素的影響，使最小衍射效率都不可能為零。同時實有時會出現(xiàn)旁瓣（如圖 2-5(a)所示），有時沒有旁瓣（如圖 2-5(b)所示應圖 2-5(a)的情形，可將曲線峰值兩側第一個衍射極小值之間的角度間擇角；對于圖 2-5(b)的情形，可以有不同的取法。例如：取最高衍射效率減本底噪聲）的 1/10 處的角寬度作為選擇角，，即 10dB 線所對應的角度Θ10dB。從圖 2-5 中可以看出，實測曲線比理論曲線要寬，引起這種加寬一是 Kogelnik 的理論假設了無限大的平面波，然而實際光束直徑是有衍射理論，光束的有限大小必然引起一個角度展寬，從而使得實測曲線將 Θ理加上這個角度展寬，那么就與 Θ測基本符合了。
【學位授予單位】：北京工業(yè)大學
【學位級別】：博士
【學位授予年份】：2005
【分類號】：TP333

【相似文獻】

相關博士學位論文 前2條

1 萬玉紅;盤式體全息存儲關鍵技術研究[D];北京工業(yè)大學;2005年

2 王也;高密度體全息存儲器的光學系統(tǒng)設計[D];北京工業(yè)大學;2006年

本文編號：2665458