【摘要】： 空間環(huán)境中存在著眾多的宇宙射線和高能粒子,運(yùn)行于其中的星載計(jì)算機(jī)很容易受到這些射線和粒子的沖擊從而產(chǎn)生各種輻射效應(yīng)。星載計(jì)算機(jī)上的雙穩(wěn)態(tài)器件如靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM就可能在輻射的作用下出現(xiàn)單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)(Single Event Upset,SEU),導(dǎo)致存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)的某一位從一個(gè)狀態(tài)變?yōu)榱硪粋�(gè)狀態(tài)。在存儲(chǔ)器中出現(xiàn)這樣的錯(cuò)誤如果不能及時(shí)的發(fā)現(xiàn)并糾正,則可能導(dǎo)致星載計(jì)算機(jī)出現(xiàn)誤操作,甚至出現(xiàn)更嚴(yán)重的后果,所以很有必要對(duì)星載RAM進(jìn)行抗SEU的設(shè)計(jì)。 此外,由于衛(wèi)星造價(jià)高昂,人們更希望在一顆衛(wèi)星上完成盡量多的任務(wù),所以衛(wèi)星上會(huì)集成更多功能。這些不同的功能有不同的應(yīng)用需求,對(duì)存儲(chǔ)器的容量與抗輻射性能也有不同的要求,于是也很有必要對(duì)星載RAM的靈活性加以改善。 本課題正是基于對(duì)以上問(wèn)題的考慮,使用可調(diào)的存儲(chǔ)器配置方案,同時(shí)采用(22,16)擴(kuò)展?jié)h明碼編碼與三模冗余(Triple Modular Redundancy,TMR)相結(jié)合的方式對(duì)星載RAM進(jìn)行抗SEU的設(shè)計(jì)。本論文詳細(xì)闡述了(22,16)擴(kuò)展?jié)h明碼與TMR的檢錯(cuò)糾錯(cuò)原理。使用VHDL語(yǔ)言分別實(shí)現(xiàn)了擴(kuò)展?jié)h明碼檢錯(cuò)糾錯(cuò)電路與TMR檢錯(cuò)糾錯(cuò)電路。為了驗(yàn)證設(shè)計(jì)的有效性,使用TMS320C6713 DSP搭建驗(yàn)證電路平臺(tái),采用軟件故障注入法對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行驗(yàn)證。 經(jīng)過(guò)本設(shè)計(jì)加固的星載RAM可以對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行在線配置,可以采用兩種不同的存儲(chǔ)器檢錯(cuò)糾錯(cuò)方式。同時(shí),與典型的EDAC芯片相比,本系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了差錯(cuò)的實(shí)時(shí)回寫(xiě)。
【學(xué)位授予單位】：電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2010
【分類號(hào)】：TP333.8

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本文編號(hào)：2654466