【摘要】： Flash存儲(chǔ)器發(fā)展到今天,容量速度都在飛速的提高,并為了追求更好的性能衍生出了各種各樣的單元結(jié)構(gòu)。我們需要研究如何針對(duì)一個(gè)Flash產(chǎn)品進(jìn)行迅速有效的測(cè)試。在本文中,我們首先回顧了Flash的發(fā)展歷程,對(duì)如今Flash的現(xiàn)狀有了一個(gè)初步的了解。然后我們以SanDisk公司的MicroSD單元結(jié)構(gòu)為研究對(duì)象,通過(guò)與傳統(tǒng)單元的對(duì)比,充分了解該單元結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)并分析了其故障模型。接著,我們開(kāi)始對(duì)采用了這種單元結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品MicroSD進(jìn)行了介紹并準(zhǔn)備對(duì)其進(jìn)行測(cè)試。了解了其產(chǎn)品功能特性后,我們結(jié)合MicroSD的故障模型,詳細(xì)研究了其測(cè)試原理和方法。最后制定出了完整的測(cè)試流程,對(duì)該產(chǎn)品進(jìn)行了測(cè)試并予以總結(jié)。本論文主要有以下兩個(gè)特點(diǎn):1.結(jié)合生產(chǎn)實(shí)踐中的失效機(jī)理確定測(cè)試方法;2.本文的測(cè)試方法和程序已經(jīng)用于正常生產(chǎn),并得到比較好的結(jié)果。
【學(xué)位授予單位】：復(fù)旦大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2008
【分類號(hào)】：TP333

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本文編號(hào)：2659072