用于穿墻探測(cè)雷達(dá)的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
【圖文】:
國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué)研究生院工學(xué)碩士學(xué)位論文網(wǎng)接口芯片實(shí)現(xiàn),目前常見(jiàn)的以太網(wǎng)接口芯片有 RTL8019,RTL8029,RTL。410X 內(nèi)嵌一個(gè)以太網(wǎng)控制器,支持媒體獨(dú)立接口和帶緩沖 DMA 接口,但并接口。在設(shè)計(jì)中,使用 CS8900 作為以太網(wǎng)的物理層接口。由于 S3C2410I (Media Independent Interface)接口的 MAC 控制器,而 CS8900 也提供種信號(hào)的定義也很明確,因此 CS8900 與 S3C2410X 連接比較簡(jiǎn)單。SB 接口設(shè)計(jì) USB 電路的主要目的是方便數(shù)據(jù)的傳輸。S3C2410X 有兩個(gè) USB 主設(shè)備(SB 從設(shè)備(DEVICE),USB 通信協(xié)議均已在內(nèi)部實(shí)現(xiàn)。電路圖如下。
圖 3.3 SDRM 電路圖h 電路設(shè)計(jì)儲(chǔ)器是一種可在系統(tǒng)(In-System)進(jìn)行擦寫,,掉電后信息不丟失的耗、大容量、擦寫速度快、可整片或分扇區(qū)在系統(tǒng)編程(燒寫)、擦除部嵌入的算法完成對(duì)芯片的操作,因而在各種嵌入式系統(tǒng)中得到了廣場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)是 NOR Flash 和 NAND Flash。NOR 1988 年首先開(kāi)發(fā);1989 年?yáng)|芝公司發(fā)布了 NAND Flash 結(jié)構(gòu)。NOR 的,這樣應(yīng)用程序可以直接在 Flash 內(nèi)運(yùn)行,不必要再把代碼讀到系統(tǒng)先要將塊內(nèi)所有的位都寫為 0。NAND 結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可,每存儲(chǔ)單位的價(jià)格比 NOR Flash 低,并且寫入和擦除的速度也很快統(tǒng)接口。而 S3C2410X 內(nèi)包含一個(gè) NAND Flash 控制器,支持從 NA以上特點(diǎn),考慮使用 NAND Flash 存儲(chǔ)操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序代碼。NA第 17 頁(yè)
【學(xué)位授予單位】:國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2006
【分類號(hào)】:TN958;TP368.12
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