【摘要】： 現(xiàn)代微電子技術(shù)高速發(fā)展，使得集成電路的集成度與工作頻率越來越高。以處理器為例，，單個(gè)硅核已集成了數(shù)十億個(gè)晶體管，且工作頻率已超過3GHz，功耗超過100 W。散熱器在給處理器散熱的同時(shí)，會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁干擾，導(dǎo)致系統(tǒng)電磁環(huán)境的惡化。所以，必須了解散熱器電磁輻射機(jī)理，并尋求抑制其電磁輻射的措施。 本文以Intel P4 CPU散熱器為例，全面詳細(xì)地分析了散熱器的電磁特性和散熱特性。首先，分析了散熱器的物理結(jié)構(gòu)對(duì)電磁特性的影響，散熱器的電磁輻射表現(xiàn)出明顯的方向性，散熱器的底面尺寸、鰭高、激勵(lì)源、接地面尺寸等都會(huì)影響其電磁輻射特性。其次，分析了散熱器的物理結(jié)構(gòu)對(duì)散熱性能的影響，結(jié)果表明影響散熱器散熱性能的主要因素是散熱器的高度和鰭結(jié)構(gòu)，但其散熱性能與這兩個(gè)因素不能構(gòu)建簡(jiǎn)單的線性關(guān)系。 基于散熱器電磁特性與散熱特性的綜合分析，一方面給散熱器的選擇提供了一些參考；另一方面，也提出了散熱器優(yōu)化設(shè)計(jì)的一般過程，如優(yōu)先設(shè)計(jì)兩者互不干擾的影響參數(shù)，再設(shè)計(jì)兩者共同的影響參數(shù)，最后結(jié)合其它措施綜合優(yōu)化。
【學(xué)位授予單位】：西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2010
【分類號(hào)】：TP332

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前3條

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2 路宏敏,梁昌洪,李曉輝,薛夢(mèng)麟;開關(guān)電源散熱器的輻射發(fā)射[J];電波科學(xué)學(xué)報(bào);2005年02期

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本文編號(hào)：2649273