【摘要】：作為半導(dǎo)體非揮發(fā)性存儲器(Non-Volatile Memory)的一個重要組成部分,電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)的應(yīng)用也越來越廣泛,其應(yīng)用覆蓋了智能卡、汽車電子、數(shù)字電視、數(shù)字相機(jī)、打印機(jī)、傳真機(jī)和電腦等。由于EEPROM的擦除不需要借助于其它設(shè)備,而是以電子信號來修改其內(nèi)容的,并且是以Byte為最小修改單位,不需將資料全部擦除掉才能寫入,所以受到很多廠商的青睞。 EEPROM單元由兩個晶體管組成,一個是浮柵晶體管(FG),另一個是選擇晶體管(SG).選擇晶體管(SG)是用于在編程和擦除時選擇相應(yīng)的浮柵晶體管,浮柵晶體管(FG)可以存儲電荷。儲存在浮柵晶體管中的電荷數(shù)量可以影響器件的閾值電壓(VT),并由此區(qū)分期間狀態(tài)的邏輯值為1或0。 目前0.18um EEPROM工藝生產(chǎn)的電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)存在低良率問題和可靠性問題,主要表現(xiàn)在棋盤格檢查失效和存儲單元耐久力特性不良等問題。低良率問題和可靠性問題導(dǎo)致生產(chǎn)成本提高,阻礙了0.18 EEPROM的大量量產(chǎn)。 典型的EEPROM基本單元都有一個層疊的柵極結(jié)構(gòu),第一個柵極被埋在柵極氧化層和極間氧化層之間,柵極氧化層和極間氧化層對EEPROM的數(shù)據(jù)擦寫和數(shù)據(jù)保持至關(guān)重要,第二個柵極被稱為控制柵極,它和外部的電極相連接。本文通過提高柵極隧穿氧化層和極間氧化層的品質(zhì),改善浮柵的刻蝕工藝,減少了刻蝕不良導(dǎo)致的多晶硅不同程度的受損、殘留,最終成功解決了棋盤格讀出檢查失效和存儲單元耐久力特性不良等問題,實(shí)現(xiàn)了高良率的生產(chǎn)。
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本文編號：2656958